瞬态抑制二极管（TVS）工作原理、特性参数、封装形式

瞬态抑制二极管工作原理

瞬态抑制TVS二极管是采用半导体工艺制成的单个PN结或多个PN结集成的高效能防浪涌过电压器件。瞬变抑制二极管有单向与双向之分，单向TVS一般应用于直流供电电路，双向TVS二极管应用于电压交变的电路。当应用于直流电路时，单向TVS二极管反向并联于电路中，当电路正常工作时，TVS二极管处于截止状态（高阻态），不影响电路正常工作。当电路出现异常过电压并达到TVS二极管击穿电压时，TVS二极管迅速由高电阻状态突变为低电阻状态，泄放由异常过电压导致的瞬时过电流到地，同时把异常过电压钳制在较低的水平，从而保护后级电路免遭异常过电压的损坏。当异常过电压消失后，瞬变抑制TVS二极管阻值又恢复为高阻态。 

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瞬态抑制二极管参数

1）反向工作电压（Peak Reverse Working Voltage）：TVS在这个工作电压下，是不工作的，即高阻抗状态，其对应的漏电流也是很小的，如：SM8S33A在工作电压33V以下，其漏电流10uA，功耗基本可以忽略不计。需要注意的是，瞬态抑制二极管的工作电压要大于电路中的工作电压，否则会干扰抑制，或损耗很大。

2）漏电流（Reverse Leakage Current）：TVS二极管在反向工作电压下流过的电流，电流值非常小，也叫待机电流。

3）击穿电压（Breakdown Voltage）：在测试电流下，TVS二极管反向导通时的两端电压。测试时，时间要控制在400ms以下，避免TVS受热损坏。测量时，击穿电压落在最小击穿电压和最大击穿电压之间都是正常的。

4）钳位电压（Clamping Voltage）：施加规定波形的峰值脉冲电流下，TVS管两端测得的峰值电压。TVS的箝位电压要小于后级被保护电路最大可承受的瞬态安全电压。在相同IPP下，钳位电压越小，说明TVS的钳位特性越优秀。

5） 脉冲峰值电流IPP：参数IPP表示瞬态抑制二极管能够承受的脉冲峰值电流。它指的是瞬态抑制二极管在受到电压脉冲冲击时，能够瞬时承受的最大电流。IPP通常以安培（A）为单位，并且其数值取决于具体的瞬态抑制二极管型号和规格。

瞬态抑制TVS二极管特性

• 采用半导体工艺制成、高可靠性、无损坏极限；
• 玻璃钝化工艺、精准的导通电压；
• 瞬态功率大，低电容、低漏电流，箝位电压易控制；
• 快速响应时间：通常小于1.0PS；
• 优良的钳位能力，击穿电压偏差小；
• 电压精度高，在特殊应用场合，通过工艺或参数筛选可达到更高的精度；
• 体积小，易安装；
• 单向和双向单元；
• 在 10/1000μs波形下瞬态功率可达200W-30000W，甚至更高；
• 工作电压范围3.3V~600V，甚至更高；
• 封装形式多样化，贴片封装：SOD-123、SMA /DO-214AC、SMB/DO-214AA、SMC/DO-214AB、DO-218AB等，直插封装：DO-41、DO-15、DO-201、R/P-600等；
• 无卤化，符合RoHS；

瞬态抑制TVS二极管封装

1） DO-218AB封装：SM5S系列（3600W）、SM6S系列（4600W）、SM8S系列（6600W）、SM8SxxCA系列（6600W）、SM8T系列（6600W）；
2） SMA/DO-214AC封装：SMAJ系列（400W）、P4SMA系列（400W）、TPSMAJ系列（400W）、SMA6J系列（600W）、TPSMA系列（400W）；
3） SMB/DO-214AA封装：SMBJ系列（600W）、P6SMB系列（600W）、TPSMBJ系列（600W）、SMB10J系列（1000W）、TPSMB系列（600W）；
4） SMC/DO-214AB封装：1.5SMC系列（1500W）、SMCJ系列（1500W）、TPSMCJ系列（1500W）、SMDJ系列（3000W）、TPSMDJ系列（3000W）、5.0SMDJ系列（5000W）、TP5.0SMDJ系列（3000W）、TPSMC系列（1500W）；
5）SOD-123封装：SMF系列（200W）、TPSMF系列（200W）、SMF4L系列（400W）、SMF3.3A（200W）；
6） DO-41封装：P4KE系列（400W）；
7）DO-15封装：P6KE系列（600W）；
8）DO-201封装：1.5KE系列（1500W）；
9） R-6/P600封装：3KP系列（3000W）、5KP系列（5000W）、LDP系列（6000W）、15KP系列（15000W）、30KP系列（30000W）；
10）NA封装：蓝宝宝浪涌抑制器KA系列；

原文链接：https://blog.csdn.net/DOWOSEMI13/article/details/118356590