一种简单分析的微波MOSFET参数提取方法

来源：A Simple and Analytical Parameter-Extraction Method of a Microwave MOSFET（TMTT 02年）

摘要

一种针对高频小信号MOSFET模型的简单而精确的参数提取方法被提出，该方法包括与衬底相关的参数以及非互易电容。通过对适用于高频操作的MOSFET等效电路提出的线性回归方法进行S参数分析，直接提取每个参数。所提取的结果具有物理意义，并且在无需任何优化的情况下，等效电路的仿真结果与测量数据之间取得了良好的一致性。此外，如栅源电容$C_{gs}$和漏源电容$C_{ds}$等提取出的参数与直流测量值非常吻合。

关键词：CMOS、建模、参数提取、微波、小信号等效电路

文章的研究内容

文章的研究内容是提出了一种简单且分析性的参数提取方法，用于高频小信号MOSFET模型，包括与衬底相关的参数和非互易电容器。这种方法通过线性回归方法直接提取每个参数，并在提出的MOSFET等效电路上进行参数分析，以适应高频操作。研究的重点是基于物理的小信号等效电路和精确的参数提取方法。
通过测量数据，无需优化即可在等效电路的模拟结果与测量数据之间获得很好的一致性。此外，提取的参数（如gm和gd）与直流测量获得的参数非常吻合。
文章还讨论了在高频下，没有非互易栅漏电容，就无法同时准确建模Y21和Y22参数。在四端模型中，可以通过包含其他非互易电容器来扩展类似的方法。文章还提到了有效栅电阻的表示，它由分布式通道电阻和栅电极电阻组成，并在等效电路中用单一的有效集总栅电阻来近似。
文章通过实验验证了所提出的参数提取方法，并将其应用于由0.35微米技术制造的多指n-MOSFETs。通过使用射频探针和HP 8510C矢量网络分析仪，在共源-衬底配置下测量S参数。在提取过程之前，需要移除输入和输出垫片的寄生分量。通过减去测量设备和开垫结构的S参数来执行去嵌入技术。
最后，文章总结了提取参数的平均值，并展示了所提出模型的模拟结果与测量数据之间的比较，证明了所提出模型的准确性和可靠性。此外，还讨论了提取的小信号参数对栅压和漏压的依赖性，以及与直流测量结果的一致性。

文章的研究方法

文章提出的研究方法是一种简单且分析性的参数提取方法，用于高频小信号MOSFET模型。这个方法包括以下几个关键步骤：

1. 提出等效电路模型：文章首先提出了一个基于物理的小信号等效电路模型，该模型包括非互易电容器和与衬底相关的参数。这个模型适用于零源极偏置的电路情况，并且考虑了衬底寄生效应和非互易性。

2. 线性回归方法：通过线性回归方法直接提取等效电路中的每个参数。这种方法不需要复杂的优化过程，可以直接从测量的S参数中提取出物理意义明确的参数。

3. 参数分析：通过对提出的MOSFET等效电路进行参数分析，使用测量的S参数数据来确定电路中的各个参数。这包括使用S参数的实部和虚部来推导出等效电路中各个组件的值。

4. 实验验证：使用特定的实验设置，包括使用射频探针和矢量网络分析仪测量S参数，以及执行去嵌入技术来移除输入和输出垫片的寄生分量。然后，应用所提出的参数提取方法来确定测试设备的参数。

5. 结果比较：将提取的参数和等效电路的模拟结果与测量数据进行比较，以验证提取方法的准确性和可靠性。文章还比较了所提出模型与BSIM3v3模型的准确性，以展示所提出方法的优势。

6. 参数的频率和偏置依赖性分析：文章还分析了提取的小信号参数如何随栅压和漏压变化，以及这些参数与直流测量结果的一致性，从而进一步验证了提取方法的有效性。

文章提出的研究方法是一种结合理论模型、数学分析和实验验证的综合方法，旨在为高频MOSFET模型提供一个准确且易于提取的参数提取方案。

文章的创新点

1. 新的参数提取方法：文章提出了一种新的、简单且直接的参数提取方法，用于高频小信号MOSFET模型。这种方法通过线性回归分析直接从等效电路中提取参数，无需进行复杂的优化过程，这在当时是一个创新点。

2. 包括衬底相关参数和非互易电容器：与传统的小信号模型相比，文章提出的模型考虑了与衬底相关的参数和非互易电容器，这些都是在高频操作下对MOSFET性能有重要影响的因素。这种全面的模型能够更准确地描述MOSFET在高频应用中的行为。

3. 物理意义明确的参数：通过所提出的方法提取的参数具有明确的物理意义，这有助于理解器件的工作原理和行为。这一点对于电路设计师来说非常重要，因为它可以帮助他们更好地预测和优化电路性能。

4. 无需优化的一致性验证：文章展示了使用所提出的方法提取的参数在等效电路模拟和测量数据之间能够获得很好的一致性，而且无需任何优化。这表明了该方法的准确性和可靠性。

5. 高频应用的适用性：文章验证了所提出方法在高达10 GHz的频率范围内的有效性，这对于高频应用（如无线通信和雷达系统）是非常重要的。

6. 与直流测量结果的匹配：文章还证明了所提取的参数与直流测量结果之间的良好匹配，这进一步证实了提取方法的准确性，并表明该方法可以作为优化过程的初始步骤。

7. 参数的频率和偏置依赖性分析：文章提供了对提取参数随栅压和漏压变化的详细分析，这有助于理解器件在不同工作条件下的行为，对于电路设计和优化具有重要意义。

文章的创新之处在于提出了一种新的、简单且准确的参数提取方法，该方法能够为高频MOSFET模型提供全面的参数描述，并且这些参数与实际测量数据具有很好的一致性，无需进一步优化。这对于高频电路的设计和分析具有重要的实际意义。

文章的结论

1. 准确性和可靠性：所提出的直接提取方法能够获得物理意义明确的高频小信号参数，并且在等效电路的模拟结果与测量数据之间取得了良好的一致性，无需任何优化。这证明了所提出方法的准确性和可靠性。

2. 参数与直流测量的一致性：提取的参数，如跨导（gm）和输出电导（gd），与通过直流测量获得的参数非常吻合。这进一步验证了提取方法的有效性，并表明该方法可以作为优化过程的初始步骤。

3. 非互易电容器的重要性：文章强调了非互易电容器在准确建模高频MOSFET中的重要性。没有这些组件，就无法同时准确建模Y21和Y22参数。这表明了在高频模型中考虑非互易性的必要性。

4. 模型的适用性：所提出的模型适用于高频操作，并且适用于零源极偏置的电路情况。这对于高频应用中的MOSFET建模和参数提取具有重要意义。

5. 参数提取方法的普适性：文章提出的方法不仅适用于所研究的特定MOSFET结构，而且可以推广到其他类型的高频MOSFETs，表明了该方法的普适性。

6. 对高频电路设计的贡献：通过提供一种准确的参数提取方法，文章为高频电路设计和优化提供了有力的工具。这对于提高电路性能和降低设计复杂性具有重要的实际意义。

文章的结论强调了所提出方法的有效性、准确性和可靠性，并指出了该方法在高频MOSFET模型参数提取中的应用价值和对电路设计的潜在贡献。