基于双脉冲实验的Sic与IGBT特性对比研究

基于双脉冲实验的Sic与IGBT特性对比研究

摘要：SiC功率器件的应用要求对SiC半导体器件本身结构性能及工作特性等有系统认识和研究，其相关工作在国内才刚起步。通过搭建双脉冲实验平台，对SiC功率器件驱动工作特性进行实验研究，进行双脉冲测试， 实现530 A大电流驱动关断实验。与IGBT模块的双脉冲测试结果对比，SiC功率器件比IGBT器件开关速度更快，开关损耗更小，续流管反向特性好，反向恢复电流更小。此外，针对SiC功率器件关断时的涌浪电压问题， 釆用纯C吸收电路可有效抑制涌浪电压，降低器件的关断损耗。 .

钟再敏，石不凡，黄熙(同济大学，汽车学院，上海201804)

1引言 

整个半导体材料的发展经历了以Si和Ge为第1代半导体材料，以GaAs,AlAs等为第2代半导体材料⑴。SiC作为第3代宽禁带半导体材料， 具有禁带宽度大、热导率高、相对介电常数大、电子饱和漂移速度快、击穿场强大、熔点高、莫氏硬度大等特点，得到越来越多的应用。SiC功率器件具有反向漏电流小、开关频率高、阻断电压高、导通电阻小和工作温度高等特点，适用领域多⑵。 在此针对SiC功率模块，利用双脉冲实验，对其开关特性、损耗与IGBT模块进行对比，同时提出针对SiC功率器件驱动涌浪电压的抑制方法。

2 双脉冲实验

双脉冲实验是对功率器件及驱动电路性能评估的重要手段，通过双脉冲测试对SiC功率器件进行测试⑶。同时，对一款车用IGBT模块进行测试，从而对这两款基于不同材料的功率器件的性能进行分析比较。在测试中检验下述要求和功能：①对比SiC功率模块和IGBT模块的性能特点(开关特性及二极管反向恢复特性)；②对比并评估SiC功率模块和IGBT模块在开关过程中的损耗；③评价SiC模块工作时(换流)电压尖峰、二极管反向恢复行为等是否得当，以及整个系统杂散电感的情况。双脉冲测试电路如图1所示。系统的工作过程如下：将上管进行负压关断，并对下管的栅源极施加两个脉冲信号。在第一次开通时间7；内，被测的SiC功率模块饱和导通，母线电压加在与上管并联的电感“°上，电感上的电流线性增大，表示为:

在T2内,下管关断，电感上的电流通过上管并联的续流二极管（图中的回路）进行续流，续流时间很短，二极管续流损耗小，电流值变化小。在丁3内，下管再次开通，上管续流二极管发生反向恢复现象，在该时间内电感电流在原续流电流基础上继续线性增大，在脉冲厶结束时关断的du/dt及di/dt最大，此时加在下管漏源极之间的电压尖峰也最大。 

图1上标记出示波器测量点的位置，在双脉冲实验中，测试者关注的是下管栅极驱动电压、下管漏源极电压以及下管漏极电流的波形图。同样,通过双脉冲实验可以对二极管的安全工作风险点进行判断，对二极管的反向恢复行为进行测试，将电流探头移到图2所示的位置即可测得。通过图2测试方法研究SiC器件并联的SiC-SBD与硅基快恢复二极管的特性差异，对二次开通时上管SiCSBD反向恢复行为波形进行测试，并与IGBT的硅基快恢复二极管测试结果进行对比。

双脉冲测试平台用到的设备及用途如下：高压可调线性电源为600 V/2.6 A,用于外部供电;罗氏电流探头为30 A-300 kA,用于测量漏源极电流；高压差分隔离探头为700 V PEAK MAX用于测量栅源极和漏源极电压;空心电感为24 pH,可以使电流线性增大，续流；示波器为4通道输入200 MS-s-',用于满足100 MHz以上带宽，测出高频信号变化；复合母排用于将高压接入SiC模块;薄膜电容为450 J1H,用于释放瞬时电流。 基于双脉冲测试对SiC驱动板的极限驱动能力进行测试，波形如图3所示（探头比例原因实际电流为图中5倍）。此时二次开启电流为250 A,二次关断时模块电流约530 A,关断电流为SiC功率器件额定最大工作电流的2倍左右，设计的驱动电路是安全可靠的。 

3 SiC功率器件与IGBT开关特性对比研究

3.1 二次开通过程对比研究

测试条件为300 V的母线电压，且两个脉冲的开关间隔均为15密，通过改变不同栅极开关电阻对两类器件进行特性对比。对于IGBT模块及SiC功率器件，开通过程均是驱动芯片通过隔离DC/DC电源对器件栅极电容充电的过程。从电压及电流波形分析比较SiC器件及IGBT模块在二次开通时的性能区别。 

