电容到底能抗多大的静电

在硬件电路设计中，ESD防护是必不可少的环节。对于ESD的防护，我们大多会选择在信号线接近IO口位置加上TVS下地。或者在信号线上串联合适阻值的电阻。除了这些最常用的方法外，我们有时还会通过信号线并联电容来进行ESD防护。

首先，先带大家了解一下ESD模型

目前的ESD模型主要分为以下3类：
Human Body Model，人体模型：带静电的人手触摸芯片；
人体就等效一个150pf的电容和电阻串联，带静电后，触摸芯片的瞬间产生高瞬态电压，电流放电对芯片造成损坏；
MM：Machine Model，机器模型：如机械手臂带了静电后接触芯片；
机器积累了静电后，等效为一个200pf电容，电阻为0（因为机器为金属，忽略其电阻），接触到芯片的瞬间产生高瞬态电压，电流放电对芯片造成损坏；

CDM：Charged Device Model，充电器件模型：芯片在存贮运输过程中产生静电；

对于 大多数硬件设计人员来说，我们接触到最多的模型即为HBM模型，其包含两种测试规格，一种是IEC61000-4-2,一种则是AEC-Q200-002。

硬件设计出来的产品往往有很多认证，其中CE认证中的规格即为IEC61000-4-2。同时测试分为空气和接触测试。需要用到我们熟悉的静电枪，图示为静电枪发生器的电路简图。

RC为充电电阻，Cs为充电电容，Rd为放电电阻，即当充电开关打开时，放电开关关闭，直流高压电源给Cs充电；反之，则为Cs存储的电荷释放给被测设备。

对于一个10KV 150pF的模型来说，其含有的能量为Q=CV。假如能量全部被释放掉，Cx=10NF的瞬间电压会达到10KV*150Pf/(10nF+150pF)=147.78V。同时电容还存在着击穿电压值，要想使得10NF电容在10KV静电干扰下不被击穿。其击穿电压必须大于147.78V。
电容虽在一定程度可以防静电，但是并不适用于高频信号的线路上，过大的容值会产生失真。同时其与ESD器件相比又有着以下的区别。