主要公式用单个数字表示,如(1)。公式中物理量的再详细表达式加点表示,如(1.1),以此类推。
I
d
=
W
L
μ
e
f
f
C
g
(
V
g
o
−
ψ
m
+
V
t
h
)
ψ
d
s
(
1
)
I_d=\frac{W}{L}\mu_{eff} C_g(V_{go}-\psi_m+V_{th})\psi_{ds}(1)
Id=LWμeffCg(Vgo−ψm+Vth)ψds(1)
W和L分别是栅宽和栅长
μ
e
f
f
\mu_{eff}
μeff是有效载流子迁移率
Cg是有效势垒电容
Vgo是栅极电压减去截止电压
ψ
m
\psi_m
ψm是沟道中点的表面势
Vth是热电压
ψ
d
s
\psi_{ds}
ψds是漏极到源极的电势差
μ
e
f
f
=
μ
0
1
+
μ
A
E
y
,
e
f
f
+
μ
B
E
y
,
e
f
f
2
(
1.1
)
\mu_{eff}=\frac{\mu_{0}}{1+\mu_{A}E_{y,\mathrm{eff}}+\mu_{B}E_{y,\mathrm{eff}}^{2}}(1.1)
μeff=1+μAEy,eff+μBEy,eff2μ0(1.1)
μ
0
\mu_{0}
μ0是低场迁移率
μ
A
\mu_{A}
μA和
μ
B
\mu_{B}
μB是从实测数据中提取的模型参数,分别是一阶和二阶迁移率退化系数
E
y
,
e
f
f
E_{y,\mathrm{eff}}
Ey,eff是有效垂直电场:
E
y
,
e
f
f
=
Q
c
h
/
ε
A
l
G
a
N
(
1.1.1
)
E_{y,eff}=Q_{ch}/\varepsilon_{AlGaN} (1.1.1)
Ey,eff=Qch/εAlGaN(1.1.1)
ε
A
l
G
a
N
{\varepsilon_{\mathrm{AlGaN}}}
εAlGaN是介电系数
Qch是沟道平均电荷:
Q
c
h
=
C
g
ε
A
l
G
a
N
∣
V
g
o
−
ψ
m
∣
(
1.1.1.1
)
Q_{ch}=\frac{C_{g}}{\varepsilon_{AlGaN}}|V_{go}-\psi_{m}|(1.1.1.1)
Qch=εAlGaNCg∣Vgo−ψm∣(1.1.1.1)
Cg表达式参照(1.2)
Vgo表达式参照(1.3)
ψ
m
\psi_m
ψm表达式参照(1.4)
C
g
=
ε
A
l
G
a
N
d
(
1.2
)
C_{g}=\frac{\varepsilon_{\mathrm{AlGaN}}}{d}(1.2)
Cg=dεAlGaN(1.2)
ε
A
l
G
a
N
{\varepsilon_{\mathrm{AlGaN}}}
εAlGaN是介电系数
d是势垒层厚度
V
g
o
=
V
g
−
V
o
f
f
(
1.3
)
V_{go}=V_{g}-V_{\mathrm{off}}(1.3)
Vgo=Vg−Voff(1.3)
Vg是栅电压
Voff是截止电压:
V
o
f
f
=
ϕ
B
(
x
)
−
Δ
E
c
(
x
)
−
q
N
d
d
2
2
ε
A
l
G
a
N
−
q
σ
d
ε
A
l
G
a
N
(
1.3.1
)
V_{off}=\phi_{B}(x)-\Delta E_{c}(x)-\frac{qN_{d}d^{2}}{2\varepsilon_{AlGaN}}-\frac{q\sigma d}{\varepsilon_{AlGaN}}(1.3.1)
Voff=ϕB(x)−ΔEc(x)−2εAlGaNqNdd2−εAlGaNqσd(1.3.1)
其中 x 为铝组分,
ϕ
B
(
x
)
\phi_{B}(x)
ϕB(x)为肖特基势垒高度,
E
c
(
x
)
E_{c}(x)
Ec(x)为 AlGaN 和 GaN 之间的导带不连续性,q是电子电荷,Nd 是 AlGaN 层的掺杂浓度,σ 是极化引入的面电荷密。
ϕ
B
(
x
)
=
(
1.3
x
+
0.84
)
e
V
(
1.3.1.1
)
\phi_B(x)=\left(1.3x+0.84\right)eV(1.3.1.1)
ϕB(x)=(1.3x+0.84)eV(1.3.1.1)
