EDA（二）DFT之MBIST

EDA（二）DFT之MBIST

MBIST（Memory Built-In Self-Test，内置存储器自检测）是一种用于检测半导体存储器（如 RAM）中制造缺陷和操作故障的技术。它允许存储器在没有外部测试设备的情况下进行自我测试，从而提高了生产效率并降低了成本。

基本原理

MBIST 的核心思想是利用存储器内部的逻辑电路来执行测试，而不需要外部的测试设备。测试过程通常包括以下步骤：

1. 地址和数据路径的测试：验证地址和数据路径是否正确连接。
2. 存储器阵列的测试：检测存储器单元是否存在故障，如短路或断路。
3. 行和列解码器的测试：检查行和列解码器是否正确地映射地址。

关键组件

1. 测试访问机制（TAM）：允许测试模式的输入和输出，通常通过特殊的输入引脚或软件指令触发。
2. 测试模式寄存器：存储测试配置信息，如测试类型、测试数据和预期结果。
3. 测试算法：用于检测特定类型的故障，如行故障、列故障或耦合故障。

测试过程

1. 初始化：通过 TAM 将存储器置于测试模式，并加载测试模式寄存器。
2. 测试模式执行：根据测试模式寄存器中的配置，执行相应的测试算法。
3. 结果分析：将测试结果与预期结果进行比较，以确定存储器是否通过测试。
4. 退出测试模式：测试完成后，存储器退出测试模式，恢复正常操作。

测试算法
MBIST 使用多种算法来检测不同类型的故障：

1. 游标测试（March Tests）：如 March C- 或 March B+ 算法，通过在存储器中移动数据来检测故障。
2. 伪随机测试：使用伪随机数生成器产生测试向量，以检测更难发现的故障。
3. 压缩测试：通过将数据压缩成较少的位模式来减少测试时间。

优点

1. 成本效益：减少了对外部测试设备的依赖，降低了测试成本。
2. 高效率：可以在生产过程中快速检测存储器故障。
3. 灵活性：可以针对不同类型的存储器定制测试算法。

缺点

1. 测试覆盖率：可能无法检测到所有类型的故障，特别是那些需要特定测试条件的故障。
2. 测试时间：尽管比外部测试快，但某些复杂的测试算法仍然会增加测试时间。
3. 设计复杂性：需要在存储器设计中集成额外的逻辑，增加了设计的复杂性。

应用领域

MBIST 广泛应用于各种存储器类型，包括：

1. 静态随机存取存储器（SRAM）：由于其结构简单，易于实现 MBIST。
2. 动态随机存取存储器（DRAM）：需要更复杂的测试算法，因为其存储单元更易受故障影响。
3. 闪存：用于检测制造过程中的缺陷，提高闪存的可靠性。

结论

MBIST 是一种有效的存储器自检测技术，它通过减少对外部测试设备的依赖，提高了生产效率并降低了成本。然而，设计者需要仔细考虑测试算法的选择和测试覆盖率，以确保存储器的可靠性。随着半导体技术的不断进步，MBIST 技术也在不断发展，以适应新型存储器的需求。