为什么高深宽比的结构工艺难度更大？

知识星球（星球名：芯片制造与封测社区，星球号：63559049）里的学员问：在TSV工序中，常会提到高深宽比的通孔，高深宽比指的是什么？为什么深宽比越高，填充的难度越大？什么是通孔的深宽比？
深宽比 = 通孔的深度 / 通孔的直径。比如我们要制作的通孔的直径为20um，深度为100um，那么该孔的深宽比为：100/20=5:1我们常说的高深宽比指的是深宽比的比值较大，一般在5：1以上。高深宽比带来哪些问题？
高深宽比的结构加工难度更高：1，在电镀、化学气相沉积（CVD）或物理气相沉积（PVD）等填充过程中，高深宽比的结构更容易出现空隙。2，在干法蚀刻工序中，气体和副产物的运输效率在深孔结构中降低，导致蚀刻速率不均，底部蚀刻不足等问题。3，匀胶，曝光，显影工序难度更大。
哪些芯片产品有高深宽比的结构？1，TSV(硅通孔),TGV（玻璃通孔）2，FinFET（鳍式场效应晶体管），鳍的深宽比非常高。3，存储芯片的深槽隔离4，MEMS的某些微结构5，微流控芯片等等欢迎加入我的半导体制造知识社区，答疑解惑，上千个半导体行业资料共享，内容比文章丰富很多很多，适合快速提升个人能力，介绍如下：》