传统芯片封装工艺流程简介

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声明：以下文章转载自Tom聊芯片智造 ，作者芯片智造

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在晶圆制作完成后，会出货给封装厂，封装厂再将一粒粒的芯片封装起来。我这里所说的传统封装是指以打线为主的封装方式，比如DIP,QFP,SOP,QFN等，不包括倒装。这里就简单介绍一下传统封装的工艺流程及工艺特点。

1，晶圆减薄（Grind）

随着晶圆直径的增加，其厚度也相应增加。4inch晶圆一般厚度为525um，6寸为625um，8寸775um，12寸925um。过厚的芯片不仅不利于散热，还会导致封装尺寸过大。因此需要将晶圆减薄到50-200um。

晶圆减薄技术主要有：机械切削，化学机械抛光（cmp），湿法刻蚀，干法刻蚀等。

2，划片切割（Dicing）

它将一个大的晶圆切割成许多单独的小块，每个小块是一个“芯片”（Chip，die），这些芯片是单个集成电路的基本单位。目前比较常见的划片方式有三种：刀片切割，激光切割，等离子切割等。