DRAM的各路IDD，一文详细捋清楚

DRAM有很多的IDD，分别是什么，具体代表何种含义，具体又有什么作用呢。
本文以DDR5的IDD定义当作参考：特注：所有以下IDD，都有同等的IDDQ跟IPP。意义相同，只是吃电流的power source不同

IDD0: ACT+PRE Current

IDD0基本代表着打开跟关闭wordline的电流消耗。用它来评估wordline打开跟关闭是否正常

IDD2N: Prechange Standby Current

IDD2N基本代表DRAM idle时候的电流消耗，此时DRAM未进入任何mode，只是处于idle. tCK仍在跑，DQ/CA等input buffer keep打开。
基本用来评估静态功耗的。这部分基本由两部分组成，一个是device本身的leakage，一个是电路里面的设计部分对一些idle的时候有没有做特殊的gating处理

IDD2P：Precharge Power-Down mode Current

所谓precharge powerdown mode,也就是wordline没有打开，所有bank处于idle的时候进入的powerdown mode.这个时候的power，基本有一部分是可以断电跟clock gating了。这部分如果不同厂家有差别，只能说是内部电路处理上的差异。特别是IDD2N跟IDD2P的差值

IDD3N: Active Standby Current

所谓active standy,是针对IDD2N的precharge standby 而言的。所谓precharge standby,就是值得bank idle, 那么active standby指的是bank不idle，bank的wordline有被打开，打开之后的电流消耗，这部分其实就是为了评估打开wordline的过程对电流的消耗部分

IDD3P: Active Powerdown Current

顾名思义，就是active了wordline之后进入powerdown mode，这种操作是被允许的，只要别在powerdown里面呆的时间太长，导致long-tRAS时间不满足就行。tRAS时间太长了，wordline的电位可能会慢慢衰减，导致潜在的data丢失风险。

IDD4R/IDD4W: burst read/write Current

这个地方的测试pattern是seamless write/read,用来模拟最busy的情况下，DQ连续翻转的case下的电流消耗

IDD5B: Burst Refresh Current

严格意义来讲，这种pattern sequence是不满足spec要求的。spec要求最多只能连续8笔REF command可以以tRFC的时间间隔来发送。但是IDD5B的sequence，是一直以tRFC的间隔来发送REF command.这个是一个很worse的condition来评估refresh带来的功耗。但是也能间接的来看refresh带来的潜在的电流消耗可能存在的风险。

IDD6N：self-refresh current

之前的文章介绍过了。一种低功耗模式下的电流消耗。这部分的电流消耗基本是内部refresh操作带来的。不信你看，外部的clock都off了。

IDD8: MPSM Deep Powerdown Current

其实这个MPSM mode总感觉很鸡肋。不过DDR5在DDR4的基础上做了完善。鸡肋的原因是MPSM断电断的太多，又不能保证retention，退出又太麻烦，时间太长。频繁进出不划算，不频繁进出又有retention风险。
不过DDR5进行了完善，可以在MPSM里面进入Powerdown或者SR.目前不确定真实系统有多少会考虑MPSM，截至目前，不太有了解到有系统会采用这个feature

一般通过IDD来做分析的时候，会结合IDD/IDDQ来做，并对不同的IDD的分类做加减combine来得到更多的信息。在DDR5上，DIMM上引入了PMIC，所以IDD的潜在的constrain是PMIC是否能扛得住。有时候的过载会触发PMIC的保护预警机制，或者PMIC的response无法抗住太大的power loading,这些潜在的风险也会导致问题极度难以debug跟分析。DRAM的IDD是各家的竞争力的重要参数，对于服务器，功耗太大会导致风扇的问题，还有电费的问题，对于消费类电子，直接影响到续航能力。