MOS管之王”全球10强VS中国10强

原文:http://news.eeworld.com.cn/mp/XSY/a48684.jspx

芯师爷语:MOS管,半导体器件中最普及化的应用,无论是消费类电子、计算机应用、通讯网络、工业控制、汽车电子、电力设备,还是新兴的可穿戴、智能家居、物联网等智能硬件,都活跃着它的身影,无名英雄实至名归。

我们根据销售额、知名度、中国市场占有率等标准,选出了草根版本的“MOS管功夫王”中外10强榜单,无论对错与否,我们都看到了MOS领域的潜力市场和未来机遇,这才是最重要的。另外,芯师爷策划的半导体分类“功夫王”擂台,等着你来秀哟!

 

全球MOS管前10排名

NO.1 INFINEON+IR


德国

网址:www.infineon.com

产品:数字晶体管、NPN、PNP

应用领域:汽车、工业、消费、通信、数字通信

入榜理由:作为欧洲最老牌的半导体公司之一,英飞凌在功率器件和电源市场,长期领先,尤其是大功率MOS,鲜有对手;收购IR公司之后,更是跃居榜首,成为了名副其实的MOS之王。

 

NO.2 FAIRCHILD


美国

网址:www.fairchildsemi.com.cn

产品:N沟道、P沟道、N沟道逻辑电平

应用领域:工业、汽车、医疗、照明、家电

入榜理由:曾经是世界上最大、最富创新精神和最令人振奋的半导体生产企业,为硅谷的成长奠定了坚实的基础。更重要的是,这家公司还为硅谷孕育了成千上万的技术人才和管理人才,它不愧是电子、电脑业界的“西点军校”。由于主要专注电源领域,使得其在MOS排名上持续保持了领先地位。

 

NO.3 ON


美国

网址:www.onsemi.cn

产品:音频晶体管、数字晶体管、通用晶体管、绝缘门双极晶体管

应用领域:计算机、消费应用、工业、汽车、电源

入榜理由:自从和motorola拆分之后,就成为了模拟和电源领域的最大半导体公司之一,在中小功率MOS上,具有很强的竞争力。

 

 

NO.4 TOSHIBA


日本

网址:toshiba.semicon-storage.com

产品:双极晶体管、偏置电阻内置型晶体管、多芯片分立器件、高频双极晶体管

应用领域:汽车、工业、电机、消费、安全、LED

入榜理由:作为日本最大的半导体公司,东芝提供具有各种电路结构和封装的低VDSS和中/高VDSS MOSFET广泛产品组合,可实现高速、高性能、低损耗、低导通电阻、小型封装等特点。

 

NO.5 ST


意大利/法国

网址:www.st.com

产品:碳化硅、功率双极晶体管、高压、高温、达林顿晶体管

应用领域:医疗、LED、家电、电源

入榜理由:意法半导体是世界领先的分立功率器件供应商之一,作为欧洲最大的半导体公司之一,在电源和能源领域,遥遥领先。

 

NO.6 VISHAY


美国

网址:www.vishay.com

产品:晶振、振荡器

应用领域:汽车、军工、医疗

入榜理由:威世半导体整合了威世特洛芬肯(Vishay Telefunken)、通用半导体(General Semiconductor)的生产线、英飞凌科技(Infineon Technologies)的红外线元件产品线以及选自国际整流器公司(International Rectifier)(不包括平面高压MOSFET)的产品线。成为了MOS领域的强力竞争者。

 

NO.7 DIODES


美国

网址:www.diodes.com

产品:N沟道、P沟道、N+P沟道

应用领域:消费类、PC类、LED类

入榜理由:自从收购BCD之后,DIODES就成为了排名靠前的MOS知名半导体企业,是活跃于广泛的分立、逻辑及模拟半导体市场的全球领先的高质量特殊应用标准产品的制造商及供应商。

 

NO.8 AOS


美国

网址:www.aosmd.com

产品:互补、双通道、N沟道、P沟道

应用领域:消费电子

入榜理由:这是一家完全专注于MOS和电源领域的半导体公司,为客户提供了先进和比较完整的电源管理方案。拥有广阔的MOS产品系列。

 

