JFET/耗尽型MOSFET转移曲线

场效应管的直流分析

由于JFET和耗尽型MOSFET的特性相似，都符合肖克利方程，因此二者的转移曲线和直流工作点的分析相同，方式一是通过肖克利方程和偏置电压设置关系进行方程的解算得到数值解，较为精确，也可以通过图解法进行，绘制出转移曲线和偏置负载曲线，得到两个曲线的交点，图解法比较直观，因此对这种方式进行程序化设计，下面是matlab绘制转移曲线的程序，可根据器件手册进行参数变更，然后根据不同的偏执方案绘制曲线，

   function JFET
%JFET和耗尽型MOSFET特性相同，都使用肖克利方程进行计算
%参数输入，根据器件手册进行参数设置
Idss=10; %单位  mA
Vp=-4;   %单位  V
Vgs=linspace(Vp,0,20);% 取值范围
%肖克利方程
Id=Idss.*(1-Vgs/Vp).^2;
figure(1)
plot(Vgs,Id);
title('JFET转移曲线')
xlabel('Vgs/V','Fontsize',12);
ylabel('Id/mA','Fontsize',12);
grid on;
grid minor;