正胶显影液/正胶稀释剂/SU8 显影液/RD-HMDS/OMNICOAT光刻胶配套

最新推荐文章于 2024-09-18 14:05:33 发布

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分类专栏：化学试剂

本文链接：https://blog.csdn.net/zhaocaijinbaoya/article/details/112987761

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光刻胶在集成电路制造中起着至关重要的作用，直接影响芯片性能、成品率和可靠性。本文介绍了正性与负性光刻胶的工作原理，以及光聚合型、光分解型、光交联型和化学放大型光刻胶的化学反应过程，并重点讨论了化学放大光刻胶在半导体工业中的应用。

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正胶显影液/正胶稀释剂/SU8 显影液/RD-HMDS/OMNICOAT光刻胶配套

光刻胶配套试剂	品名	主要成分	包装	应用
	正胶显影液	TMAH 2.38%	4LR/PC	正胶显影液

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电子束光刻胶（SU-8 GM1010，HSQ，XR-1541-002/004/006，HSQ Fox-15/16，PMMA）

zhaocaijinbaoya的博客

01-22

4197

电子束光刻胶（SU-8 GM1010，HSQ，XR-1541-002/004/006，HSQ Fox-15/16，PMMA） 光刻胶又称光致抗蚀剂，是一种对光敏感的混合液体。其组成部分包括：光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体、溶剂和其他助剂。光刻胶可以通过光化学反应，经曝光、显影等光刻工序将所需要的微细图形从光罩（掩模版）转移到待加工基片上。依据使用场景，这里的待加工基片可以是集成电路材料，显示面板材料或者印刷电路板。 光刻胶按应用领域分类，可分为 PCB 光刻胶、显示面板光刻胶

光刻胶用于与半导体核心材料、面板、PCB板以及 LED领域

zhaocaijinbaoya的博客

01-26

3594

光刻胶用于与半导体核心材料、面板、PCB板以及 LED领域 光刻胶简介及应用领域 光刻胶是图形转移介质，其利用光照反应后溶解度不同将掩膜版图形转移至衬底上。目前广泛用于光电信息产业的微细图形线路加工制作，是电子制造领域关键材料。以半导体光刻胶为例，在光刻工艺中，光刻胶被均匀涂布在衬底上，经过曝光(改变光刻胶溶解度)、显影(利用显影液溶解改性后光刻胶的可溶部分)与刻蚀等工艺，将掩膜版上的图形转移到衬底上，形成与掩膜版完全对应的几何图形。光刻工艺约占整个芯片制造成本的 35%，耗时占整个芯片工艺的 40-.

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基于SU-8聚合物的越级衍射型单纤三向波分复用器

02-05

介绍了基于阵列波导光栅（AWG）的单纤三向波分复用器的设计、仿真、制作与测试。利用阵列波导光栅的频谱周期性，采用越级衍射方法可在无需改变AWG布局，无需额外元件的情况下覆盖三向波分复用器的整个工作波段（1310~1550 nm）。器件的芯层采用较高折射率的SU-8聚合物，下包层是二氧化硅，并用空气作为覆盖层，制作流程简单，只需要紫外光刻，成本低。仿真结果显示三个工作通道3 dB带宽都大于11 nm，偏振波长漂移不超过0.65 nm。器件测试结果验证了越级衍射设计的正确性，在TM偏振态下的第二和第三波长通道的额外损耗是3 dB左右，第一波长通道的额外损耗是7 dB左右，串扰在-15 dB左右。整个器件大小仅1.3 mm×0.402 mm。

正/负性光刻胶-光刻胶SU-8系列

jinrifenxiang的博客

06-02

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SU-8光刻胶属于厚胶Thick Resist，常见的SU-8有SU-82000.5/SU-82000.2/SU-82007/SU-8 3000系列负性光刻胶/SU-8TF6000系列负性光刻胶/SU-8 3050负性光刻胶。常被用于微机械加工及其他微电子应用领域，如制作电镀模具，传感器，微纳结构等。SU-8光刻胶在近紫外光(365nm-400nm)范围内光吸收度很低，且整个光刻胶层所获得的曝光量均匀一致，可得到具有垂直侧壁和高深宽比的厚膜图形;它还具有良好的力学性能、抗化学腐蚀性和热稳定性;在受到紫外辐射

半导体工艺（三）关于光刻胶必须了解的那些事儿

阿拉伯梳子的专栏

10-22

3014

由于光刻胶在显影后要经过不同的工艺，如湿法刻蚀、干法刻蚀、离子注入等，这会引起光刻胶的结构变化，不易被去除，因此需要剥离液对光刻胶有较强的溶解性能。光刻胶是光刻工艺的核心。：曝光速度越快，在光刻蚀区域晶圆的加工速度就越大，负光刻胶通常需5～15s时间曝光，正光刻胶较慢，其曝光时间为负胶的3～4倍。光刻胶又称为光致抗蚀剂，是一种感光材料，其中的感光成分在光的照射下会发生化学变化，从而引起溶解速率的改变，其。，提高光刻胶与晶圆片之间的黏附性，减少由光刻胶黏附性不好而引起的缺陷，从而提高光刻胶的抗湿法腐蚀性能。

