三极管（笔记1）

概述

双极晶体管：BJT（Bipolar Juction Transistor），俗称三极管。（NPN型结构图：）

e - 发射极；b - 基极；c - 集电极；

发射区和基区形成的PN结称作发射结，集电区和基区形成的称作集电结。

发射区：发射载流子（掺杂浓度浓度高）

集电区：收集载流子（掺杂浓度低，面积大）

基区：控制区

 

基本共射放大电路

•  共射：发射极为连接输入端和输出端的共同参考点
•  共基：基极为连接输入端和输出端的共同参考点

Rb是限流电阻，限定最大电流值；

b、e极类似一个二极管，如果没有电阻限流，很小的电压增长会带来很大电流变化，烧坏三极管。

集电极电流（电流大）总和基极电流（电流小）成比例，称为三极管的电流放大作用 

放大原理

三极管的放大是基于内部载流子的运动，条件是发射结正偏，集电结反偏。

保持（U_BE大于导通电压，U_BC小于击穿电压），使得发射结正偏，集电结反偏：

由于浓度差与电场作用，发射区的大量自由电子扩散到基区，极少量空穴（基区掺杂浓度较发射区少且空间小）相对移动到发射区（图中I_EP）；

基区的宽度和基区的掺杂浓度决定了基区复合的百分比（固定），因此在基区，只有极少数的自由电子（平衡少子）和空穴发生复合；

复合后的自由电子从基极流向电源，使得对于进入基区的自由电子而言，总有一小部分自由电子从基极通向电源，形成I_B；

在集电区，由于反偏，基区的少子自由电子会作漂移运动到集电区，保持从发射区到集电结的浓度梯度保持不变。该自由电子进而通向集电极外形成I_C；

由于基极非常薄，且与集电极之间存在反向偏置，大部分电子会穿过基极并被N型集电极收集，形成集电极电流（(I_C)）；

基极电流（(I_B)）是由少量在基极区复合的电子形成的，这个电流相对较小；

集电极电流主要由发射极提供的电子组成，几乎等于发射极电流（(I_E)）

在基区复合的自由电子与进入集电区的自由电子成固定比例，I_B与I_C成固定比例，即放大比例； 

放大系数

一、共射

 

穿透电流：当I_B = 0时，发射结没有外加电压，各区断开但仍有微弱电流，称为穿透电流

二、共基