ESD的基本概念就不说了，直接来点实用的干货：在ESD测试中，我们经常会遇到一些比较明显的测试现象，比如设备重启，卡死或者屏幕闪屏的问题。究其根本，这些现象都是ESD造成的，而很多时候只需要加一个电容就能解决，本篇文章就静电电容的这个妙用进行探讨分析，在静电电容的原理，计算，选型上给硬件朋友们提供思路！
TVS或者说ESD器件在制造过程中，可能会触发ESD事件，发生损坏，这些事件可以用三个模型来进行模拟：
- Human Body Model，简称HBM，人体模型，模拟人体静电放电时的测试。
- Machine Model，简称MM，机械模型，模拟机械静电放电时的测试。
- Charged Device Model，简称CDM，充电设备模型，模拟带电设备静电放电时的测试。
HBM一般有两种测试规格，一种是IEC61000-4-2标准，一种是AEC-Q200-002。
IEC61000-4-2标准是针对ESD静电放电抗扰度实验的，ESD测试分为空气和接触测试两种，需要用到静电枪，如下给出了静电枪或者说静电发生器的电路简图。
R## 标题c为充电电阻，Cd为充电电容，Rd为放电电阻，简单的工作原理就是：充电开关闭合，放电开关断开，直流高压电源通过Rc对Cd充电；充电开关断开，放电开关闭合，Cd储存电荷对被测设备释放。IEC61000-4-2会比AEC-Q200-002更常用，差别在于Rd阻值不同。
在知道这些基本知识后，如果对一个电容打ESD，也就是如下这样：
输出端加上被测电容Cx，电容两端电压为Vx，对一个10KV 150PF的模型来说，含有的能量为Q=CV。
假设能量全部释放掉，Cx=10NF上的瞬间电压会达到10KV*150PF/(10nF +150pF)=147.78V，这个电压还是很高的，一定程度会损坏电容。算了一下1nF、10nF、22nF、47nF和100nF在10KV 150pF模型和10KV 330pF模型下瞬间达到的电压值，当电容达到100nF时，电容上的电压已经很低了，电容是可以承受的，而且我们计算的是理论值，且很多产品只要求打8KV即可，所以实际电压会更低一些。
电容在高频下的等效电路如下图所示：
而下图是电容对应的频率特性曲线图，可以看得出电容的效果和频率有着密不可分的关系，在谐振频率点是电容效果最好的频率点，此时电抗为0，只有电阻在起作用。
电容的使用频率范围则可以通过电容谐振频率公式可以得出：
f=1/(2π√ESL×C)
公式中的f为电容的谐振频率点，电容的谐振频率点和电容的容值及寄生电感有着密不可分的联系。下图是村田官网整给出的一些常用电容对应的的谐振频率，在整改的时候可以参考使用。
在我们实际的ESD整改中，我们有时候会在某些端口或者芯片引脚加电容进行防护，但是很多时候我们对到底加多少容值的电容却没有头绪，因为如前所述不同容值的电容有不同的截止频率，也就是对应不同频段的滤波效果。其实我们放电枪放出的静电也属于共模干扰，静电干扰的频率公式为：
f=0.35/Tr
公式中的f为频率，0.35为常数【至于为什么是0.35，大家可以私信我，专门写文章说明】Tr为上升沿时间，而我们常用的静电枪放电模型的上升沿时间为1ns-20ns，代入公式可以得出f=350MHz-17.5MHz。所以我们在针对静电整改加电容的时候可以选谐振频率在17.5MHz-350MHz区间内的电容,如果需要更精确一点，那么只要知道静电枪上升沿时间的具体值即可。
所以结论就是，静电电容的耐压选择50-100V，容值选择1-100nF。
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