膜的相容性对染料掺杂的聚合物DR1 / SU-8的电光性能的影响

04-06

研究了被动包覆和极化分散红1（DR1）掺杂的紫外线（UV）固化聚合物SU-8的物理化学相容性。在硅基板上分别制成由DR1 / SU-8芯和Norland Optical Adhesive 73（NOA73），SU-8，聚二甲基硅氧烷（PDMS）或聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）上覆层组成的多层膜。通过扫描电子显微镜对界面形态进行了表征。进行平行板电场极化以对齐SU-8中发色团的极性。当NOA73用作上覆层时，通过采用过量的紫外线照射和较高的温度处理，可以获得没有化学腐蚀或分层的芯层－覆层界面。通过原子力显微镜测量上包层表面的均方根粗糙度，以验证极化过程。这些多层膜的电光（EO）信号响应幅度用于极化后通过Teng-Man方法表征DR1发色团的极化取向。在DR1 / SU-8的玻璃化温度下测量了包层的电阻率，以解释EO响应差异。通过延长极化过程中的冷却时间，NOA73 /（DR1 / SU-8）的构型在550 h内表现出最佳的EO性能和幅度上的时间松弛。制作了一个通道波导来研究极化引起的光损耗。结果表明，选择具有良好电学和化学性能的无源熔覆层对于建立染料-聚合物体系中的光学非线性至关重要。

光刻化学品详解：增粘剂、光刻胶分类及技术参数

光刻技术是集成电路制造的核心步骤之一，涉及到多种化学品的使用，包括增粘剂、光刻胶、抗反射涂层、抗水涂层、显影液以及有机化学溶剂等。这些化学品在光刻过程中各自发挥着不同的作用，共同确保光刻图案的精确复制...

电子政务-一种集成电路光刻涂胶工艺HMDS烘箱.zip

09-16

6. 显影：用特定的显影液去除曝光部分的光刻胶，形成所需的电路图案。 7. 刻蚀或沉积：根据工艺需求，对暴露的硅片进行蚀刻或沉积新的材料。 8. 去胶：最后，未曝光的光刻胶被去除，完成整个光刻过程。 HMDS烘箱的...

光刻胶介绍

01-15

光刻胶介绍

电子政务领域集成电路光刻涂胶工艺详解与HMDS烘箱设计

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一：基本说明对于电路设计PCB制作必不可少，大多数PCB制板都会选择一些PCB生产厂家并且许多厂家提供拼版，SMT，铝基板，各种颜色油墨丝印等服务，做工非常漂亮，下面是博主的几PCB厂家的PCB板子但是非加急情况大多需要3-4天交期，对于实验性PCB板子没有这么大量，而且也没必要去专程花钱做PCB，这种情况下，大多数人会选择手工焊接洞洞板如下：但是焊接洞洞板费时费力，而且稳定性很是堪忧。因此产

光刻胶分为：半导体光刻胶/LCD光刻胶/PBC光刻胶

zhaocaijinbaoya的博客

01-26

5719

光刻胶分为：半导体光刻胶/LCD光刻胶/PBC光刻胶 光刻胶的种类： 光刻胶的主要成分有光刻胶树脂、感光剂、溶剂和添加剂。光刻胶树脂是一种惰性的聚合物基质，是用来将其它材料聚合在一起的粘合剂；光刻胶的粘附性、胶膜厚度等特性都是由树脂决定的。感光剂是光刻胶的核心部分，它对光形式的辐射能，特别是在紫外区光的辐射能会发生反应；曝光时间、光源所发射光线的强度都和感光剂的特性直接相关。溶剂是光刻胶中容量较大的成分；因为感光剂和添加剂都是固态物质，为了将他们均匀地涂覆，要将它们加入溶剂进行溶解，形成液态

Gd-DTPA钆元素钆元素对比磁共振造影剂氟-19磁共振/荧光双模态显影剂19F MRI

zhaocaijinbaoya的博客

03-31

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Gd-DTPA钆元素钆元素对比磁共振造影剂氟-19磁共振/荧光双模态显影剂19F MRI 钆对比剂的原理钆(Gd)元素螯合物是所有磁共振造影剂中使用较广泛的。由于其独特的电子结构，Gd3+具有7个不成对电子，这些电子与质子一样为偶极子，具有磁矩，其磁矩约为质子的657倍。Gd具有很强的顺磁性。顺磁性是某些材料的固有属性，当置于外部磁场中时会暂时磁化。事实上，Gd是室温下仅有的四种可以磁化的元素之一(另外三种是铁、镍和钴)。Gd强大的顺磁性使其作为磁共振造影剂非常有用。在磁共振图像中没有直接看到钆的存

光刻胶紫外正性光刻胶/负性光刻胶/电子束及深紫外光刻胶

zhaocaijinbaoya的博客

01-22

2347

光刻胶紫外正性光刻胶/负性光刻胶/电子束及深紫外光刻胶 光刻胶 光刻胶紫外正性光刻胶 光刻胶紫外负性光刻胶 电子束及深紫外光刻胶 二手CMP研磨系统 CMP研磨系统进口CMP系统进口CMP系统涂覆保护产品旋涂玻璃(SOG ) 旋涂掺杂( SOD ) 在集成电路制造领域，如果说光刻机是推动制程技术进步的“引擎”，光刻胶就是这部“引擎”的“燃料”。下图展示了光刻胶如何在一个NMOS三极管的制造工艺中发挥作用。NMOS三级管是半导体制程工艺中常用的集成