Δ
E
c
(
x
)
=
0.7
[
E
g
(
x
)
−
E
g
(
0
)
]
(
1.3.1.2
)
\Delta E_c(x)=0.7\left[E_g(x)-E_g(0)\right](1.3.1.2)
ΔEc(x)=0.7[Eg(x)−Eg(0)](1.3.1.2)
E
g
(
x
)
=
x
E
g
(
AlN
)
+
(
1
−
x
)
E
g
(
GaN
)
−
x
(
1
−
x
)
1.0
eV
=
x
6.13
e
V
+
(
1
−
x
)
3.42
e
V
−
x
(
1
−
x
)
1.0
e
V
(
1.3.1.3
)
E_{_g}(x)=xE_{_g}(\text{AlN})+(1-x)E_{_g}(\text{GaN})-x(1-x)1.0\text{eV}=x6.13\mathrm{eV}+(1-x)3.42\mathrm{eV}-x(1-x)1.0\mathrm{eV}(1.3.1.3)
Eg(x)=xEg(AlN)+(1−x)Eg(GaN)−x(1−x)1.0eV=x6.13eV+(1−x)3.42eV−x(1−x)1.0eV(1.3.1.3)
ψ m = ( ψ d + ψ s ) / 2 ( 1.4 ) \psi_m=(\psi_d+\psi_s)/2(1.4) ψm=(ψd+ψs)/2(1.4)
ψ
d
=
V
f
+
V
d
,
e
f
f
(
1.4.1
)
\psi_{d}=V_{f}+V_{d,eff}(1.4.1)
ψd=Vf+Vd,eff(1.4.1)
V
f
V_{f}
Vf是三角形势阱中对应于费米能级的势
V
d
,
e
f
f
V_{d,eff}
Vd,eff是漏极处的有效电压
公式(1.4.1.1.1)在所有区域都是有效的,但在接近截止电压Voff的区域,采用Vf,unified时获得的精度约为毫伏级别。为此,对公式(1.4.1.1.1)给出的解决方案进行了细化处理,并在所有区域实现了皮伏特或更高级别的精度:
V
f
=
V
f
,
u
n
i
f
i
e
d
−
p
q
(
1
+
p
r
2
q
2
)
(
1.4.1.1
)
V_f=V_{f,unified}-\frac{p}{q}\left(1+\frac{pr}{2q^2}\right)(1.4.1.1)
Vf=Vf,unified−qp(1+2q2pr)(1.4.1.1)
Quantity | Expression |
---|---|
k 0 , 1 k_{0,1} k0,1 | γ 0 , 1 ( C g q ) 2 / 3 \gamma_{0,1}\left(\frac{C_g}q\right)^{2/3} γ0,1(qCg)2/3 |
V g e f V_{gef} Vgef | V g − V o f f − E f V_g-V_{off}-E_f Vg−Voff−Ef |
ξ 0 , 1 \xi_{0,1} ξ0,1 | exp ( E f , u n i f i e d − k 0 , 1 V g e f 2 / 3 V t h ) \exp\left(\frac{E_{f,unified}-k_{0,1}V_{gef}^{2/3}}{V_{th}}\right) exp(VthEf,unified−k0,1Vgef2/3) |
p \text{p} p | C g q V g e f − ∑ i = 0 1 D V t h ln ( ξ i + 1 ) \frac{C_{g}}{q}V_{gef}-\sum_{i=0}^{1}DV_{th}\operatorname{ln}(\xi_{i}+1) qCgVgef−∑i=01DVthln(ξi+1) |
q \text{q} q | − C g q − ∑ i = 0 1 D 1 + ξ i − 1 ( 1 + ( 2 / 3 ) k i V g e f − 1 / 3 ) -\frac{C_{g}}{q}-\sum_{i=0}^{1}\frac{D}{1+\xi_{i}^{-1}}\left(1+(2/3)k_{i}V_{gef}^{-1/3}\right) −qCg−∑i=011+ξi−1D(1+(2/3)kiVgef−1/3) |
