模拟CMOS集成电路设计入门学习(14)

有源电流镜

(1)小信号增益

 分析上图所示差动放大器的小信号增益A_{v}

方法一:

因为A_{v}=G_{m}R_{out},由下图可得:G_{m}=I_{out}/V_{in}=(g_{m1}V_{in}/2)/V_{in}=g_{m1}/2

 我们只需再计算出R_{out}即可。

 M2受到M1的源级输出阻抗1/g_{m1}的负反馈,因此等效的输出阻抗等于,(1+g_{m2}r_{o2})\frac{1}{g_{m1}}+r_{o2}=2r_{o2}+\frac{1}{g_{m1}}\approx 2r_{o2}

{公式:源端带负载,从漏端看进去的等效输出阻抗=[1+(g_{m}+g_{mb}r_{o})]R_{S}+r_{o},这里忽略了体效应}

从而·,R_{out}\approx (2r_{o2})||r_{o4}

所以|A_{v}|\approx \frac{g_{m1}}{2}[(2r_{o2})||r_{o4}]

{如果r_{o4}\rightarrow \infty,则A_{v}\rightarrow g_{m1}r_{o2}}

方法二:

先分别计算出\frac{V_{P}}{V_{in}}\frac{V_{out}}{V_{P}},并将结果相乘得到\frac{V_{out}}{V_{in}}

①计算\frac{V_{P}}{V_{in}}

借助上图,我们可以求出:\frac{V_{P}}{V_{in}}=\frac{R_{eq}}{R_{eq}+\frac{1}{g_{m1}}}

其中R_{eq}表示从M2源端看进去得到的电阻。因为M2的漏端接有一个相对大的电阻r_{O4}

 R_{eq}的值必须借助公式(3.110)得到:R_{eq}\approx \frac{1}{g_{m2}}+\frac{r_{O4}}{g_{m2}r_{o2}}

{ 公式(3.110)表明,当在源端看输入阻抗时,漏端的阻抗要除以(g_{m}+g_{mb})r_{o}}

由此可得出:\frac{V_{P}}{V_{in}}=\frac{1+\frac{r_{o4}}{r_{o2}}}{2+\frac{r_{o4}}{r_{o2}}}

{如果r_{o4}\rightarrow 0,\frac{V_{P}}{V_{in}}\rightarrow \frac{1}{2};如果r_{o4}\rightarrow \infty\frac{V_{P}}{V_{in}}\rightarrow 1。}

②计算\frac{V_{out}}{V_{P}}

 

 可得:\frac{V_{out}}{V_{P}}=\frac{1+g_{m2}r_{o2}}{1+\frac{r_{o2}}{r_{o4}}}\approx \frac{g_{m2}r_{o2}}{1+\frac{r_{o2}}{r_{o4}}}

③计算\frac{V_{out}}{V_{in}}

 \frac{V_{out}}{V_{in}}=\frac{g_{m2}}{2}[(2r_{o2})||r_{o4}]

 (2)大信号特性

如果V_{in1}相对于V_{in2}足够的负,M1、M3、M4均关断。因为没有电流可以从V_{DD}流出,M2和M5都工作在深线性区,传输的电流为0。因此,V_{out}=0

随着V_{in1}接近V_{in2},M1导通,使I_{D5}的部分电流流过M3,且使M4开启。

从而输出电压就依赖于I_{D4}I_{D2}之间的差值

V_{in1}V_{in2}很接近时M2和M4都处于饱和区产生一个很高的增益

V_{in1}变得比V_{in2}正得多的时候,I_{D1}|I_{D3}|\left | I_{D4} \right |增大而I_{D2}减小,最终驱使M_{4}进入线性区

如果V_{in1}-V_{in2}足够大,M2关断,M4的电流为0且工作在深线性区,从而V_{out}=V_{DD}

 

 同时,在实际上,电路中的不对称可能会导致V_{out}产生一个大的偏差,很可能驱使M2或者M4进入线性区。例如,如果M2的阈值电压稍小于M1的阈值电压,即使V_{in1}=V_{in2},前者的电流也比后者大,使V_{out}显著下降。因此,该电路很少在开环的情况下用来放大小信号。

(3)小信号分析

(4)共模特性

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### 回答1: 模拟CMOS集成电路设计讲义是为了介绍和指导学习者如何设计和实现模拟CMOS电路的一本教材。CMOS集成电路是当今电子技术领域中最重要的电路之一,广泛应用于各种电子设备中。 讲义首先介绍了CMOS技术的基本原理和特点。CMOS是由n型和p型晶体管组成的电路,采用了两种互补的材料,能够同时实现高速度和低功耗的优势。讲义详细介绍了CMOS电路的工作原理和基本组成,包括传输门、反相器、放大器等。 讲义接着介绍了模拟CMOS电路设计的基本步骤。包括电路规划、电路分析、电路设计、电路优化等。具体介绍了如何通过使用基本电路组件如电流镜、电流源、级联电路等实现各种功能电路的设计。 然后,讲义详细介绍了模拟CMOS电路设计中的常见问题和技巧。例如,电源电压和工作温度对电路性能的影响,如何通过优化器来提高电路性能等等。此外,讲义还介绍了常见的模拟CMOS电路设计工具和软件,如CADENCE等。 最后,讲义给出了一些实例,通过实例来帮助学习者理解和应用所学的知识。这些实例覆盖了常见的模拟电路设计,如放大器、滤波器、振荡器等。 总的来说,模拟CMOS集成电路设计讲义是一本系统而全面的教材,通过理论讲解、实例演示等多种方式,指导学习者掌握模拟CMOS电路设计的基本原理和方法。对于电子工程及相关专业的学习者来说,这本讲义是一本必备的参考书。 ### 回答2: 模拟CMOS集成电路设计讲义是一本关于设计模拟CMOS集成电路的详细教材。本讲义通过系统地介绍了模拟电路基础知识和CMOS技术原理,着重讲解了CMOS集成电路的设计过程和方法。 首先,本讲义对模拟电路基础知识进行了全面的介绍,包括电阻、电容、二极管、晶体管等器件的工作原理和特性。同时,讲义还讲解了放大器、运放、反馈等基本电路的设计原理和要点。通过这些基础知识的介绍,读者可以建立起对模拟电路设计的基本理解。 其次,本讲义详细介绍了CMOS技术的原理和特点。CMOS是一种常用的集成电路制造技术,它的特点是低功耗、高速度和抗干扰能力强。本讲义详细解释了CMOS器件的工作原理、结构和特性,以及CMOS电路的设计规则和设计流程。 最后,本讲义重点介绍了模拟CMOS集成电路的设计方法。从放大器、运放、滤波器到模数转换器、数模转换器等,讲义逐步详细介绍了各种模拟CMOS电路的设计原理和设计步骤。同时,讲义还通过大量的实例和实际设计案例,帮助读者理解和掌握CMOS电路的设计技巧和方法。 总的来说,模拟CMOS集成电路设计讲义是一本系统全面介绍模拟CMOS电路设计的教材。它适合作为大学本科生、研究生以及从事集成电路设计相关工作的工程师的参考书。通过学习本讲义的内容,读者可以全面了解模拟CMOS电路的设计原理和方法,提高自己的设计能力和技巧。

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