1.掺杂后的半导体
P型半导体,多子是空穴,少子是自由电子。
N型半导体,多子是自由电子,少子是空穴。
2.电中性
尽管他们分别有着空穴带正电,自由电子带负电,但是整体上是电中性的。
以P型半导体为例,尽管局部区域有由于空穴形成而产生的正电荷,但整个晶格的电子总数和原子核的电荷总是保持平衡,从而保持了整个材料的电中性。尽管是电子在移动,但在电流的方向上,空穴的移动似乎是传递正电荷。
P型半导体,多子是空穴,少子是自由电子。
N型半导体,多子是自由电子,少子是空穴。
尽管他们分别有着空穴带正电,自由电子带负电,但是整体上是电中性的。
以P型半导体为例,尽管局部区域有由于空穴形成而产生的正电荷,但整个晶格的电子总数和原子核的电荷总是保持平衡,从而保持了整个材料的电中性。尽管是电子在移动,但在电流的方向上,空穴的移动似乎是传递正电荷。