电路基础（2）——mos管工作原理

目录

一、场效应管简述

二、场效应管常用范围

三、场效应管导电沟道的形成

四、PMOS与NMOS的区别

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一、场效应管简述

        效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.

特点:
       具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.

二、场效应管常用范围

1. 场效应管可应用于放大。
2. 场效应管可以用作电子开关。
3. 场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换，常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
4. 场效应管可以用作可变电阻。
5. 场效应管可以方便地用作恒流源等。

三、场效应管导电沟道的形成

NMOS导电沟道的形成：

当vGS达到某一数值时，电子在栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层，且与两个N+区相连通，在漏——源极间形成N型导电沟道。vGS越大，作用于半导体表面的电场就越强，吸引到P衬底表面的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。
即当vGS≥VT时，导电沟道形成。

PMOS与NMOS相反，Vgs小于一定的值就会导通。

四、PMOS与NMOS的区别

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

思考：

如何使用NMOS与PMOS管做一个12V IO输出控制电路

要求，输出信号IO_12V
          
          IO可输出高电平或低电平