一个扩展BSIM3模型的紧凑模型，针对碳化硅功率MOSFETs

Eren-Yu

于 2024-08-12 20:47:14 发布

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分类专栏：文献阅读文章标签：器件建模

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来源：A Compact Model Extending the BSIM3 Model for Silicon Carbide Power MOSFETs（TPE 23年）

摘要

这篇论文提出了一种方法，该方法采用了行业标准的BSIM3模型并进行了必要的扩展，以建立一个精确的紧凑型模型，适用于1.2kV的碳化硅（SiC）功率MOSFETs。BSIM3模型被用来描述功率MOSFETs的受控通道部分。与器件制造商提供的模型相比，标准模型在仿真中显示出更高的保真度。鉴于垂直MOSFET结构和SiC的特殊性质，所提出的模型扩展包括热漂移区、体二极管和漏极-栅极电容。考虑热效应的脉冲电流-电压特性、电压依赖电容以及体二极管的瞬态行为被测量，并作为模型参数提取的参考。具体参数提取策略已被提供。该方法在不同的商用SiC功率MOSFETs上进行了示例说明。最后，通过将测量得到的和模型预测的开关损耗能量及双脉冲测试下的开关转换进行对比，对模型进行了验证，测试条件为600V，不同负载电流级别最高至26A，以及温度最高至90°C。

关键词：BSIM3，表征，建模，功率MOSFET，碳化硅（SiC）
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文章的研究内容

文章的研究内容聚焦于开发一种改进的、紧凑的模型，用于更精确地描述和模拟1.2 kV碳化硅（SiC）功率MOSFETs的电气特性。这项研究的主要贡献在于以下几点：

模型改进与扩展：研究采用了行业标准的BSIM3模型，并对其进行了必要的扩展，以构建一个准确的紧凑模型。BSIM3模型被用来描述功率MOSFETs的受控通道部分，相比厂商提供的模型，该模型在仿真中展现出更高的保真度。
考虑特殊特性：鉴于SiC功率MOSFET的垂直结构和特殊属性，研究提出了模型的几个关键扩展，包括热漂移区域、体二极管和漏极-栅极电容。这些扩展使得模型能够更全面地捕捉SiC MOSFET的特性。
测量与模型参数提取：研究测量了考虑热效应的脉冲电流-电压特性、电压依赖的电容以及体二极管的瞬态行为，这些测量结果被用作模型参数提取的依据。研究提供了具体的参数提取策略。
验证与应用：该模型在不同的商用SiC功率MOSFETs上进行了验证，通过比较测量得到的和模型预测的开关损耗能量及开关转换，验证了模型的有效性。验证在双脉冲测试中进行，测试条件涵盖了600 V的电压和高达26 A的负载电流，以及高达90°C的温度。
研究目标与意义：文章旨在为SiC功率MOSFETs提供一个更准确和紧凑的模型，这对于电力电子领域设计和优化高性能、高效率的电力转换系统至关重要。SiC MOSFETs由于其宽禁带特性，能够在比传统硅基器件更高的开关频率和温度下工作，因此在高效率电源转换器的小型化过程中发挥着关键作用。

通过以上研究内容，文章为SiC功率MOSFETs的精确建模和电路设计提供了有价值的工具，有助于推动电力电子技术的发展和应用。

文章的研究方法

模型扩展与定制：研究团队基于BSIM3模型进行扩展，以适应碳化硅（SiC）功率MOSFETs的独特性质。BSIM3模型被选中是因为它在模拟平台上的广泛应用和较高的准确性。研究中，模型针对SiC的特性进行了调整，包括热漂移区域、体二极管以及漏极-栅极电容的描述，以更准确地反映SiC MOSFET的行为。
设备测量与参数提取：为了确保模型的准确性，研究者进行了详细的设备测量，包括考虑热效应的脉冲电流-电压特性、电压依赖的电容以及体二极管的瞬态行为。这些测量数据用于提取模型所需的参数，以精确反映SiC MOSFET的静态和动态特性。
比较与验证：模型的性能通过与实际测量数据的比较进行了验证。研究者使用双脉冲测试，在不同的电流水平和温度条件下，对比了测量得到的和模型预测的开关损耗能量及开关转换。结果显示，模型能够精确描述SiC MOSFETs在不同电气和热操作点的特性。
仿真与分析：利用提取的参数，研究者进行了仿真，以测试模型在不同工作条件下的表现。仿真结果与测量结果的对比显示，模型能够有效地模拟SiC MOSFETs的开关行为，尤其是受寄生电容影响的部分。
误差分析与模型改进：研究中还评估了模型的误差，发现静态特性的偏差低于4%，而瞬态特性的偏差小于10%。这表明所提出的模型扩展策略对于建模SiC MOSFETs是准确和必要的。同时，研究者指出，通过更精确地描述来自测量设置的寄生效应，可以进一步提高模型的准确性。

