【开源电机驱动】Mosfet 和 catch 二极管

本文探讨了H桥设计中的关键要素,包括MOSFET和保护二极管的选择。文章指出,开关频率、最大工作电压和电流是设计之初需要考虑的重要参数。在组件选择上,N-通道MOSFET因其低rdson值成为低侧开关的首选,但高侧开关选择需考虑更多因素。保护二极管虽然在正常工作模式下不常导通,但在异步驱动模式下起重要作用,其正向电压降和热耗散不容忽视。选择适当的二极管和MOSFET以降低开关损耗和热量,是优化H桥设计的关键。
摘要由CSDN通过智能技术生成
  • 0
    点赞
  • 8
    收藏
    觉得还不错? 一键收藏
  • 打赏
    打赏
  • 0
    评论
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包

打赏作者

Vicssic

与你一起成长

¥1 ¥2 ¥4 ¥6 ¥10 ¥20
扫码支付:¥1
获取中
扫码支付

您的余额不足,请更换扫码支付或充值

打赏作者

实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值