外延生长在GaAs衬底上的 Fez0 单晶薄膜-供应压铸铝合金表面耐蚀性银基非晶/易降解的镀铝/顶层金属薄膜定制

我们对外延生长在GaAs衬底上的 Fez0 单晶薄膜的生长工艺，结构和磁性进行了仔细的研究。得到了薄膜在不同厚度时所表现出的总的磁各向异性行为，当薄膜厚度为2nm时，表现出的磁行为是超顺磁性:在薄膜序度为4-6nm时，表现出的磁各向异性为单轴务向异性;薄膜厚度为8nm时，易轴方向渐渐转向，薄膜厚度增加到10nm时，磁各向异性表现为立方各向异性。从磁滞回线的角度依赖性和Hc的两次跳跃来看，似乎是，在表现出的磁各向异性中，单轴各向异性和立方各向异性两种成分都存在，只是哪种成分为主，这种成分就被表现出来。
铁磁共振以其高的灵敏度和取向依赖性是研究磁性介质特别是薄膜磁特性的基本方法之-2]，它的最大优点就是把各种磁各向异性的成分通过对实验数据的拟合区分开来。而且还能提供磁化强度以及旋磁比等参数,同时其共振吸收谱的半峰宽即线宽直接提供了薄膜中磁化动力过程所受阻尼的信息3-5。本章以铁磁共振为手段，研究了外延生长在GaAs 衬底上FezO4单品超薄膜磁各向异性和阻尼因子的各向异性的规律和机制。
生长在GaAs衬底上的Fe 单晶薄膜是由合作者用分子束外延系统制备并进行了原位.测量67)。制备完成后再保持气压恒定为0.005Pa的超高真空腔内进行氧化，制备成Fes04单晶薄膜。我们在磁特性研究中采用的样品别为: 4nm Fe;04、6nm Fe;04、10nm Fe;0。这里表征的 Fe:O4膜厚，均为初期制备的Fe的膜厚。铁磁共振谱的测量在南京大学間体微结构实验室进行，铁磁共振谱仪的型号为:EMX-SRC ESR，所用微波频率为9.78GHz。
供应产品目录：
三硫化二铋（Bi2S3）薄膜
三硫化二铋（Bi2S3）微晶掺杂硅薄膜
硫化铋(Bi2S3)半导体薄膜
金属硫化物薄膜
硫化铋银(AgBiS2)
硫化铋铜(Cu3BiS3)
钛铝碳 Ti2AlC2薄膜
类金刚石碳(DLC)薄膜
三维纳米碳薄膜
含氫非晶質碳薄膜
含氫類鑽碳薄膜
基于碳纳米材料的柔性透明导电薄膜
多晶型碳化矽薄膜
钼铝碳 Mo3AlC3薄膜
铌铝碳 Nb2AlC3薄膜
钛铝(铌)氮/碳化物(TiAl(Nb)N/C)薄膜
铌基超薄薄膜
离子束增强沉积铌(钛)薄膜
非晶铌金属氧化物薄膜
钒铝碳 V2AlC3薄膜
超薄二氧化钒薄膜
晶圆级二氧化钒薄膜
高性能二氧化钒薄膜
三氧化二钒纳米线薄膜
二氧化钒热致变色薄膜
碳化钒薄膜
钒配合物(VO2(3-FL))和碳纳米管复合薄膜
铬铝碳 Cr2AlC薄膜
沉积态贫铀(DU)薄膜
铝表面抗腐蚀多层有机复合薄膜
铝铟镓氮四元合金薄膜
压铸铝合金表面耐蚀性银基非晶薄膜
易降解的镀铝薄膜
顶层金属薄膜
BOPP/VMCPP型镀铝复合薄膜
铝合金表面(TixAly)N薄膜
铬掺杂碳基薄膜
流延聚丙烯蒸镀金属薄膜（MCP）
二氧化硅薄膜
氧化铝薄膜
以多孔碳为骨架的纳米铝热薄膜
氧化铟锡钽薄膜
钽基介质薄膜
铝合金表面耐蚀润滑一体化薄膜
非晶硅薄膜
多晶硅薄膜
含钽薄膜
抗氧化铀钽薄膜
掺钽铀薄膜
氮化铪薄膜
yyp2021.3.31