研究团队不仅扩展了BSIM3模型以更好地适应SiC功率MOSFETs，还验证了模型的有效性，为电力电子领域提供了一个更精确的工具，用于设计和优化基于SiC的电力转换系统。

文章的创新点

模型扩展与精准化：文章提出了一种新的方法，通过扩展BSIM3模型，使其能更准确地描述和模拟1.2kV碳化硅（SiC）功率MOSFETs的特性。相比于设备制造商提供的模型，这种方法提高了仿真的保真度，尤其是在考虑垂直MOSFET结构和SiC特殊属性的情况下。
热效应与体二极管的精确模拟：模型特别考虑了热漂移区域、体二极管以及漏极-栅极电容的影响，这些扩展能够更精细地捕捉到SiC功率MOSFET在热效应下的动态变化，以及体二极管的瞬态行为。
参数提取策略：研究者提供了一种具体的参数提取策略，以确保模型参数的准确性。通过对设备测量，他们能够获取更详细的设备特征信息，进而提高模型的精确度。
广泛验证：模型在多种商业可用的SiC功率MOSFETs上进行了验证，通过与实际测量的开关损耗能量和开关转换进行对比，证明了模型在不同电流水平（最高达26A）和温度条件（最高至90°C）下的有效性。
改进的性能指标：相较于之前的模型和设备供应商的模型，文章中提出的方法能够显著提升瞬态开关损耗的模拟精度，大约提高了20%。
准确度与复杂性的平衡：尽管产品本身的公差也需要考虑，但文章指出，许多供应商模型中存在的定义缺陷，导致无法准确描述设备特性。通过采用更恰当的定义方法，而非仅仅调整常数值，可以克服这些缺点。
模型适用性：文章证实，为了准确建模SiC MOSFETs，文中提出的特定模型扩展是必要的。这些扩展不仅提高了模型的准确度，而且对于未来新型SiC MOSFET结构的建模策略具有潜在的开发价值。

文章的创新在于它不仅提出了一个经过改进和扩展的BSIM3模型版本，而且还展示了这个模型如何在广泛的测试条件下，准确地模拟SiC功率MOSFETs的特性，为电力电子领域的设计和优化提供了强大的工具。

文章的结论

该文提出并分析了一种方法，通过扩展行业标准的BSIM3模型来精确描述1.2 kV的碳化硅（SiC）垂直功率MOSFETs。仿真结果表明，提议的模型能够准确描绘SiC功率MOSFETs在不同电气和热操作点下的特性，包括受寄生电容影响的开关行为。通过对比测量和模型预测的开关损耗能量以及双脉冲测试下的开关转换，模型的有效性得到了验证。在600 V电压、高达26 A的负载电流和最高90°C的温度条件下，模型的准确性被证明，其偏差在所有操作点都低于10%，并且随着对测量设置寄生效应更精确描述的改进，模型的准确性还可以进一步提升。

模型的扩展，特别是对热漂移区域、体二极管和漏极-栅极电容的描述，被证明是准确和必要的，以模拟SiC MOSFETs的特性。模型不仅在特定区域保证了设备行为的准确性，还具备在更大操作范围内预测的能力，这超越了纯经验模型的局限性。对于未来的改进，模型可以继续优化以更精确地描述Vgs依赖的电容，以进一步提高动态行为的描述精度。同时，需要在模型准确性和复杂性之间做出权衡。此外，提出的模型扩展策略可以进一步发展，以适应新型SiC MOSFET结构。