PN结的特性

话不多说先上图

l

正向特性:锗管的导通电压小于硅管

反向特性:反向击穿时的电流锗管大于硅管

为什么不掺杂更高价的元素的原因--->高价元素无法保证晶格结构的稳定性

两种反向击穿

首先声明:损坏与击穿是两个概念!!!

雪崩击穿:掺杂浓度低

需要粒子的加速过程,温度一高,晶格开始振动,就导致了,电子的自由行程就越低,加速就不够,所以需要大的外部电压

温度越高所需击穿电压越高

掺杂浓度低的时候出现的击穿,需要具有足够的宽度才能够实现,粒子不断的加速,撞击共价电子,一个变俩,两个变三,越滚越大

掺杂浓度低---->实际上就是,中间电荷区大

齐纳击穿:掺杂浓度高

温度越低所需击穿电压越低

掺杂浓度高的时候,中间电荷区非常窄,所以场强是非常大的,直接把价电子拉出来,拥有足够大的力量,但此时PN结并未损坏,只是电子被拉出来了,事实上被击穿是由于发热导致的热击穿,PN结断开了

为什么坏

坏是由于引起了温度的升高所导致的功率的上升,导致了热击穿(二次击穿),才坏了

但是温度没过高时,工作在反向击穿状态,没坏,但是必须控制好电压,不让其过热

稳压二极管的原理

当我们观察PN结的反向击穿部分,可以发现电流在一个很大的变化范围之内,他的电压是不变的,工作在反向击穿区域,这就是稳压二极管的原理

不同的掺杂浓度对应不同的击穿电压,通过不同的掺杂浓度与工艺就可以得到不同的反向击穿电压

PN结与电容的关系

电容---->电压与储存电荷,电压变化得时候,电容存储的电荷肯定是改变的

PN结的电容效应

势垒电容---->可以做成可变电容

非平衡少子--->

加的电压越高,耗尽层左边聚集的电荷量就越高

只要电压能够引起两端的电压变化就能够等效成一个电容此电容称为扩散电容

 半导体二极管:

PN结各自引出两个引脚实现

 伏安特性

1.由于有外面的包装,导致有体电阻的存在,导致电流比PN结小

2,反向电流更加大一些

温度影响

正向特性

1.T上升,正向左移,反向右移

室温下,每升高一度,正向压降减小2-2.5mv

每升高10度,反向电流增大一倍

2.钳制电位的作用,控制电压的大小,在导通电压上下

反向特性:稳压,可以做成不同电压的稳压