PN结的形成

本征半导体是个啥

1.导体:就像铁等金属一样,核外电子能容易脱离原子核的束缚从而实现导电的功能

2.绝缘体:电阻率高的物质称为绝缘体,核外电子不容易脱离原子核的束缚从而使得导电能力很弱,使得导电能力很弱

3.半导体:导电能力介于导体与绝缘体之间的物质

载流子:

复合:自由电子"撞到"空穴,重新成为价电子

本征激发:电子(粒子)逃离过程中,留下了一个空穴---->本征激发

空穴与自由电子

本征激发和复合以及温度就决定了载流子的浓度

本征激发又和温度相关

粒子能够逃离共价键的束缚的原因---->粒子的热运动(能量)

粒子逃离之后就能够实现导电的功能,同时空穴也能够导电

原因:假设施加电场,其余共价键中的价电子能够跳到空穴当中,依次填补就造成了空穴的相对移动实现导电功能

随着这个过程的进行,本征激发的速度与复合的速度逐渐相同出现了动态的平衡

实际上温度的上升导致载流子的浓度不断上升,载流子浓度的上升就导致了复合的速度也加快,最后才出现动态的平衡

怎么使用本征半导体(提高导电性能)

从本征半导体的特性入手:

1.可掺杂性

本征半导体掺杂了少量的其他元素就变成了杂质半导体

N型半导体

掺杂了少量的P(磷),导电性能瞬间提升,因为有一个外部电子容易逃离原子核的束缚,甚至比原来未掺杂的半导体导电性能提升上百万倍

少子与多子

磷元素的加入使得自由电子数量大量增加--->自由电子大大的多,我们叫他多子

同理空穴大大的少---我们称少子(可能比本征半导体的空穴还要少,因为电子大大的多)

注意此时的多子(自由电子受温度的影响就已经非常小了,因为电子非常非常多)

但是对于少子而言,受温度的影响就更加敏感了(总共就没有几个了)

因此以后遇到的问题当中如果与多子相关---->受温度影响就非常小

与少子相关,受温度影响就非常大

施主原子

N型半导体载流子大多数为电子

磷原子由于供应了电子,因此称为施主原子

P型半导体:

与上面的类比就可以得出P型半导体载流子大多数为空穴,掺杂了硼元素,硼为三价元素,外部多余空穴

奇迹出现

最核心的PN结

 N区多电子,P区多空穴,扩散运动发生

N区电子跑向P区空穴,P区空穴跑向N区电子,双向奔赴

空间电荷层:在中间结合之后出现了空间电荷区非常少的载流子,当N区电子还想继续过去时就出现了,此中间电荷区就会阻止他,同样的也会阻止P区的空穴,都是阻止多子的扩散运动(耗尽层,阻挡层,PN结)

但是少子就不一样了,他们不会受阻碍,反而会直接被推到对面,我们称为漂移运动

以上都是在掺杂浓度相同时出现的,但是只要掺杂浓度不一样,浓度高的那一边就会窄,浓度低就会宽

称为不对称结.

施加不同的外部电压(导通与否)

PN结外加正向电压,削弱了内电场,N区电子就可以流向P区空穴了,同理P区空穴也可以流向N区电子了,宏观上来看就是导电了

当我们施加反向的电压,那么我们加强了内电场,使得这个壁垒越来越高就越抑制了扩散运动,宏观上就是不导电的

就是只能从P区流向N区,而不能从N区流向P区,当然了并不是绝对不导电,还是会有非常微弱的电流的(原因是空穴的漂移运动得到加强)

结论:

 

PN结的特性电流方程

Is:反向饱和电流

U:PN结的导通电压(硅管(0.6-0.7V),锗管(0.2-0.3V))

Ut:温度当量(室温下为26mv)