MOS管缓启动电路

MOS管缓启动电路

利用的都是MOS管的米勒平台效应，分为NMOS和PMOS两种，一般的NMOS用在接地端，PMOS用在电源的正端，这是由与他们的开启电压不同造成的，以NMOS为例，开启电压要求Vgs>Vth， 当NMOS的源极接地时，这个条件很好满足，只需要一个较低的电压就可以控制NMOS的开启和关闭，而如果将NMOS接到电源的正极部分，当NMOS导通时，源极电压可以近似看成是电源电压，这时要想让NMOS保持导通则必须在栅极施加一个比电源电压还要高Vth的控制电压，实际应用中需要设计复杂的自举电路，因此如果没有特殊要求，电源的缓启动一般就是NMOS放在地端，PMOS放在源端，下面就介绍几个实用的电路，

NMOS 缓启动电路

上图中的控制端口可以接MCU的一个引脚，实现上下电控制，通过更改R3和C1的大小控制开通的速度，仿真波形如下，开启时间完全可以通过软件进行仿真得到。

可以明显的看到有一个平台期。
下图是按键版本的启动电路，

也可以将按键放到和R3串联的位置，根据按键的特点和系统情况选择，上图中按键按下后电路关闭，可以通过设置R3,R5,C1的大小，调节开启和关闭的速度。

PMOS启动电路

上图是典型的PMOS缓启动电路，三极管的控制端可以接MCU，进行程控，通过调节R5,C2,R3,C1的大小调节开启和关闭的速度，下面是该电路的仿真，可以看到上升和下降时间基本相同。

下图是按键方式的控制，

因为PMOS是高电平关闭，所以当按键关闭后电源导通。