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Eren-Yu
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在5G/6G应用中实现高性能放大器的建模挑战
本文讨论了在5G/6G应用中实现高性能放大器所面临的建模挑战,尤其是对于GaN HEMT的建模。连续模式放大器,依赖于谐波调谐,在6 GHz以下的宽带宽内展示了其高效率的潜力,并且是5G网络更高频率应用的强有力候选者。然而,这些模型虽然准确,但计算密集且耗时。表格模型代表了另一种极端,其中使用设备测量数据来拟合预定义的数值函数,这种方法完全是经验性的,能够准确反映设备的性能,并且在模拟中更快。原创 2024-07-06 17:56:08 · 800 阅读 · 0 评论 -
通过混合栅极技术改善p-GaN功率HEMTs的ESD性能
本工作中,首次证明了混合栅极技术在不增加额外面积和寄生效应的前提下,能有效提升p-GaN HEMTs的栅极静电放电(ESD)性能。通过部分替换p-GaN HEMT中的肖特基型栅极金属为欧姆接触型金属,制备了混合栅HEMT(Hyb-HEMT)。基于传输线脉冲(TLP)性能的对比研究,证实了Hyb-HEMT的栅极ESD承受能力提高了约11倍,表明由欧姆接触型金属引入的“放电路径”能有效耗散ESD能量。此外,实验还证明,由于积累电子与注入空穴之间的复合作用,Hyb-HEMT在重复栅极ESD应力作用下更加稳定。原创 2024-06-26 10:15:38 · 906 阅读 · 0 评论 -
基于TCAD与紧凑模型结合方法探究陷阱对AlGaN/GaN HEMTs功率附加效率及线性度的影响
本文提出了一种新型建模方法,用于分析GaN HEMTs的微波功率性能。通过结合工艺计算机辅助设计(TCAD)物理仿真和电路设计标准的紧凑型陷阱模型,首次直接关联了表面陷阱和缓冲层陷阱与功率附加效率(PAE)及输出功率(Pout)。在TCAD分析陷阱定位的启发下,创建了一个包含RC子网络和非线性缩放函数的新陷阱模型结构。利用基于TCAD的提出的陷阱模型提取,量化了表面陷阱效应,观察到因表面陷阱导致的Pout损失达3dBm,最大功率附加效率(PAEMAX)损失12%。原创 2024-06-17 16:13:08 · 1104 阅读 · 0 评论 -
统一电荷控制模型与异质结场效应晶体管中的亚阈值电流
一种新的统一分析电荷控制模型被开发出来,用以涵盖异质结场效应晶体管(HFET)中从低于到高于阈值的全部栅极电压范围。该模型基于对二维(2-D)电子气量子化能级的新阐释建立。在低表面电场的极限条件下,该模型可简化为传统的电荷层模型。该模型被用来解释HFET亚阈值区的实验数据,结果显示在非故意掺杂的GaAs缓冲层经过器件制造工艺后,有效受主浓度发生了广泛的变化。原创 2024-06-12 10:54:25 · 868 阅读 · 0 评论 -
具有P柱中N点区域的超结MOSFET,用于软恢复
在本文中,提出了一种新型的具有P柱中N点区域的超结MOSFET,并进行了实验研究。利用硼和砷扩散速率的差异,通过在P柱注入后植入等剂量的砷和硼,自然形成了N点区域。因此,N柱和P柱之间的电荷平衡条件保持不变,这允许所提出的超结MOSFET的击穿电压不受影响。更重要的是,N点区域增加了位于N点区域下方的P柱的接地电阻,这降低了反向恢复期间非平衡空穴的提取速度。因此,所提出的MOSFET获得了柔软的反向恢复性能。原创 2024-06-11 17:35:25 · 951 阅读 · 0 评论 -
0.18微米 BCD 工艺兼容的准垂直功率 DMOS 器件结构参数对 RON,sp 的影响
定义了SGT-QVDMOS的关键结构参数,包括单元间距、栅槽宽度、栅极宽度、氧化层厚度、体区域深度和掺杂浓度等,这些参数对器件的性能有直接影响。原创 2024-06-11 17:26:53 · 774 阅读 · 0 评论 -
