上节,我们讲诉了一下SiC的优良品质,详见文章:
这一节,我们来详细刨析,SiC晶圆的制造工艺,SiC晶圆与Si晶圆的制造工艺大不相同,Si晶圆制造一般以CZ法为主,在之前的文章中,我们介绍了Si晶圆的制造工艺,详见文章:
SiC晶圆衬底类型介绍?
尺寸
主流为4,6inch(直径150mm)。有一些厂商正在进行8英寸(200毫米)SiC晶圆的开发和试验生产,但是从 150 毫米扩大到 200 毫米,这是一项具有挑战性的任务,因为新扩大的区域很容易形成更多缺陷。
晶向
对于4H-SiC和6H-SiC这两种最常用的多晶形式,常见的晶向有:
<0001> 又叫做Si面,<000 -1> 或又叫做 C面,等
Si面和C面的性质差异通常会导致在这两种表面上制造的器件有不同的特性。
掺杂类型
在SiC中,两种最常见的掺杂类型是n型和p型。
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n型掺杂 :主要掺杂原子:氮 (N)
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p型掺杂 :主要掺杂原子:铝 (Al)、硼 (B)或镓 (Ga)
SiC的生长工艺
首先,通过物理气相传输(PVT,即Lely法)生长SiC单晶。SiC的PVT生长过程主要使用一个专用的PVT炉,这种炉子具有能够提供极高温度(通常在2000-2500°C之间)的加热元件,并且要能保持低压。在PVT炉中,粉末形式的SiC被放置在加热区,种晶则被放置在稍低温度的生长区。当加热,SiC粉末蒸发并沉积在种晶上,形成SiC晶体。
由于对SiC材料不同的电性能需求,在PVT法中则需要精确进行掺杂工序。SiC的掺杂是通过在生长过程中直接向石墨坩埚内添加掺杂剂实现的。掺杂可以改变SiC的导电性,使其成为n型或p型半导体。由于高温的存在,掺杂剂原子会取代SiC晶体中的某些位点(对于n型,替代碳位置;对于p型,替代硅位置)。
其次,使用多线切割设备将SC晶体切割成厚度不超过1毫米的薄片。
第三,通过不同粒度的金刚石研磨液将晶片研磨至所需的平整度和粗糙度。
第四,对SiC晶圆进行机械抛光和化学机械抛光,得到镜面SiC抛光晶圆。
第五,利用光学显微镜等仪器检测SC晶圆的表面粗糙度、电阻率、翘曲、TTV、表面划痕等参数。
最后,用清洗剂和纯水清洗SiC抛光晶圆,去除抛光液等表面污染物,然后用超高纯氮气和干燥机对晶片进行干燥。
SiC晶圆制造工艺难点
尽管PVT方法等技术已经实现了SiC的单晶生长,但要生长高质量、大尺寸的SiC晶体仍然具有挑战性。
SiC晶体常常包含微观缺陷,如螺旋位错、双位错等,这些缺陷在后续的芯片制程中可能会降低性能。
由于SiC的高硬度,其晶体的切割和抛光比传统的硅处理要困难得多,需要特殊的工具和技术。
等等
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