Sentaurus
Eren-Yu
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Sentaurus TCAD中SDE的mtt命令
在这三个接触面中,gate和 substrate 接触镜像反射轴,在反射后会被延伸,并保持原有的名称不变。原始结构(左侧)经过一次镜像反射。区域“R.Substrate”由一个简单连通的部分组成,反射部分与原始部分合并在一起。若反射部分与原始部分不是简单连接的(也就是说,它们形成了两个分离的区域),则反射部分的名称会被赋予_mirrored(参见图1)。通常情况下,如果原始部分与反射部分是简单连接的,则经过反射的区域会与原始区域合并,并接收原始区域名称。原创 2024-03-17 11:47:49 · 1103 阅读 · 0 评论 -
用于 GaN-HEMT 功率器件仿真的 TCAD 方法论
本文研究了使用技术计算机辅助设计(TCAD)方法对 GaN-HEMT 功率器件进行仿真的方法。该方法基于 imec 的功能完备的逼真 GaN-HEMT,旨在为 GaN 基器件技术建立准确的仿真工具、方法和模型,并与硬件数据进行基准测试。文章强调了与标准的硅和锗 TCAD 方法相比,GaN-HEMT 技术的准确 TCAD 仿真的额外复杂性,这是由于较低的晶体对称性和极化效应等因素造成的。与过去主要集中在硅和锗上的标准 TCAD 方法论相比,GaN-HEMT 技术为准确的 TCAD 仿真增加了额外的复杂性。原创 2023-11-03 09:49:18 · 1782 阅读 · 0 评论 -
Sentaurus TCAD 频繁跳出窗口
软件提示激活窗口,想要永久去掉这个窗口,需要进入root权限后复制下面的代码,然后回车运行。原创 2023-08-02 16:55:25 · 233 阅读 · 0 评论 -
Sentaurus TCAD-Sdevice CV (电容特性)
输入电容Ciss(即Cgg)、输出电容Coss(即Cdd)和米勒电容Crss(Cgd)与Vd关系曲线Ciss = CGS + CGDCoss = CDS + CGDCrss = CGD原创 2023-08-01 16:08:11 · 3831 阅读 · 16 评论 -
Tsuprem4、Sprocess和Sdevice
Tsuprem4主要用于半导体器件的制造过程模拟,可以模拟半导体器件制造中的物理和化学过程,例如掺杂、氧化、扩散、沉积、蚀刻等。虽然这些工具的应用领域不同,但它们可以协同工作,共同建立完整的半导体器件模型,从而更好地理解和优化半导体器件的性能和制造过程。Sprocess用于半导体器件的热力学和动力学模拟,可以模拟半导体器件中的物理和化学过程,包括材料的生长、沉积和退火等。Sdevice则用于半导体器件的电学性能模拟,可以模拟半导体器件中的电学特性,如电场、载流子输运、噪声和温度等。原创 2023-05-27 10:32:57 · 741 阅读 · 2 评论 -
Svisual图形操作
Materials/材料 | Regions/区域 | Lines(线)/Particles(微粒)原创 2023-04-12 11:41:53 · 175 阅读 · 0 评论 -
No.3:【深P阱1.2kV 4H SiC JBSFET(结势垒肖特基二极管集成MOSFET)的优化设计】论文学习
论文学习原创 2023-01-25 19:12:43 · 493 阅读 · 0 评论 -
Sentaurus命令注释
Sentaurus命令注释原创 2023-01-16 18:15:17 · 916 阅读 · 0 评论 -
TCAD操作方法记录
操作记录原创 2023-01-14 22:43:32 · 412 阅读 · 0 评论 -
Sentaurus TCAD学习之SVISUAL
SVISUAL学习原创 2022-12-30 20:39:05 · 1275 阅读 · 0 评论 -
Sentaurus TCAD学习之SDEVICE
对SDEVICE的学习原创 2022-12-27 21:31:41 · 4400 阅读 · 0 评论 -
SDEVICE的收敛性问题
SDEVICE的收敛性问题学习原创 2022-12-24 22:59:57 · 1823 阅读 · 0 评论 -
Sentaurus TCAD学习之SDE
SDE学习原创 2022-11-02 18:15:07 · 4777 阅读 · 6 评论