r \text{r} r | ∑ i = 0 1 2 9 V g e f − 4 / 3 D k i ( 1 + ξ i − 1 ) + D V t h ( 1 + 2 3 k i V g e f − 1 / 3 ) 2 ( 1 + ξ i − 1 ) 2 \sum_{i=0}^{1}\frac{\frac29V_{gef}^{-4/3}Dk_{i}(1+\xi_{i}^{-1})+\frac D{V_{th}}\left(1+\frac23k_{i}V_{gef}^{-1/3}\right)^{2}}{\left(1+\xi_{i}^{-1}\right)^{2}} ∑i=01(1+ξi−1)292Vgef−4/3Dki(1+ξi−1)+VthD(1+32kiVgef−1/3)2 |
采用Ef代替Ef,unified,重新评估k0/1、ξ0/1、Vgef、p、q和r的值,并根据(1.4.1.1)式获得最终解决方案Ef,s。这些计算步骤遵循Householder方法求解隐函数的过程。
令人遗憾的是:因为最初的关于电子密度和电势的方程是超越方程(82年TED),所以提出了统一能级表达式来近似超越方程的数值解。但现在统一能级的表达也因为精度不够高,又一次进行了隐函数的求解。
统一能级表达式:
V
f
,
u
n
i
f
i
e
d
=
V
g
o
−
2
V
t
v
l
n
(
1
+
e
V
g
o
2
V
t
v
)
1
H
(
V
g
o
,
e
f
f
)
+
(
C
g
q
D
)
e
−
V
g
o
2
V
t
v
(
1.4.1.1.1
)
V_{f,unified}=V_{go}-\frac{2V_{tv}ln(1+e^{\frac{V_{go}}{2V_{tv}}})}{\frac1{H(V_{go,eff})}+(\frac{C_{g}}{qD})e^{-\frac{V_{go}}{2V_{tv}}}}(1.4.1.1.1)
Vf,unified=Vgo−H(Vgo,eff)1+(qDCg)e−2VtvVgo2Vtvln(1+e2VtvVgo)(1.4.1.1.1)
V
t
v
=
K
B
⋅
T
d
e
v
c
d
s
c
(
1.4.1.1.1.1
)
V_{tv}=KB\cdot T_{dev}cdsc(1.4.1.1.1.1)
Vtv=KB⋅Tdevcdsc(1.4.1.1.1.1)
T
d
e
v
=
T
+
V
(
r
t
h
)
(
1.4.1.1.1.1.1
)
T_{dev}=T+V(rth)(1.4.1.1.1.1.1)
Tdev=T+V(rth)(1.4.1.1.1.1.1)
c
d
s
c
=
1
+
N
F
A
C
T
O
R
+
(
C
D
S
C
D
+
c
d
s
c
d
t
r
a
p
)
⋅
V
d
s
x
(
1.4.1.1.1.1.2
)
cdsc=1+NFACTOR+(CDSCD+cdscd_{trap})\cdot V_{dsx}(1.4.1.1.1.1.2)
cdsc=1+NFACTOR+(CDSCD+cdscdtrap)⋅Vdsx(1.4.1.1.1.1.2)
NFACTOR为子VOFF斜率参数
CDSCD为由于漏极电压引起的子VOFF斜率变化
V
d
s
x
=
V
d
s
2
+
0.01
(
1.4.1.1.1.1.2.1
)
V_{dsx}=\sqrt{V_{ds}^2+0.01}(1.4.1.1.1.1.2.1)
Vdsx=Vds2+0.01(1.4.1.1.1.1.2.1)
H
(
V
g
0
)
=
V
g
0
+
V
t
v
[
1
−
l
n
(
β
V
g
o
n
)
]
−
γ
0
3
(
C
g
V
g
0
q
)
2
3
V
g
0
(
1
+
V
t
υ
V
g
o
d
)
+
2
γ
0
3
(
C
g
V
g
0
q
)
2
3
(
1.4.1.1.1.2
)
