为什么半导体器件温度升高，MOSFET的电阻会变大，而三极管（BJT）的电阻会变小

半导体器件中温度对电阻的影响与材料的特性和载流子行为有关。

MOSFET

对于MOSFET（尤其是NMOS），温度升高会导致电阻增大，主要原因是：

1. 载流子迁移率降低：温度升高时，半导体晶格中的原子振动加剧，导致电子和空穴的散射增加，从而降低了载流子的迁移率。这会增加沟道的电阻。

2. 阈值电压变化：温度升高可能导致阈值电压略有减小，但载流子迁移率的降低效应更显著，导致总的导通电阻增大。

三极管

对于双极型晶体管（BJT），温度升高会导致电阻减小，原因是：

1. 载流子浓度增加：温度升高时，半导体的本征载流子浓度增加。这加强了基极-发射极之间的电流流动，从而增强了放大效应。

2. β值增加：温度升高可能导致三极管的电流增益（β）增加，这意味着在相同的基极电流下，集电极电流增加，表现为更低的“等效电阻”。

不同器件对温度的响应取决于其内在工作机制和载流子的行为。MOSFET受迁移率影响较大，而BJT受载流子浓度和增益变化影响更大。

MOSFET和BJT在温度变化时，确实都受到载流子浓度和迁移率的影响，但它们在各自的工作机制中表现出的显著影响不同。

MOSFET

• 载流子浓度：MOSFET中，主要受控于栅极电压诱导的沟道电荷密度，温度对本征载流子浓度的影响相对较小。
• 迁移率：对MOSFET的导通特性影响较大，温度升高时迁移率降低，从而增加沟道电阻。

三极管 (BJT)

• 迁移率：虽然迁移率也会受到影响，但BJT的特性更强烈地受载流子浓度的影响。
• 载流子浓度：温度升高时，载流子浓度增加，导致基极电流和集电极电流增加，使得放大效应更明显。

因此，虽然两者都受到这两个因素的影响，但在各自器件中，特定因素的影响更为显著。MOSFET主要表现为迁移率的影响，而BJT主要表现为载流子浓度的影响。