中国在面临技术封锁的背景下，RISC-V架构因其开放性和国产化优势成为推动半导体领域国产化进程的关键。RISC-V中国峰会上，倪光南院士强调了其在中国CPU领域的地位。中国在RISC-V芯片出货量上表现出色，预计未来几年将成为全球RISC-V市场的重要领导者，如英韧科技的YRS820产品线展示了国产高性能芯片的进展。
当前复杂的国际环境下，尤其是面对技术封锁和供应链风险，中国对核心技术的自主可控提出了更高的要求。在半导体领域，国产化进程加速，尤其是在处理器和存储控制器等关键组件上寻求替代方案。选用RISC-V架构符合这一趋势，因为它：
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不受制于国外专利壁垒：RISC-V的开放性有助于避免知识产权纠纷，降低对外部技术依赖，确保供应链安全。
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促进本土产业链发展：采用RISC-V可以带动国内芯片设计、IP开发、软件适配等相关产业的发展，形成自主可控的产业链闭环。
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符合国家政策导向：国家目前在大力支持RISC-V技术的研发与应用，将其视为推动国产芯片产业发展的重要抓手。
2023年8月23日，RISC-V中国峰会（RISC-V Summit China 2023）上，中国工程院院士倪光南表示，RISC-V是中国CPU领域最受欢迎的架构，成为推动新一代信息技术发展的新引擎。他曾预言，中国可借RISC-V架构，与X86、ARM形成三足鼎立之势。虽然RISC-V暂时还没有与X86、ARM三足鼎立，但很明显，这一天已经不远了。
中国在RISC-V架构芯片出货量方面也取得了显著的成果。2022年，全球采用RISC-V架构的100亿颗芯片中，中国贡献了超过一半，达到了50亿颗。而预测到2025年时，全球RISC-V芯片出货量将达到800亿颗，而中国将贡献四分之三，达到600亿颗，成为RISC-V芯片的领跑者。
近日，有媒体报道，英韧科技（InnoGrit）已开始批量生产其首款消费级 PCIe 5.0 SSD 控制器 YRS820。据不完全统计，应该算是首个面向消费级市场的RISC-V架构PCIe 5.0 SSD主控芯片。
英韧科技去年已开始生产企业级 PCIe 5.0 控制器 YRS900。与YRS900一样，YRS820基于RISC-V开源指令架构以避免侵犯美国出口限制。
根据英韧科技官网消息：YRS900亦支持FDP （Flexible Data Placement）、SR-IOV硬件虚拟化技术、CMB等特性；FDP功能的引入，有助于灵活写入数据，提升稳态随机写性能，且大大降低写放大，特定应用中，WAF甚至可接近1。FDP功能的导入仅需较少的生态系统支持，也没有顺序写入的限制，标准数据中心SSD使用过程中，可灵活配置打开或者关闭FDP功能。
此外，其他官网Tacoma (IG5669)系列PCIe 5.0主控还支持ZNS功能。说明英韧在企业级市场，也有不小的野心。
扩展阅读：
去年2023年云栖大会上，阿里平头哥于11月1日发布了首款云计算SSD主控芯片——镇岳510。镇岳510采用RISC-V架构的玄铁910多核CPU系统，内置了自主研发的硬件加速模块，实现性能与功耗的平衡。存储和接口方面，镇岳510支持最新的DDR5和PCIe 5.0技术，大幅提升数据吞吐量。镇岳510采用自主研发的LDPC纠错算法和介质电压预测算法，误码率达到行业领先水平。同时，也是实现ZNS协议支持。
根据介绍，YRS820 具有四通道 PCIe 5.0 接口，支持多达八个 NAND 闪存通道。支持3D TLC 或 QLC NAND，NAND传输速率最高可以达到 2,667 MT/s ，最大支持容量为 8TB，这对于目前 M.2 SSD 的上限来说绰绰有余。
官方数据显示，英韧科技将 YRS820 控制器与长江存储（YMTC）的 232 层 X3-9070 TLC NAND 结合，分别实现了超过 14.2 GB/s 的顺序读取速度和 12.4 GB/s 的顺序写入速度。随机性能为 2,000,000 IOPS 读取和 1,500,000 IOPS 写入。X3-9070 运行在 2,400 MT/s，这意味着 YRS820 仍有未开发的潜力。
英韧科技声称 YRS820 能够实现无风扇设计下的性能指标。因为当前的 PCIe 5.0 SSD 在重载下运行温度很高，需要厚重的散热器和主动冷却来保持性能。英韧科技这部分没有对外展示具体实现方案细节。
扩展阅读：
英韧科技仍在与国内 NAND 和 DRAM 制造商验证 YRS820，以扩大其在国内生态系统。目前只知道它与 YMTC 的 NAND 协同良好。英韧科技仅确认 YRS820 已经批量生产，但没有分享搭载 YRS820 的 SSD 何时登陆市场。
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