NO.9 TI+NS


美国

网址:www.ti.com.cn

产品:双N沟道、P沟道、N沟道、双N/P沟、双P沟道

应用领域:音频、消费电子、家用电器

入榜理由:作为产品类型最丰富的半导体公司,TI在电源领域也是深耕多年,收购BB和NS之后,强强联合,在MOS产品线上获得了极大的市占率。

 

NO.10 NXP


荷兰

网址:www.cn.nxp.com

产品:双N沟道、N沟道、双极性晶体管

应用领域:汽车电子、消费电子

入榜理由:恩智浦拥有最广泛的晶体管及电源器件产品组合,在小功率MOS上,长期领先。汽车、身份识别、无线基础设施、工业、移动、照明、消费电子和计算领域的各大制造商都非常信任恩智浦,视其为主要的标准产品供应商。

 

 

国内MOS管前10排名

NO.1 长电科技


中国

网址:www.cj-elec.com

产品:NPN、PNP

应用领域:汽车、消费电子、计算机、

 

NO.2 乐山无线电


中国

网址:www.lrc.cn

产品:通用三极管、开关三极管、数字三极管、场效应管

应用领域:LED、电源、汽车、消费电子

 

NO.3 吉林华微


中国

网址:www.hwdz.com.cn

产品:NPN型高压功率开关晶体管、N沟道增强型场效应晶体管、双向晶闸管、场效应功率晶体管

应用领域:家电、绿色照明、计算机、汽车电子、网络通讯、工业控制

 

NO.4 华润华晶


中国

网址:www.crhj.com.cn

产品:低压系列、高压系列、超结系列

应用领域:LED、HID照明、电动车、手机充电器

 

NO.5 杭州士兰微


中国

网址:www.silan.com.cn

产品:带稳压管、N沟道、高压MOSFET芯片

应用领域:照明、家庭电器、影音设备、消费类电子

 

 

 

NO.6 苏州固锝


中国

网址:www.goodark.com

产品:贴片三极管、插件三极管

应用领域:汽车电子、消费电子、工业设备、医疗电子

 

NO.7 先科


中国

网址:www.semtech.com.hk

产品:达林顿三极管、功率三极管、数字三极管、数字三极管、NPN、PNP、可控硅、稳压管、场效晶体管、电容器

应用领域:汽车电子、电池、充电器、安全防火

 

NO.8 芯派科技


中国

网址:www.semipower.com.cn

产品:低电压、高电压、超结MOS

应用领域:手持装置充电器、PS电源系统、笔记本、汽车逆变电源系统、HID汽车照明系统、LED照明系统

 

NO.9 深圳比亚迪


中国

网址:bydit.com

产品:低压功率MOS管、中压功率MOS管、高压功率MOS管

应用领域:汽车,新能源

 

NO.10 佛山蓝箭


中国

网址:www.fsbrec.com

产品:数字晶体管、双极晶体管、场效应管、可控硅、电源高反压三极管

应用领域:电器、电光源、汽车电子、新能源、lT数码、通信、玩具、仪器仪表、灯饰照明、显示屏、背光源

 