关于Lambert W函数
Lambert W函数被定义为函数w↦wew的多值逆函数。它在纯数学和应用数学中有许多应用,其中一些在此被简要描述。我们提供了一个关于W函数复数分支的新讨论,一个对所有分支都有效的渐近展开式,一个用于任意精度计算该函数的有效数值程序,以及一种用于包含W的表达式符号积分的方法。原创 2024-06-11 17:17:05 · 994 阅读 · 0 评论 -
基于统一二维电子气密度表达式的通用MIS-HEMT紧凑模型
本文提出了一种针对二维电子气(ns)密度和费米能级(E_f)的解析表达式,这些表达式直接依赖于终端偏置,覆盖了强反型、中等反型和亚阈值区域,并且可根据物理参数进行调整。通过与不同器件参数的精确数值解进行比较,验证了该模型的有效性;这些器件的工作区域可能涉及三角阱中最低的两个子带(E0和E1)。基于统一的E_f模型,开发了金属-绝缘体-半导体(MIS)高电子迁移率晶体管(HEMT)的表面势(φs)-基于的漏电流(Ids)模型。原创 2024-06-08 13:19:35 · 1137 阅读 · 0 评论 -
基于电荷的EPFL HEMT模型
提出了一种面向设计的、基于电荷的模型,专门用于描述AlGaAs/GaAs和AlGaN/GaN高迁移率场效应晶体管(HEMT)的直流工作特性。此模型侧重于物理基础,避免了采用经验参数,提高了模型的物理意义和普适性。原创 2024-06-08 12:49:16 · 908 阅读 · 0 评论 -
一种用于异质结高电子迁移率晶体管(HEMTs)的紧凑型漏电流模型,其中包括双子带的二维电子气(2DEG)密度解
本文提出了一种针对异质结高电子迁移率晶体管(HEMTs)的二维电子气(2DEG)电荷密度及费米能级(E)的精确显式近似模型。该模型基于量子阱中薛定谔方程与泊松方程的自洽解,考虑了两个关键能级的影响,并由此得出了一种统一适用所有操作区的表面势计算方法。利用表面势,进一步发展出一个单一的漏电流模型,该模型还通过源/漏接触区电阻的半经验公式描述了电流崩塌效应。与数值及实验数据的对比验证了所提模型在所有操作区均能准确表征Ef和漏电流。原创 2024-06-06 18:00:35 · 972 阅读 · 0 评论 -
通用高电子迁移率晶体管(HEMT)的差分微变解算方案及分析型模型
这篇论文提出了一种AlGaN/GaN和AlGaAs/GaAs基高电子迁移率晶体管(HEMT)的分析型直流模型。该模型考虑了高栅偏压下势垒层中积累的电荷。为了突破准确高效求解模型的瓶颈问题,作者开发了一种改进的差分微变(DM)显式算法,用于求解物理模型中复杂的超越方程,包括三角势阱中两个重要的子带。与现有基于表面势的分析算法相比,DM算法可以量化高阶分量,得到更精确的解。通过与数值结果和实验数据在广泛工作区域的对比验证,证明了该模型结合DM方法有望成为通用异质结HEMT仿真的合适工具。原创 2024-06-05 17:30:10 · 1037 阅读 · 0 评论 -
针对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的显式表面电势计算和紧凑电流模型
在本文中,我们提出了一种新的紧凑模型,用于基于费米能级和表面电位的显式解来描述AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管。该模型计算简单,且在预测表面电位和电流-电压特性方面具有高精度,非常适合电路仿真应用。这种基于表面电位的紧凑模型还考虑了温度依赖的自由载流子迁移率,从而考虑了自加热效应。该模型已经通过数值结果和广泛偏置条件下的测量数据进行了验证。关键词:AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)、漏电流、紧凑模型、自热效应。原创 2024-06-05 10:58:09 · 963 阅读 · 0 评论 -
