ASM-HEMT
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Eren-Yu
曾用名:幻象空间的十三楼,现用名:Eren-Yu与B站名称同名。微信公众号:半导体器件建模
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基于物理原理的p-GaN HEMT动态导通电阻SPICE建模
这封快报介绍了一种新型基于物理学原理的SPICE建模方法,专门针对氮化镓基p型门极高电子迁移率晶体管(p-GaN HEMT)的动态导通电阻(Ron,dy)。为了描述Ron,dy的连续变化,文中提出了一个时间分辨的电子迁移率变化模型(Δµeff模型)。从p-GaN HEMT中提取出物理参数,包括陷阱的活化能和电压加速因子作为模型参数。接着,为了实现对Ron,dy的模拟目标,将提出的Δµeff模型整合到基于表面势能的GaN HEMT高级SPICE模型中。原创 2024-04-14 21:54:23 · 977 阅读 · 0 评论 -
基于表面势的增强型p-GaN HEMT器件模型
该模型通过对比分析耗尽型GaN HEMT和增强型p-GaN HEMT的器件结构差异,推导出了描述p-GaN栅结构电压变化的解析公式,并充分考虑了p-GaN栅层的掺杂效应及其物理机制,进一步推导出了栅极电容和栅极电流的解析表达式。文章的结论是,研究团队成功建立了一套基于表面势计算方法的增强型p-GaN HEMT器件模型,该模型综合考虑了p-GaN层的掺杂效应以及肖特基金属/p-GaN结、p-GaN/AlGaN/GaN结构的物理特性,并在此基础上推导出了有关p-GaN栅结构的关键电压解析公式。原创 2024-04-14 20:52:40 · 795 阅读 · 0 评论 -
GaN HEMTs在电力电子应用中的交叉耦合与基板电容分析与建模
本文提出了一种考虑了基板电容与场板之间交叉耦合效应的场板AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)电容模型。通过进行TCAD模拟,分析了这两种贡献,并基于现有的基于表面势模型给出了与交叉耦合和基板电容对应的电量的解析表达式。通过对测试电路采用混合模式仿真设置下的时域波形进行比较,验证了该模型化结果的准确性,并讨论了交叉耦合和基板电容对模型预测开关瞬态特性精度的影响。关键词:电容、交叉耦合、GaN HEMTs、混合模式、基板、开关。原创 2024-03-13 10:45:43 · 1205 阅读 · 0 评论 -
双场板功率型GaN HEMT中用于精确开关行为的电容建模
本文提出了一种基于表面电势的紧凑模型,用于描述具有栅极和源极场板(FP)结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的电容特性。在HEMT中引入FP可以改善击穿电压、降低栅极漏电流等性能,但同时也会影响器件的电容性质,特别是在亚阈值工作区域产生栅极与漏极之间的反馈米勒电容以及漏极与源极之间的电容,从而影响开关特性。本文建立的终端电容随偏压变化的模型中,用于推导电容所需的内在电荷表达式是基于物理原理且解析形式的,并适用于器件所有工作区域。原创 2024-03-12 21:01:04 · 1275 阅读 · 0 评论 -
晶圆上特性表征
1.IV、CV、脉冲/动态IV范围为2.器件、材料、半导体、有源/无源元件的评估3.多频率下的交流电容测量4.NBTI/PBTI,电荷泵送,电迁移,热载流子注入,TDDB,5.脉冲IV测量最小,具有2ns上升和下降时间,具有1us当前测量分辨率。原创 2024-03-07 21:17:23 · 756 阅读 · 0 评论 -
高温应用中GaN HEMT大信号建模的ASM-HEMT
本文报道了一种用于模拟高温环境下氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的温度依赖性ASM-HEMT模型。我们对标准ASM-HEMT模型进行了改进,以准确捕捉在不同热板温度下收集到的直流和射频测量数据。文中报告了多个验证模型有效性的结果,包括直流-电压、脉冲-电压、散射参数以及负载牵引测量等。然后,利用该模型将GaN HEMT的性能外推至其验证时工作温度的两倍。这项研究对于理解和模拟高温环境应用中的GaN HEMT具有实用性。关键词:氮化镓、高电子迁移率晶体管、高温、ASM-HEMT、负载牵引。原创 2024-02-25 12:04:27 · 1054 阅读 · 0 评论 -
