芯片设计IR-Drop介绍

IR drop的定义

IR drop是指在集成电路中电源和地网络上电压下降和升高的一种现象。随着半导体工艺的不断演进，金属互连线的宽度越来越窄，电阻值不断变大（供电电压也越来越小），IR drop的效应越来越明显。因此，现在的芯片最后都把IR drop的分析做为芯片signoff的一个必要步骤。业界的signoff工具大部分采用的是Redhawk。

IR Drop的种类

IR drop主要分为两种。一种是静态的IR drop，另外一种则是动态的IR drop。

静态IR drop现象产生的原因主要是电源网络的金属连线的分压，是由于金属连线的自身电阻分压造成的。电流经过内部电源连线的时候产生电源压降。所以静态IR drop主要跟电源网络的结构和连线细节有关。因此静态IR drop主要考虑电阻效应，分析电阻的影响即可。

动态IR drop是电源在电路开关切换的时候电流波动引起的电压压降。这种现象产生在时钟的触发沿，时钟沿跳变不仅带来自身的大量晶体管开关，同时带来组合逻辑电路的跳变，往往在短时间内在整个芯片上产生很大的电流，这个瞬间的大电流引起了IR drop现象。同时开关的晶体管数量越多，越容易触发动态IR drop现象。

在项目前期，由于数字后端实现的database没有ready，后仿可能也没有时间做，所以此时动态IR Drop的分析一般都是基于Vectorless。而项目后期都是需要基于某个场景下，比如max power，去产生对应的VCD，然后再去做基于VCD的动态IR drop分析。基于VCD动态IR drop的分析一般可以不指定各个子模块的功耗值，工具可以从VCD中获取对应的power值，如果没有对应的功耗值，则采用用户设置的值。

IR Dro