激光全切与隐切有什么不同？

            知识星球的学员问：晶圆的激光划片中，一般听的比较多的是激光隐切，有没有激光全切呢？这两种方式有什么差别？各有哪些应用场景？

什么是激光全切与隐切？

激光全切（下图），Laser full cut，也可叫Ablation，短脉冲激光照射晶圆表面，激光将材料从固态直接转变为气态，从而去除材料。

激光隐切（下图），Stealth Dicing，将激光聚焦在晶圆内部，在不破坏表面形貌的情况下，在晶圆内部形成一个改质层，改质层中的材质由于受到激光的照射，性质发生了变化。之后会在外力作用下，沿着SD layer将晶圆分割为一粒粒的芯片。

激光全切与隐切的各自特点？

激光全切优点：切割速度快；适用于各种厚度的晶圆；无需后续机械分割

激光全切缺点：晶圆表面会被损伤；颗粒污染严重；热应力与机械应力大

激光隐切优点：表面无损伤；切割应力小，适合较薄或脆的材质。

激光隐切缺点：切割速度慢；后续还需扩膜工艺使晶圆裂解。

激光隐切与全切的应用场景？

1. 激光全切

常用于以下材料：硅，锗，金属衬底，碳化硅（SiC），砷化镓（GaAs），DAF 膜

芯片产品：太阳能电池，LED，功率器件，射频器件，NAND Flash

2，激光隐切

常用于以下材料：硅，蓝宝石，碳化硅

芯片产品：MEMS，RFID，LED，功率器件