当前复杂的国际环境下,尤其是面对技术封锁和供应链风险,中国对核心技术的自主可控提出了更高的要求。在半导体领域,国产化进程加速,尤其是在处理器和存储控制器等关键组件上寻求替代方案。选用RISC-V架构符合这一趋势,因为它:
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不受制于国外专利壁垒:RISC-V的开放性有助于避免知识产权纠纷,降低对外部技术依赖,确保供应链安全。
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促进本土产业链发展:采用RISC-V可以带动国内芯片设计、IP开发、软件适配等相关产业的发展,形成自主可控的产业链闭环。
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符合国家政策导向:国家目前在大力支持RISC-V技术的研发与应用,将其视为推动国产芯片产业发展的重要抓手。
2023年8月23日,RISC-V中国峰会(RISC-V Summit China 2023)上,中国工程院院士倪光南表示,RISC-V是中国CPU领域最受欢迎的架构,成为推动新一代信息技术发展的新引擎。他曾预言,中国可借RISC-V架构,与X86、ARM形成三足鼎立之势。虽然RISC-V暂时还没有与X86、ARM三足鼎立,但很明显,这一天已经不远了。
中国在RISC-V架构芯片出货量方面也取得了显著的成果。2022年,全球采用RISC-V架构的100亿颗芯片中,中国贡献了超过一半,达到了50亿颗。而预测到2025年时,全球RISC-V芯片出货量将达到800亿颗,而中国将贡献四分之三,达到600亿颗,成为RISC-V芯片的领跑者。
近日,有媒体报道,英韧科技(InnoGrit)已开始批量生产其首款消费级 PCIe 5.0 SSD 控制器 YRS820。据不完全统计,应该算是首个面向消费级市场的RISC-V架构PCIe 5.0 SSD主控芯片。
英韧科技去年已开始生产企业级 PCIe 5.0 控制器 YRS900。与YRS900一样,YRS820基于RISC-V开源指令架构以避免侵犯美国出口限制。
根据英韧科技官网消息:YRS900亦支持FDP (Flexible Data Placement)、SR-IOV硬件虚拟化技术、CMB等特性;FDP功能的引入,有助于灵活写入数据,提升稳态随机写性能,且大大降低写放大,特定应用中,WAF甚至可接近1。FDP功能的导入仅需较少的生态系统支持,也没有顺序写入的限制,标准数据中心SSD使用过程中,可灵活配置打开或者关闭FDP功能。
此外,其他官网Tacoma (IG5669)系列PCIe 5.0主控还支持ZNS功能。说明英韧在企业级市场,也有不小的野心。
扩展阅读:
去年2023年云栖大会上,阿里平头哥于11月1日发布了首款云计算SSD主控芯片——镇岳510。镇岳510采用RISC-V架构的玄铁910多核CPU系统,内置了自主研发的硬件加速模块,实现性能与功耗的平衡。存储和接口方面,镇岳510支持最新的DDR5和PCIe 5.0技术,大幅提升数据吞吐量。镇岳510采用自主研发的LDPC纠错算法和介质电压预测算法,误码率达到行业领先水平。同时,也是实现ZNS协议支持。
根据介绍,YRS820 具有四通道 PCIe 5.0 接口,支持多达八个 NAND 闪存通道。支持3D TLC 或 QLC NAND,NAND传输速率最高可以达到 2,667 MT/s ,最大支持容量为 8TB,这对于目前 M.2 SSD 的上限来说绰绰有余。
官方数据显示,英韧科技将 YRS820 控制器与长江存储(YMTC)的 232 层 X3-9070 TLC NAND 结合,分别实现了超过 14.2 GB/s 的顺序读取速度和 12.4 GB/s 的顺序写入速度。随机性能为 2,000,000 IOPS 读取和 1,500,000 IOPS 写入。X3-9070 运行在 2,400 MT/s,这意味着 YRS820 仍有未开发的潜力。
英韧科技声称 YRS820 能够实现无风扇设计下的性能指标。因为当前的 PCIe 5.0 SSD 在重载下运行温度很高,需要厚重的散热器和主动冷却来保持性能。英韧科技这部分没有对外展示具体实现方案细节。
扩展阅读:
英韧科技仍在与国内 NAND 和 DRAM 制造商验证 YRS820,以扩大其在国内生态系统。目前只知道它与 YMTC 的 NAND 协同良好。英韧科技仅确认 YRS820 已经批量生产,但没有分享搭载 YRS820 的 SSD 何时登陆市场。
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