浅谈SiC MOSFET之MOSFET

最新推荐文章于 2024-05-14 10:32:45 发布
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分类专栏： SiC MOSFET 文章标签： 功率器件
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1.掺杂后的半导体

P型半导体，多子是空穴，少子是自由电子。

N型半导体，多子是自由电子，少子是空穴。

2.电中性

        尽管他们分别有着空穴带正电，自由电子带负电，但是整体上是电中性的。

        以P型半导体为例，尽管局部区域有由于空穴形成而产生的正电荷，但整个晶格的电子总数和原子核的电荷总是保持平衡，从而保持了整个材料的电中性。尽管是电子在移动，但在电流的方向上，空穴的移动似乎是传递正电荷。

3.不同的结构

3.1.横向型

 3.2.纵向型

 3.3沟槽栅

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浅谈半导体工艺变革
yetwanng的博客
05-24 1万+
浅谈半导体工艺变革 MOSFET基础   纯净的硅中所有的价电子都参与了成键（下图(a)），里面没有自由电子是很少的，所以是电的不良导体。但它的导电性可以通过在硅晶格中引人称为掺杂剂(dopant)的少量杂质来提高。掺入V族元素的杂质（如As），含五个价电子，它将在晶格中取代一个硅原子，因此它仍然和它周围的四个硅原子形成共价键，但第五个价电子与As原子之间的束缚却很弱，如下图(b) 所示。 室温下的晶格热振动足以使这个电子自由运动， 由此形成一个带正电的As+ 离子和一个自由电子。这个自由电子可以携带电流，
【转】浅谈半导体工艺变革
01-05 3970
MOSFET基础   在纯净的硅中，所有的价电子都参与了成键（下图(a)），里面没有自由电子，或者极少的自由电子，所以是电的不良导体。但可以通过在硅晶格中引入被称为掺杂剂(dopant)的少量杂质来提高它的导电性。掺入V族元素的杂质（如As），含五个价电子，它将在晶格中取代一个硅原子，因此它仍然和它周围的四个硅原子形成共价键，但第五个价电子与As原子之间的束缚却很弱，如下图(b) 所示。 室温下的晶格热振动足以使这个电子自由运动， 由此形成一个带正电的As+离子和一个自由电子。这个自由电子可以携带电流，.
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05-14 1086
在平常的使用中，我们基本通过芯片手册来了解功率器件的各种性能参数，但是手册中的参数的测量环境都是在理想状态下，与实际使用或多或少都会有差别。通过双脉冲实验可以获取器件在真实工况下的参数，对于产品设计很有帮助。
浅谈SiC MOSFET之驱动电阻设计
weixin_58670090的博客
05-14 291
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Alin_13的博客
04-11 318
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wpgddt的博客
03-08 1076
引入了辅助源极管脚成为TO-247-4封装的碳化硅MOSFET，避免了驱动回路和功率回路共用源极线路，实现了这两个回路的解耦。同时，TO-247-4封装的开关器件由于没有来自功率源极造成的栅极电压衰减，使得碳化硅MOSFET（TO-247-4封装）的开关速度会比TO-247-3封装的更快，开关损耗更小。同时，TO-247-4封装的开关器件由于没有来自功率源极造成的栅极电压衰减，使得碳化硅MOSFET（TO-247-4封装）的开关速度会比TO-247-3封装的更快，开关损耗更小。
汽车飞机电子开发原理
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磁耦隔离与传统隔离的区别 传统隔离技术: 传统的隔离方式有哪些? 这里有三种通常的隔离技术:  光电隔离  变压器隔离（磁耦是芯片级变压器隔离技术）  电容隔离 在体积、成本、性能等各方面都有优缺点，传统的隔离方式是光电隔离：什么是光耦?什么是光隔离? 光耦合技术是在透明绝缘隔离层(例如：空气间隙)上的光传输，以达到隔离目的。光耦合器一般由三部分组成：光的发射、光的接收及信号放大。输入的电信号驱动发光二极管（LED），使之发出一定波长的光，被光探测器接收而产生光电流，再经过进一步放大后输出。这就..
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06-13
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sic mosfet建模仿真
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