H(V_{g0})=\frac{V_{g0}+V_{tv}[1-ln(\beta V_{gon})]-\frac{\gamma_{0}}{3}(\frac{C_{g}V_{g0}}{q})^{\frac{2}{3}}}{V_{g0}(1+\frac{V_{t\upsilon}}{V_{god}})+\frac{2\gamma_{0}}{3}(\frac{C_{g}V_{g0}}{q})^{\frac{2}{3}}}(1.4.1.1.1.2)
H(Vg0)=Vg0(1+VgodVtυ)+32γ0(qCgVg0)32Vg0+Vtv[1−ln(βVgon)]−3γ0(qCgVg0)32(1.4.1.1.1.2)
V
g
0
x
=
V
g
0
α
x
V
g
0
2
+
α
x
2
(
1.4.1.1.1.2.1
)
V_{g0x}=\frac{V_{g0}\alpha_{x}}{\sqrt{V_{g0}^{2}+\alpha_{x}^{2}}}(1.4.1.1.1.2.1)
Vg0x=Vg02+αx2Vg0αx(1.4.1.1.1.2.1)
其中
α
n
=
e
/
β
\alpha_n=e/\beta
αn=e/β,
α
d
=
1
/
β
\alpha_{d}=1/\beta
αd=1/β
V
g
0
,
e
f
f
=
1
2
(
V
g
0
+
V
g
0
2
+
4
e
p
p
s
i
2
)
(
1.4.1.1.1.3
)
V_{g0,eff}=\frac{1}{2}\left(V_{g0}+\sqrt{V_{g0}^2+4ep_{psi^2}}\right)(1.4.1.1.1.3)
Vg0,eff=21(Vg0+Vg02+4eppsi2)(1.4.1.1.1.3)
e
p
p
s
i
ep_{psi}
eppsi为平滑常数
C
g
=
ε
A
l
G
a
N
T
B
A
R
(
1.4.1.1.1.4
)
C_g=\frac{\varepsilon_{AlGaN}}{TBAR}(1.4.1.1.1.4)
Cg=TBARεAlGaN(1.4.1.1.1.4)
TBAR为势垒层厚度
V
d
,
e
f
f
=
V
d
s
(
1
+
(
V
d
s
V
d
s
a
t
)
D
E
L
T
A
)
−
1
D
E
L
T
A
(
1.4.1.2
)
V_{d,eff}=V_{ds}\left(1+\left(\frac{V_{ds}}{V_{dsat}}\right)^{DELTA}\right)^{\frac{-1}{DELTA}}(1.4.1.2)
Vd,eff=Vds(1+(VdsatVds)DELTA)DELTA−1(1.4.1.2)
DELTA为Vd,eff的指数
V
d
s
a
t
=
(
2
V
S
A
T
(
T
)
/
μ
e
f
f
)
L
⋅
V
g
0
,
e
f
f
(
2
V
S
A
T
(
T
)
/
μ
e
f
f
)
L
+
V
g
0
,
e
f
f
(
1.4.1.2.1
)
V_{dsat}=\frac{(2VSAT(T)/\mu_{eff})L\cdot V_{g0,eff}}{(2VSAT(T)/\mu_{eff})L+V_{g0,eff}}(1.4.1.2.1)
Vdsat=(2VSAT(T)/μeff)L+Vg0,eff(2VSAT(T)/μeff)L⋅Vg0,eff(1.4.1.2.1)
VSAT为饱和速度
μ
e
f
f
\mu_{eff}
μeff表达式参照(1.1)
L为栅长
V
g
0
,
e
f
f
V_{g0,eff}
Vg0,eff表达式参照(1.4.1.1.1.3)
ψ
s
=
V
f
+
V
s
(
1.4.2
)
\psi_{s}=V_{f}+V_{s}(1.4.2)
ψs=Vf+Vs(1.4.2)
V
f
V_{f}
Vf参照表达式(1.4.1.1)
V
s
V_{s}
Vs为源极电压
V
t
h
=
k
T
/
q
(
1.5
)
V_{\mathrm{th}}=kT/q(1.5)
Vth=kT/q(1.5)
k是玻尔兹曼常数
T是温度
q是电子电荷
ψ
d
s
=
(
ψ
d
−
ψ
s
)
(
1.6
)
\psi_{ds}=(\psi_{d}-\psi_{s})(1.6)
ψds=(ψd−ψs)(1.6)
ψ
d
\psi_{d}
ψd参照表达式(1.4.1)
ψ
s
\psi_{s}
ψs参照表达式(1.4.2)