附:MOS市场分析图

<think>好的,我现在需要回答用户关于“碳化硅MOS驱动”的问题。首先,我要理解碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)的基本概念,然后了解其驱动要求。用户可能想知道为什么驱动碳化硅MOSFET需要特别注意,以及如何正确设计驱动电路。 首先,我应该从碳化硅MOSFET的特性入手。相比传统的硅基MOSFET,SiC MOSFET具有更高的工作温度、更高的开关频率和更低的导通损耗。这些特性使得它们在高压、高频的应用中表现更好,比如电动汽车、太阳能逆变器等。 接下来,驱动要求是关键。因为SiC MOSFET的开关速度更快,所以驱动电路需要提供足够高的驱动电压,通常需要比硅基器件更高的栅极电压,比如+20V和-5V,以确保快速开启和关闭,同时防止误触发。此外,由于高dv/dt和di/dt,驱动电路需要有良好的抗干扰能力,避免寄生导通。 然后,我需要考虑驱动器的隔离问题。在高压应用中,隔离驱动可以防止高压对控制电路的损害,常用的隔离技术包括光耦隔离和磁隔离。同时,栅极电阻的选择也很重要,较小的栅极电阻能减少开关时间,但过小可能导致电压振荡,需要权衡。 保护功能也是不可忽视的。SiC MOSFET虽然耐用,但过压或过流仍可能损坏器件,驱动电路应具备过流保护、短路保护和温度监测等功能。此外,PCB布局优化同样重要,比如减少寄生电感,避免开关过程中的电压尖峰。 最后,总结一下设计驱动电路时的关键点,并可能推荐一些常用的驱动芯片,比如ADI的ADuM4135、TI的UCC5350等,这些芯片专为SiC器件设计,具备必要的隔离和保护功能。 在整理这些信息时,要确保结构清晰,分点说明,使用用户易懂的语言,避免过于专业的术语,必要时进行解释。同时,检查是否有遗漏的重要点,比如驱动电压的具体范围、实际应用中的注意事项等,确保回答全面且准确。</think>碳化硅(SiC)MOSFET驱动设计需要针对其特性进行优化,以下是关键要点及设计指南: ### 一、碳化硅MOSFET特性 1. **材料优势** $$E_g^{SiC} = 3.26\ \text{eV} \quad (Si:1.12\ \text{eV})$$ 高临界击穿电场(~3 MV/cm)支持更薄漂移层,实现低导通电阻。 2. **开关性能** $$C_{iss}^{SiC} \approx 0.5 \times C_{iss}^{Si}$$ 输入电容更小,支持MHz级开关频率,但需注意高速开关引发的电压尖峰。 ### 二、驱动电路设计要求 1. **栅极电压配置** - **开启电压**:+18V至+20V(比硅器件高4-5V) - **关断负压**:-3V至-5V(抑制米勒效应) - **电压精度**:±5%容差,避免栅氧层过压 2. **驱动功率计算** $$P_{drive} = Q_g \times V_{drive} \times f_{sw}$$ 例:Q_g=60nC,V=25V,f=100kHz时,驱动功率需≥150mW 3. **动态特性优化** - **栅极电阻选择**: $$R_g = \sqrt{\frac{L_{loop}}{C_{iss}}}$$ 典型值范围:2-10Ω(折衷开关损耗与EMI) - **di/dt控制**:5-10 kA/μs(需配合低电感封装) ### 三、关键保护电路 1. **过流保护响应** - 检测延时<100ns - 软关断斜率:5-10V/ns 2. **短路耐受设计** $$t_{SC} \leq \frac{T_{jmax} - T_j}{P_{diss}}}$$ 典型耐受时间:3-5μs(需配合退饱和检测) ### 四、PCB布局规范 1. **驱动环路面积** $$L_{loop} \leq 5\ \text{nH}$$(对应10mm²回路面积) 2. **层叠结构** | 层序 | 功能 | 厚度 | |------|----------------|--------| | L1 | 信号层 | 35μm | | L2 | GND平面 | 200μm | | L3 | 电源层 | 200μm | | L4 | 功率层 | 70μm | ### 五、典型驱动方案 1. **隔离驱动芯片选型** - **ADuM4135**:输出电流4A,传播延迟<60ns - **UCC5350**:5kVRMS隔离,CMTI>150V/ns 2. **辅助电源设计** - 隔离DC-DC模块 - 电压调整率:±1% - 纹波:<50mVpp ### 六、测试验证要点 1. **双脉冲测试参数** $$E_{sw} = \frac{1}{2}V_{dc}I_o(t_{r} + t_{f})$$ 需测量开关损耗与热阻匹配 2. **EMI测试标准** - CISPR 25 Class 5 - 30-100MHz频段<40dBμV 实际设计案例: 800V/100A SiC模块驱动电路中,采用门极有源钳位(Active Clamp)技术,将Vgs尖峰限制在22V以下,配合3Ω栅极电阻使开关损耗降低35%。
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