针对硅基氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN-HEMT)的准物理等效电路模型,包含基板中射频漏电流的温度依赖性
该文章提出了一种针对硅基氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN-HEMT)的准物理等效电路模型,旨在模拟基板中的射频漏电流,并考虑了温度的影响。所提议的模型中,考虑了缓冲层与硅基板界面附近电子和空穴的作用以建模射频漏电流。通过技术计算机辅助设计(TCAD)仿真分析了射频漏电的物理机制,发现当漏极电压较高且温度较高时,射频漏电流会增加;这是因为在低受主浓度的缓冲层与硅基板界面处产生了反型层中的电子。原创 2024-06-02 12:08:49 · 705 阅读 · 0 评论 -
基于物理的分析模型,用于具有场板结构的GaN HEMT的输入、输出及反向电容
该论文提出了一种分析模型,用于描述带有场板结构的常开型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在亚阈值区时的输入、输出及反向电容。此电容模型与现有的输出I-V特性模型相结合,提供了一整套解析方程,将器件的物理设计参数与其电气特性联系起来。该模型通过实验对HEMT的特性进行验证,并且相比于有限元分析(FEA)工具中实现的基于物理的模型,所获得的电容模型复杂度大幅降低,因此更适合于迭代设计优化算法的实施。原创 2024-05-30 21:58:52 · 734 阅读 · 0 评论 -
基于物理的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的紧凑直流和交流模型
一套针对 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的直流和小信号特性的分析模型被提出。改进了转移电子迁移率模型并开发了一种现象学低场迁移率模型。我们计算了通道电荷,考虑了施主的耗尽和 AlGaN 层中自由电子的贡献。栅源极和栅漏极电容是通过分析获得的,并预测了截止频率。这些模型首次被实现到 HSPICE 模拟器中,用于直流、交流和小信号仿真,并通过实验数据进行了验证。设计并通过 HSPICE 模拟了一个高效的 E 类 GaN HEMT 功率放大器,以验证我们模型的适用性。原创 2024-05-24 10:15:05 · 807 阅读 · 0 评论 -
氮化镓垂直单极器件的击穿电压与特定导通电阻解析模型
本文提出了垂直氮化镓单极器件的击穿电压设计参数与最小比导通电阻的解析模型。考虑到以往文献中基于蒙特卡洛仿真和实验所得的碰撞电离系数(IIC)之间存在的差异,本文展示了氮化镓器件在穿通和非穿通条件下的雪崩击穿的解析模型,即击穿电压、漂移区掺杂浓度、漂移厚度与临界电场之间的关系,该模型与数值仿真结果显示出高度的准确性。与已报道的实验结果比较表明,来自Baliga的IIC数据具有相对更高的准确性。原创 2024-05-21 16:28:15 · 479 阅读 · 0 评论 -
新型功率多晶硅/碳化硅异质结隧道晶体管结构的理论与设计
提出了一种新型的4H-碳化硅功率异质结隧道晶体管(4H-SiC power HETT)结构,并通过校准工艺和特性仿真进行了演示。该结构具有低特异导通电阻(RON,sp)1.56 mΩ·cm²、1460 V击穿电压(BV)以及低正向压降(V_F)1.4 V,达到了结势垒肖特基二极管(JBS二极管)的水平。N+型多晶硅(Poly-Si)被用来与4H-SiC外延层形成异质结。由于4H-SiC功率HETT的独特单元结构,单元间距减小到3微米,显著提高了隧道电流密度。原创 2024-05-16 15:46:28 · 917 阅读 · 0 评论 -
一种基于电场连续性的高压MOSFET紧凑模型,用于精确表征电容特性
