概述
双极晶体管:BJT(Bipolar Juction Transistor),俗称三极管。(NPN型结构图:)
e - 发射极;b - 基极;c - 集电极;
发射区和基区形成的PN结称作发射结,集电区和基区形成的称作集电结。
发射区:发射载流子(掺杂浓度浓度高)
集电区:收集载流子(掺杂浓度低,面积大)
基区:控制区
基本共射放大电路
- 共射:发射极为连接输入端和输出端的共同参考点
- 共基:基极为连接输入端和输出端的共同参考点
Rb是限流电阻,限定最大电流值;
b、e极类似一个二极管,如果没有电阻限流,很小的电压增长会带来很大电流变化,烧坏三极管。
集电极电流(电流大)总和基极电流(电流小)成比例,称为三极管的电流放大作用
放大原理
三极管的放大是基于内部载流子的运动,条件是发射结正偏,集电结反偏。
保持(U_BE大于导通电压,U_BC小于击穿电压),使得发射结正偏,集电结反偏:
由于浓度差与电场作用,发射区的大量自由电子扩散到基区,极少量空穴(基区掺杂浓度较发射区少且空间小)相对移动到发射区(图中I_EP);
基区的宽度和基区的掺杂浓度决定了基区复合的百分比(固定),因此在基区,只有极少数的自由电子(平衡少子)和空穴发生复合;
复合后的自由电子从基极流向电源,使得对于进入基区的自由电子而言,总有一小部分自由电子从基极通向电源,形成I_B;
在集电区,由于反偏,基区的少子自由电子会作漂移运动到集电区,保持从发射区到集电结的浓度梯度保持不变。该自由电子进而通向集电极外形成I_C;
由于基极非常薄,且与集电极之间存在反向偏置,大部分电子会穿过基极并被N型集电极收集,形成集电极电流((I_C));
基极电流((I_B))是由少量在基极区复合的电子形成的,这个电流相对较小;
集电极电流主要由发射极提供的电子组成,几乎等于发射极电流((I_E))
在基区复合的自由电子与进入集电区的自由电子成固定比例,I_B与I_C成固定比例,即放大比例;
放大系数
一、共射
穿透电流:当I_B = 0时,发射结没有外加电压,各区断开但仍有微弱电流,称为穿透电流