ASM-HEMT模型中的射频参数提取
通过使用正确的寄生网络,可以从测量数据和Y参数的虚部中观察到栅源、栅漏和漏源电容。第三层则是源通孔、栅极和漏极汇流条的寄生元件。第三层的寄生效应可以通过集总元件网络建模,也可以直接使用电磁仿真得到的S2P文件对该区域进行建模。接下来,针对Cgd随Vds特性的调整,可以使用CGDL参数控制Cgd随着Vds增加而减小的情况。小信号gm和gds在不同偏置条件下的表现直接来源于已建模的I-V特性,在低频情况下能较准确地接近实测数据。在更高频率下,由于自热导致的gm和gds的频率依赖性可以通过CTH0参数进行调整。原创 2024-02-24 21:16:36 · 468 阅读 · 0 评论 -
使用单一ASM-HEMT模型实现从X波段到Ka波段精确的GaN HEMT非线性仿真
摘要:本文首次研究了ASM-HEMT模型在宽频带范围内的大信号准确性。在10、20和30 GHz的频率下,通过测量和模拟功率扫描进行了比较。在相同的频率范围内,还比较了负载牵引测量和模拟。单一ASM-HEMT模型的大信号模拟与所有功率测量结果表现出极好的一致性。关键词:GaN, HEMT, 非线性建模, ASM-HEMT, X波段, Ka波段。原创 2024-02-22 21:11:38 · 1079 阅读 · 1 评论 -
Verilog和Verilog-A有什么区别
是 Verilog的扩展,专门用于建模和仿真模拟电路。它提供了描述和仿真模拟电路的能力,包括模拟器件、模拟信号和连续时间行为。Verilog-A广泛用于模拟电路设计、射频电路、模拟-数字混合设计和系统级建模。是一种硬件描述语言,广泛用于数字电路的设计、验证和仿真。Verilog和Verilog-A是两种互补的硬件描述语言,可以用于设计和仿真完整的电子系统。Verilog用于数字电路,而Verilog-A用于模拟电路。Verilog和Verilog-A都是硬件描述语言,用于设计和仿真电子系统。原创 2024-02-12 19:12:55 · 576 阅读 · 0 评论 -
双场板功率GaN HEMT电容模型以精确模拟开关行为
本文提出了一种基于表面电位的紧凑模型,用于模拟具有栅极和源极场板(FP)结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的电容特性。在HEMT中加入FP结构可以提高击穿电压、减少栅极漏电等,但也会影响器件的电容特性,特别是在亚阈值区域,栅极和漏极之间以及漏极和源极之间会出现反馈米勒电容,从而影响开关特性。本文中,我们模拟了终端电容的偏置依赖性,其中用于电容推导的固有电荷表达式是基于分析和物理性质的,并且适用于器件操作的所有区域。所提出的模型在Verilog-A中实现,并在不同温度下与测量数据非常吻合。原创 2024-02-12 19:09:04 · 1913 阅读 · 1 评论 -
ASM-HEMT参数提取和模型验证测试
DC模型参数提取流程对于ASM-GaN-HEMT模型可以总结在下图中。上述步骤完成了ASM-GaN-HEMT模型在室温下的直流参数提取流程。对于模拟其他温度下的直流I-V特性,该模型中已实现了对关键模型参数的温度缩放方程。通过使用这些温度参数,可以在多种温度下模拟直流I-V特性。原创 2024-02-04 21:59:13 · 830 阅读 · 0 评论 -
ASM-HEMT模型中漏极电流公式推导
ASM-HEMT模型中漏极电流公式推导原创 2024-01-29 20:25:25 · 918 阅读 · 0 评论 -
用ASM HEMT模型提取GaN器件的参数
该模型的核心是对表面势(ψ)及其随施加的栅极电压(V)和漏极电压(V)变化的解析建模。在考虑了真实器件效应(如速度饱和、DIBL、迁移率退化、通道长度调制CLM,参见图1)之后,固有栅极电荷(Q)和漏极电荷(Q)以及漏极电流(I)的表达式以公式1至3的形式书写。原创 2024-01-28 19:09:04 · 1130 阅读 · 0 评论