本文提出了一种新的高压MOSFET(HV MOS)紧凑模型,以消除现有模型中过高电容峰值的问题。与现有的改进电容模型方法相比,所提出的模型不再基于内部MOS和漂移区模型之间的电流连续性,而是基于电场连续性,并考虑了由于屏蔽栅(SG)和接触场板(CFP)引起的漂移区的二维效应。引入了一个新的远离SiO2/Si界面的点Ki,并使用点Ki处的静电势ψKi来替代内部漏极电压VK作为内部MOS的漏极电压,用于计算电流和电荷。原创 2024-05-15 21:00:55 · 1014 阅读 · 0 评论 -
GaN HEMT中短沟道效应的建模
在本文中,我们提出了一种用于估算GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件中短沟道效应(SCEs)的显式和解析的基于电荷的模型。该模型源自洛桑联邦理工学院(École Polytechnique Fédérale de Lausanne,EPFL)HEMT模型的物理电荷基础核心,该模型将HEMT视为广义MOSFET。原创 2024-04-19 16:14:44 · 1067 阅读 · 0 评论 -
基于物理原理的p-GaN HEMT动态导通电阻SPICE建模
这封快报介绍了一种新型基于物理学原理的SPICE建模方法,专门针对氮化镓基p型门极高电子迁移率晶体管(p-GaN HEMT)的动态导通电阻(Ron,dy)。为了描述Ron,dy的连续变化,文中提出了一个时间分辨的电子迁移率变化模型(Δµeff模型)。从p-GaN HEMT中提取出物理参数,包括陷阱的活化能和电压加速因子作为模型参数。接着,为了实现对Ron,dy的模拟目标,将提出的Δµeff模型整合到基于表面势能的GaN HEMT高级SPICE模型中。原创 2024-04-14 21:54:23 · 1091 阅读 · 0 评论 -
基于表面势的增强型p-GaN HEMT器件模型
该模型通过对比分析耗尽型GaN HEMT和增强型p-GaN HEMT的器件结构差异,推导出了描述p-GaN栅结构电压变化的解析公式,并充分考虑了p-GaN栅层的掺杂效应及其物理机制,进一步推导出了栅极电容和栅极电流的解析表达式。文章的结论是,研究团队成功建立了一套基于表面势计算方法的增强型p-GaN HEMT器件模型,该模型综合考虑了p-GaN层的掺杂效应以及肖特基金属/p-GaN结、p-GaN/AlGaN/GaN结构的物理特性,并在此基础上推导出了有关p-GaN栅结构的关键电压解析公式。原创 2024-04-14 20:52:40 · 920 阅读 · 0 评论 -
适用于W波段GaAs开关设计的可扩展p-i-n二极管建模与参数提取技术
本文介绍了一种针对W波段开关设计的基于毫米波GaAs的p-i-n二极管的可扩展建模与参数提取方法。采用基于晶圆上S参数测量的直接提取法,在无需任何去嵌入测试结构的情况下确定了外在和内在模型参数。在开启和关闭偏压条件下,对于基于GaAs的p-i-n二极管,模拟得到的输入反射系数在整个频率范围内与实测数据吻合良好。应用可扩展归一化规则成功设计了W波段p-i-n二极管开关,并在模拟数据与实测数据之间取得了良好的一致性,从而验证了所提出的模型的准确性。关键词:基于GaAs,p-i-n二极管,开关,W波段。原创 2024-04-11 21:52:46 · 683 阅读 · 0 评论 -
GaN肖特基势垒二极管(SBD)的多阴极应用建模与参数提取
详细阐述了外在(extrinsic)和内在(intrinsic)模型参数的可扩展规则。这些规则确保了当二极管的阴极数目发生变化时,相关参数能够按照一定的规律进行调整,从而维持模型的有效性和一致性。原创 2024-04-07 17:17:38 · 962 阅读 · 0 评论 -
一种简单分析的微波MOSFET参数提取方法
