晶振负载电容大小的影响

晶振与晶体的区别：

1. 晶振是有源晶振的简称，又叫振荡器。英文名称是oscillator。晶体则是无源晶振的简称，也叫谐振器。英文名称是crystal，电路上简称为XTAL。

2. 无源晶振（晶体）一般是直插两个脚的无极性元件，需要借助时钟电路才能产生振荡信号。常见的有49U、49S封装。

3. 有源晶振（晶振）一般是表贴四个脚的封装，内部有时钟电路，只需供电便可产生振荡信号。一般分5032、3225等几种封装形式。

   晶振的实际频率和标称频率之间的关系：Fx = F0(1+C1/(C0+CL))^(1/2);
   而 CL = Cg*Cd/(Cg+Cd)+Cs;其中Cs为杂散电容，Cg和Cd为我们外部加的两个电容，通常大家取值相等，它们对串联起来加上杂散电容即为晶振的负载电容CL.
   由公式可知负载电容的减小可以使实际频率Fx变大（我们可以改变的只有Cg和Cd，通过初步的计算发现CL改变1pF,Fx可以改变几百Hz）
   结论：晶振电路上的两个电容可以不相等，通过微调电容的值可以微调晶振的振荡频率

   晶体的datasheet中所讲的负载电容，就是两引脚所接的电容以及内部寄生的电容和布局引入的电容的总和，如果匹配合适，其频偏就越小，当然实际的个体差异，就需要适当调整。具体的计算公式上面已经给出，但是对于晶振的负载电容=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C式中Cd,Cg为分别接在晶振的两个脚上和对地的电容,Cic（集成电路内部电容）+△C（PCB上电容).就是说负载电容15pf的话，两边个接27pf的差不多了，一般a为6.5～13.5pF中所提到的Cic，个人理解应该是晶体内部晶片引线间的寄生电容，此电容一般最大值在7pf（datasheet给出的值），实际一般在3~5pF，在计算外接的两个电容值时，要考虑到此值。