DDR原理详解

单位区分

1Gbit=1024Mbit=1024*1024*1024bit
1Byte=8bit

内存寻址芯片的基本原理

如：DDR3的内部是一个存储阵列，将数据“填”进去，你可以它想象成一张表格。和表格的检索原理一样，先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），我们就可以准确地找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理。对于内存，这个单元格可称为存储单元,那么这个表格（存储阵列）就是逻辑 Bank（Logical Bank，下面简称Bank）。

DDR3内部Bank示意图，这是一个NXN的阵列，B代表Bank地址编号，C代表列地址编号，R代表行地址编号。
如果寻址命令是B1、R2、C6，就能确定地址是图中红格的位置
目前DDR3内存芯片基本上都是8个Bank设计，也就是说一共有8个这样的“表格”。（引脚为BA0,BA1,BA2）
寻址的流程也就是先指定Bank地址，再指定行地址，然后指列地址，最终的确寻址单元。

例如：对于DDR SDRAM（型号为EM6AB160）来说，内存为512Mbit，（引脚为BA0,BA1），内部有4个bank（小的存储单元）如图所示