一种针对高频小信号MOSFET模型的简单而精确的参数提取方法被提出,该方法包括与衬底相关的参数以及非互易电容。通过对适用于高频操作的MOSFET等效电路提出的线性回归方法进行S参数分析,直接提取每个参数。所提取的结果具有物理意义,并且在无需任何优化的情况下,等效电路的仿真结果与测量数据之间取得了良好的一致性。此外,如栅源电容Cgs和漏源电容Cds等提取出的参数与直流测量值非常吻合。关键词:CMOS、建模、参数提取、微波、小信号等效电路。原创 2024-04-01 16:11:54 · 940 阅读 · 0 评论 -
常关型p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT作为片上电容器的建模与分析
提出了一种精确基于物理的解析模型,用于描述p-GaN栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅电容。该模型在形成泊松方程时考虑了p-GaN帽层中受主的不完全离子化以及Mg受主向AlGaN势垒层的外扩散,该方程与AlGaN/GaN量子阱中的电荷方程一起求解。该模型在宽偏置范围内得到了验证,与实验结果显示出良好的一致性。还使用该模型分析了单个设备参数对电容-电压(C-V)特性的影响。此外还提出了一个简化等效电路模型,以直观解释这些通常关断型器件的C-V特性。原创 2024-03-30 22:38:44 · 894 阅读 · 0 评论 -
鲁棒的基于表面势的GaN HEMT集成电路紧凑模型
综上所述,文章提出了一种基于表面势的新型GaN HEMT紧凑模型,该模型在精度、正确物理行为以及模型收敛性方面都表现出了优越性能,为GaN HEMT基集成电路的精确和鲁棒设计提供了有力支持。原创 2024-03-20 10:07:35 · 960 阅读 · 0 评论 -
分析基于解析物理模型的E模式p沟道GaN高电子迁移率晶体管(H-FETs)
随着近期对用于GaN互补技术集成电路(ICs)开发的p沟道GaN器件研究兴趣的激增,一套全面的模型对于加速器件设计至关重要。本文提出了一种解析模型,用于理解GaN p沟道场效应晶体管(p-FET)的电流-电压(I-V)特性。该模型基于基于物理的静电学表达式,自洽求解薛定谔-泊松方程,并结合费米-狄拉克统计以及二维电子气(2DHG)的二维态密度(2D-DOS)。此外,该模型还利用漂移-扩散机制来描述空穴传输,并通过涵盖增强模式和耗尽模式GaN p-FET的实验数据进行了验证。原创 2024-03-13 15:02:05 · 1312 阅读 · 1 评论 -
GaN HEMTs在电力电子应用中的交叉耦合与基板电容分析与建模
本文提出了一种考虑了基板电容与场板之间交叉耦合效应的场板AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)电容模型。通过进行TCAD模拟,分析了这两种贡献,并基于现有的基于表面势模型给出了与交叉耦合和基板电容对应的电量的解析表达式。通过对测试电路采用混合模式仿真设置下的时域波形进行比较,验证了该模型化结果的准确性,并讨论了交叉耦合和基板电容对模型预测开关瞬态特性精度的影响。关键词:电容、交叉耦合、GaN HEMTs、混合模式、基板、开关。原创 2024-03-13 10:45:43 · 1250 阅读 · 0 评论 -
双场板功率型GaN HEMT中用于精确开关行为的电容建模
本文提出了一种基于表面电势的紧凑模型,用于描述具有栅极和源极场板(FP)结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的电容特性。在HEMT中引入FP可以改善击穿电压、降低栅极漏电流等性能,但同时也会影响器件的电容性质,特别是在亚阈值工作区域产生栅极与漏极之间的反馈米勒电容以及漏极与源极之间的电容,从而影响开关特性。本文建立的终端电容随偏压变化的模型中,用于推导电容所需的内在电荷表达式是基于物理原理且解析形式的,并适用于器件所有工作区域。原创 2024-03-12 21:01:04 · 1334 阅读 · 0 评论 -
