一个扩展BSIM3模型的紧凑模型，针对碳化硅功率MOSFETs

来源：A Compact Model Extending the BSIM3 Model for Silicon Carbide Power MOSFETs（TPE 23年）

摘要

这篇论文提出了一种方法，该方法采用了行业标准的BSIM3模型并进行了必要的扩展，以建立一个精确的紧凑型模型，适用于1.2kV的碳化硅（SiC）功率MOSFETs。BSIM3模型被用来描述功率MOSFETs的受控通道部分。与器件制造商提供的模型相比，标准模型在仿真中显示出更高的保真度。鉴于垂直MOSFET结构和SiC的特殊性质，所提出的模型扩展包括热漂移区、体二极管和漏极-栅极电容。考虑热效应的脉冲电流-电压特性、电压依赖电容以及体二极管的瞬态行为被测量，并作为模型参数提取的参考。具体参数提取策略已被提供。该方法在不同的商用SiC功率MOSFETs上进行了示例说明。最后，通过将测量得到的和模型预测的开关损耗能量及双脉冲测试下的开关转换进行对比，对模型进行了验证，测试条件为600V，不同负载电流级别最高至26A，以及温度最高至90°C。

关键词：BSIM3，表征，建模，功率MOSFET，碳化硅（SiC）

文章的研究内容

文章的研究内容聚焦于开发一种改进的、紧凑的模型，用于更精确地描述和模拟1.2 kV碳化硅（SiC）功率MOSFETs的电气特性。这项研究的主要贡献在于以下几点：

1. 模型改进与扩展：研究采用了行业标准的BSIM3模型，并对其进行了必要的扩展，以构建一个准确的紧凑模型。BSIM3模型被用来描述功率MOSFETs的受控通道部分，相比厂商提供的模型，该模型在仿真中展现出更