一种提供改进的通道迁移率和高可靠性的SiC沟槽MOSFET概念

来源：A SiC Trench MOSFET concept offering improved channel mobility and high reliability（2017 19th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE’17 ECCE Europe)）

摘要

这项工作讨论了与硅基同类产品相比，在设计SiC功率MOSFET时面临的挑战，并介绍了一种新型的SiC沟槽MOSFET概念。最突出的困难与通道和栅极绝缘体的特性及其界面有关。简要讨论了实现SiC MOSFET的不同方法，并介绍了CoolSiC^TM MOSFET概念，该概念平衡了低导通损耗和类似IGBT的可靠性。长期的栅极氧化层测试表明，在规定的工业应用使用条件下，预期的外在失效率可以自信地预测为每颗芯片在20年内少于1 FIT。

文章的研究内容

这篇题为"A SiC Trench MOSFET concept offering improved channel mobility and high reliability"的研究论文主要关注于一种新型碳化硅(SiC)槽道MOSFET设计的开发和分析。该设计旨在提高通道迁移率和器件可靠性,这些是功率MOSFET性能的关键因素。

主要研究内容如下:

1. 提高通道迁移率:

   • 论文探讨了提高SiC槽道MOSFET通道迁移率的方法。较高的通道迁移率可以降低导通电阻,提高功率应用的效率。

2. 提高可靠性:

   • 该设计解决了常见的SiC MOSFET可靠性问题。包括采取策略来减轻高电场的影响,并提高器件的长期稳定性。

3. 设计和制造:

   • 论文详细描述了槽道结构设计和制造工艺,包括材料选择和制造的具体步骤。

4. 性能评估:

   • 论文提供了实验结果和模拟数据,展示了新设计的性能改善。分析了关键指标如导通电阻、阈值电压和击穿电压。

5. 比较分析:

   • 将新型槽道概念与现有的SiC MOSFET设计进行对比,阐述了新设计的优势,以及如何克服前代设计的局限性。

6. 应用领域:

   • 讨论了改进的SiC槽道MOSFET在高功率和高温环境中的潜在应用,这是传统硅基MOSFET可能无法很好满足的领域。

文章的研究方法

这篇题为"A SiC Trench MOSFET concept offering improved channel mobility and high reliability"的研究论文采用了以下研究方法:

1. 设计和仿真:

   • 研究人员使用仿真工具设计了一种新型的SiC槽道MOSFET结构,优化了槽道几何形状和掺杂概况。进行了各种仿真,研究电场分布、载流子迁移率等关键参数。

2. 制造工艺:

   • 采用先进的半导体加工技术制造了SiC槽道MOSFET。制造过程包括多个步骤,如槽道蚀刻、栅极氧化膜形成和掺杂等。

3. 表征和测试:

   • 制造完成后,对器件进行一系列电气测试,测量其性能指标。包括导通电阻、阈值电压和击穿电压等关键参数的评估。同时也进行了可靠性测试,评估器件的长期稳定性。

4. 比较分析:

   • 将新型SiC槽道MOSFET的结果与传统设计进行比较,以突出改进之处。这种比较分析有助于证明新概念在通道迁移率和可靠性方面的优势。

5. 数据分析:

   • 对仿真和实验测试收集的数据进行分析,得出新设计有效性的结论。使用统计方法和比较指标量化性能的改善情况。

文章的创新点

1. 提高沟道迁移率:

   • 研究提出了一种新型的SiC Trench MOSFET设计，通过优化沟槽几何结构和掺杂剖面来提高沟道迁移率。这种改进有助于降低导通电阻，提升器件效率。

2. 增强可靠性:

   • 该设计在解决SiC MOSFET常见的可靠性问题上具有创新性。具体方法包括减小高电场效应和提高器件的长期稳定性。

3. 先进的沟槽结构设计:

   • 文章详细介绍了一种新型的沟槽结构，该结构能够有效降低器件的开启电压和导通电阻，同时提高击穿电压。

4. 制造工艺改进:

   • 在制造工艺上，研究团队采用了多步先进的半导体加工技术，以确保器件的高性能和可靠性。这包括沟槽刻蚀、栅氧化物形成和掺杂离子的精确植入。

5. 综合性能提升:

   • 实验结果和仿真数据表明，新型SiC Trench MOSFET在关键性能指标上有显著提升，如导通电阻、阈值电压和击穿电压等。

6. 对比分析:

   • 研究将新设计与传统SiC MOSFET进行了对比，突出显示了新设计在沟道迁移率和可靠性方面的优势，从而证明了其在高功率和高温环境中的潜在应用价值。

文章的结论

1. 性能提升:

   • 通过优化SiC Trench MOSFET的沟槽结构和掺杂剖面，新设计显著提高了沟道迁移率，降低了导通电阻，并提高了器件的整体性能。

2. 高可靠性:

   • 新设计有效减小了高电场对器件的影响，提高了MOSFET的长期稳定性和可靠性，适用于高温高压环境下的应用。

3. 实验验证:

   • 实验数据和仿真结果均表明，新型SiC Trench MOSFET在关键性能指标上优于传统设计，验证了其在高功率和高温应用中的潜在优势。

4. 应用前景:

   • 由于其高效能和高可靠性，新型SiC Trench MOSFET在电动汽车、电力电子和高温电子设备等领域具有广阔的应用前景。