GaN建模:强大但富有挑战性
这篇文章主要研究了氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMTs)的建模问题。GaN HEMTs是微波频段高功率发射器设计中的关键技术,它们具有高击穿电压能力、高电流能力和良好的热导率,这使得它们在功率密度上比基于砷化镓(GaAs)的设备有了显著提升。文章讨论了GaN HEMTs在高频高功率操作中的独特行为,特别是陷阱效应和电流膝部崩溃,这些效应在GaN器件中比GaAs基HEMTs更为显著。文章的重点在于提高GaN HEMTs的非线性模型的准确性,以便更好地利用这些器件在高效率和高功率操作方面的性能优势。原创 2024-02-28 21:01:57 · 838 阅读 · 0 评论 -
高温应用中GaN HEMT大信号建模的ASM-HEMT
本文报道了一种用于模拟高温环境下氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的温度依赖性ASM-HEMT模型。我们对标准ASM-HEMT模型进行了改进,以准确捕捉在不同热板温度下收集到的直流和射频测量数据。文中报告了多个验证模型有效性的结果,包括直流-电压、脉冲-电压、散射参数以及负载牵引测量等。然后,利用该模型将GaN HEMT的性能外推至其验证时工作温度的两倍。这项研究对于理解和模拟高温环境应用中的GaN HEMT具有实用性。关键词:氮化镓、高电子迁移率晶体管、高温、ASM-HEMT、负载牵引。原创 2024-02-25 12:04:27 · 1117 阅读 · 0 评论 -
ASM-HEMT模型中的射频参数提取
通过使用正确的寄生网络,可以从测量数据和Y参数的虚部中观察到栅源、栅漏和漏源电容。第三层则是源通孔、栅极和漏极汇流条的寄生元件。第三层的寄生效应可以通过集总元件网络建模,也可以直接使用电磁仿真得到的S2P文件对该区域进行建模。接下来,针对Cgd随Vds特性的调整,可以使用CGDL参数控制Cgd随着Vds增加而减小的情况。小信号gm和gds在不同偏置条件下的表现直接来源于已建模的I-V特性,在低频情况下能较准确地接近实测数据。在更高频率下,由于自热导致的gm和gds的频率依赖性可以通过CTH0参数进行调整。原创 2024-02-24 21:16:36 · 521 阅读 · 0 评论 -
一种新型的AlGaN/GaN HEMTs小信号建模与参数提取方法
摘要本文提出了一种新型的用于GaN HEMTs(氮化镓高电子迁移率晶体管)的小信号等效电路,包含20个元件,并相应地开发了一种直接提取方法。与基于GaAs的传统16元件HEMT小信号模型(SSM)相比,新模型考虑了两个额外的寄生分布式电极间外在电容以及两个附加反馈内在电阻。通过对宽频率和偏置范围内的模拟小信号S参数与实测数据进行对比验证了该新型GaN HEMTs建模方法。关键词:GaN HEMT;建模;参数提取;误差分析。原创 2024-02-24 20:38:57 · 1096 阅读 · 0 评论 -
一种确定FET小信号等效电路的新方法
摘要 - 提出了一种确定FET(场效应晶体管)小信号等效电路的新方法。该方法包括在低频段直接测定器件的外在和内在小信号参数。这种方法快速且精确,所确定的等效电路能够很好地拟合S参数直至26.5 GHz的频率范围。原创 2024-02-24 18:28:23 · 775 阅读 · 0 评论 -
关于FET等效电路电容模型中的能量非守恒问题
摘要——本文回答了长期以来关于如何在场效应晶体管(FET)等效电路模型中非互易电容形式与能量守恒原理之间达成调和的问题。通过对模拟和测量数据的观察可知,C(v)矩阵的非互易性并非源于能量非保守电容系统,而是由于使用标准π等效电路拟合测量所得的Y参数而导致的附带效应。在本文中,我们展示了在FET的局部空间点上用于表示其沟道的导电和电容元件如何因Y参数的公式化而在外部混合在一起。因此,从FET等效电路模型提取的非线性电容并非应遵循能量守恒原理的实际电容元件。原创 2024-01-17 19:23:21 · 984 阅读 · 0 评论 -
