Reverse Current Blocking-RCP保护方案

weixin_50804790

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分类专栏：硬件基础知识文章标签：单片机嵌入式硬件硬件工程

于 2023-02-10 14:54:19 首次发布

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一、反向电流的产生

1、Case1: Power Multiplexing应用场景

对于使用如下电源切换开关时，当开关1闭合，且开关2断开时，负载端的电压5V会超过Power Supply 2的电压3.3V，如果Load Switch 2电路选取如下的MOSFET结构时，由于Body Diode的存在，会有一个反向电流流向Power Supply2，从而对其造成damage。
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2、Case2 : Sudden Loss of input power

当输出电压大于输入电压时，会存在一个反向电流流入输入端，如下图所示。当Input Power突然断掉时，如果输出电容容值比输入电容大，那Vout会出现缓慢放电，那在短时间内会存在Vout>Vin情况，从而产生反向电流。
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二、RCB解决方案

1、通路串联二极管

采用串联二极管方式，适用于大电压低电流场景，然而由于二极管导通压降范围在0.6-0.8V，会造成输出电压减小，同时在二极管上存在多余损耗。为解决二极管导通压降偏大问题，可以采用Schottky Diode,正向导通压降低，但价格比普通二极管贵。
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2、Back-to-Back MOSFETS

用两个背对背的二极管，可以实现双向电流限制，当开关导通后，正向导通压降很低，但由于通路中多加入了一个MOSFET，需要考虑到两个Ron带来的压降影响。
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3、Load Switch方案

1）
采用负载开关，连接电源和负载，负载开关一般都包括RCB OCP OVP OTP 功能，用集成IC替代分立的MOSFET，可以用较小面积实现该功能。
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以TI的TPS66020 Load Switch为例，在spec中可以找到其RCP值，当VOUT-VIN=35mV(type)时，通道开关会自动OFF。

2）RCP具体实现方案
方案一：Comparator Mode
在芯片设计具体RCP保护方案时，可以采用比较器模式，当VOUT>Vin时，反灌到输入端的电流IREVHV足够大时，在Load Switch固定Ron情况下，会产生一个压差VREVHV=IREVHV*Ron，内部设计一个比较器阈值，当该压差超过此阈值时，芯片会将开关迅速断开。TPS65988芯片在SRC模式下的RCP保护方案采取比较器模式，具体介绍如下：
此种方式在某些特殊场景下，存在一个问题，例如两个C口分别通过各自load Switch接到Charge IC，分别供电5V和20V，其中一个C口先供电5V，然后另外一个C口再供电20V，或者同时供电，如果我们使用的电源是充电器输出，非强源，那么5V的电源就会被拉高，遭到损坏。
因为没有反灌到输入端的电流，不会有压差产生，不会触发芯片的RCP保护功能。当然此特殊场景在实际使用中并不会遇到，因为当两个C口同时供电时，软件会去控制选择其中一个C口进行供电，具体请参考《笔记本使用双Type C口充电，会发生什么？》

The comparator protection mode is enabled when the switch is operating as a source, while the ideal diode protection is enabled while operating as a sink.In the Comparator mode of reverse current protection, the power switch is allowed to behave resistively until the current reaches then amount calculated by 方程式 1 and then blocks reverse current from VBUS to PP_HV. 图 8-11 shows the diode behavior of the switch with comparator mode enabled.

方式二：Ideal Diode方式
此种实现方式，类似于在VIN和VOUT端有一个正向二极管，当无负载或者轻载时，即抽流较小时，MOS管的Gate Drive动态调整来保证VF固定不变化，维持几十mV保持不变。当负载抽流增加时，VIN-VOUT压差取决于MOS管的IR Drop，即负载电流与RON的乘积。压差具体变化请参考KTS1696A中的附图：
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TPS25947中关于Ideal Diode的介绍请参考如下内容：

The device functions like an ideal diode and blocks reverse current flow from OUT to IN under all conditions. The device has integrated back-to-back MOSFETs connected in a common drain configuration. The voltage drop between the IN and OUT pins is constantly monitored and the gate drive of the blocking FET (BFET) is adjusted as needed to regulate the forward voltage drop at VFWD. This closed loop regulation scheme (linear ORing control) enables graceful turn off of the MOSFET during a reverse current event and ensures there is no DC reverse current flow. The device also uses a conventional comparator (VREVTH) based reverse blocking mechanism to provide fast response (tRCB) to transient reverse currents. After the device enters reverse current blocking condition, it waits for the (VIN – VOUT) forward drop to exceed the VFWDTH before it performs a fast recovery to reach full forward conduction state. This provides sufficient hysterisis to prevent supply noise or ripple from affecting the reverse current blocking response. The recovery from reverse current blocking is very fast (tSWRCB). This ensures minimum supply droop which is helpful in applications such as supply MUXing/ORing and USB Fast Role Swap (FRS).

KTS1696A具体请参考如下介绍：

The KTS1696A offers reverse-current protection regardless of the enable logic level. When disabled, all current flow is blocked. When enabled, the RCP acts as a voltage droop regulator. Once the voltage on VOUT is higher than VIN minus 20mV, the RCP circuit reduces the MOSFET gate drive to try and maintain the regulated 20mV droop, thereby acting as an “ideal diode” with Vf = 20mV. See Figure 7. This control method blocks all reverse current. The RCP circuit makes it possible to connect two or more USB charging ports to a single charger input in a “diode-OR” configuration with autonomous reverse-current blocking.