基于深度学习的ASM-HEMT I-V参数提取
摘要 — 首次提出了一种快速而准确的基于深度学习(DL)的ASM-HEMT I-V模型参数提取方法。DL基于提取从蒙特卡洛模拟生成的120k个训练数据集,包含3.74亿个I-V数据点。训练数据集通过蒙特卡洛模拟生成。通过典型的GaN制造过程成功建模了114个GaN HEMTs。预测的参数与I-V数据非常吻合。此外,关键电气参数(如截至电压、线性条件电流和最大电流)的均方根误差分别为2.2%、17.6%和2.4%。该方法已经验证适用于不同尺寸的多个GaN HEMTs。原创 2024-01-01 20:45:36 · 1016 阅读 · 0 评论 -
ASM GaN: 行业硅基氮化镓射频和功率设备标准模型—第一部分:直流、CV和射频模型
本文介绍了GaN(氮化镓)HEMT(高电子迁移率晶体管)的先进SPICE模型(ASM GaN)的最新发展。ASM GaN模型最近被选为GaN射频(RF)和功率器件的工业标准紧凑模型。本文介绍了该模型中的核心表面电势计算和真实器件效应建模。我们讨论了非线性通道区模型的细节,并对包括对垒厚度物理依赖性的增强进行了介绍。我们还介绍了可配置场板建模的新颖模型特性,并讨论了相应的提取过程。还展示了在高频和增强模式GaN功率器件上使用ASM GaN模型的新结果。原创 2023-12-28 11:39:49 · 1245 阅读 · 0 评论 -
GaN HEMT的大信号(RF PA)性能
使用 TCAD 提取的 I-V 和 C-V 曲线族,结合 Keysight 的 IC-CAP 器件建模套件和先进SPICE模型用于高电子迁移率晶体管 (ASMHEMT) 模型卡,提取 HEMT 模型卡。此外,模型卡提取的 S 参数也与 TCAD 提取的 S 参数相匹配。完成直流、C-V 和 S 参数匹配后,使用 Keysight 的 Advanced Design System (ADS) 对工作于 AB 类偏置的功率放大器进行负载拉动模拟。原创 2023-12-25 20:16:23 · 1049 阅读 · 0 评论 -
在金属/绝缘体/p-GaN栅极高电子迁移率晶体管中同时实现大的栅压摆幅和增强的阈值电压稳定性
对于增强型GaN功率晶体管的发展,栅压摆幅和阈值电压稳定性通常是互相排斥的。本文展示了一种具有内置p-GaN电位稳定器(PPS)的金属/绝缘体/p-GaN栅极高电子迁移率晶体管(MIP-HEMT),能够同时实现大的栅压摆幅和增强的阈值电压稳定性。MIP栅结构将栅压摆幅扩大到19.5V,并作为一个交流耦合电容器(常用于栅驱动器中,以加快欧姆型p-GaN栅极高电子迁移率晶体管的开关速度)。PPS由两个D型HEMT并联在金属栅和p-GaN栅之间组成。原创 2023-12-17 21:26:36 · 1407 阅读 · 0 评论 -
基于物理的AlGaN/GaN HEMT器件2DEG电荷密度分析模型(文献阅读)
摘要—在本文中,我们提出了一个基于物理的解析模型,用于描述AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中的二维电子气密度ns。所提出的模型考虑了费米能级Ef和ns之间的相互依赖关系。该模型通过考虑Ef、第一能带E0、第二能带E1以及ns随着栅极电压Vg的变化而进行了建模。所提出的模型与数值计算非常吻合。关键词—AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT),解析模型,二维电子气(2DEG)电荷密度。原创 2023-12-12 15:31:35 · 1143 阅读 · 0 评论