首先分析二次开启时栅极驱动电压波形的影响因素，图4为SiC功率器件在1R和2.7R栅极开启电阻,170 A二次开启电流的栅极电压波形图。可见，由于开启电阻越小开启速度越快，开启时栅极的du/At及di/dt更大，1R栅极电阻开启时栅极驱动电压振荡比2.7R更大。在器件打开瞬间,栅极电压会产生一个凹坑（图中圈出来的位置），这主要是二次开通时上管并联的二极管换流产生的电流突变，由于栅极电容路径对栅极电压造成的影响，需要在驱动板上加入电阻释放能量以避免对系统工作的干扰。

图5为2.7R栅极开启电阻，SiC功率器件和IGBT器件二次开启栅极电压波形图，可见，SiC功率器件开启速度比IGBT模块快很多，在2.7R漏极电流170 A情况下开启,SiC功率器件仅用1.2 jis,而同等情况下IGBT器件需要4~5 jis,这主要是由于SiC功率器件的等效开启电荷量比IGBT器件小很多,IGBT器件开启时在米勒平台对米勒电容充电需要较长时间。

对SiC功率器件及IGBT器件在二次开启时的漏极电流特性进行研究。图6a为两种器件在2.7R栅极开启电阻下，以第2次脉冲开启时刻为起始点，在厶=170 A电流下开启的电流波形图。 可知，相同起始时刻下，SiC功率器件在相同电流下完全导通的时间会比IGBT器件缩短近300 ns。 同时，SiC功率器件开启时的电流尖峰更小，可间接得出SiC器件二极管的反向恢复特性比IGBT模块上硅基快恢复二极管特性更好。对二次开启时的SiC模块电压特性进行研究。在2.7R开启电阻，厶=170 A开启电流下，SiC功率器件二次开启的电压波形如图6b所示。

可知，在二次开启时，下管的％可测得一个电压缺口（图中△%）,这是由于在下管电流开始增长时，主路杂散电感上感应的电压方向与母线电压方向相反，可抵消一部分母线电压。

3.2二次关断过程对比研究

图7为SiC功率器件及IGBT器件在300 V关断电压、335 A关断电流下釆用1R关断电阻的栅极、门极波形，可见,IGBT器件关断速度比SiC器件慢很多，主要原因是SiC器件关断时等效米勒电容比IGBT器件小很多，米勒平台时间更短，但更快的关断速度使寄生参数造成栅极驱动的振荡。

图8为SiC功率器件及IGBT器件在300 V关断电压335 A关断电流2.7R关断电阻下漏源极、集射极电压波形。可知，相同关断电阻下SiC功率器件关断速度快会快很多，但电压的涌浪也会更高,SiC功率器件下在关断时漏源极电压会产生高频振荡（关断已经结束），这是漏源极电压在上升到最大值后，开关回路中寄生电感与寄生电容产生谐振引发的振荡。

3.3功率器件损耗对比研究

半导体功率器件上的损耗主要分为通态损耗和开关损耗。在相同导通电流下，通态损耗主要与半导体器件的导通压降相关（与功率半导体化™密切相关）,SiC功率器件由于材料特性（物理参数），在相同规格下的导通电阻比IGBT的导通电阻要小，故SiC功率器件的导通压降比同等级别的IGBT模块导通压降小，通态损耗更低。 

开关损耗主要与器件本身以及栅极驱动电阻相关，开关损耗分为开通时的导通损耗以及关断时的截止损耗，可以通过双脉冲测试从示波器中计算得出，表示为：

根据式（3）,可计算出SiC功率器件及IGBT器件在不同栅极开启电阻下的导通损耗（300 V母线电压、170 A电流下开启），参数如下：开启电阻为0.2R时，SiC功率器件为0.31 mJ；开启电阻为1R时,SiC功率器件为1.43 mJ；开启电阻为1.95R时，SiC功率器件为2.26 mJ,IGBT器件为7.98 mJ（接近门极开启电阻极限值）；开启电阻为2.7R时,SiC功率器件为3.4 mJ,IGBT器件为10.78 mjo可知，在相同的开启电阻及开启条件下，SiC功率器件的开通损耗比IGBT模块小很多。同时，与SiC功率器件相比,IGBT器件不能选取过小的开启电阻，否则会造成过高的du/dt,从而引发1GBT器件的擎住效应，且过大的di/dt容易击穿IGBT器件。但SiC器件可以采取很小的开启电阻（甚至0.2R开启电阻）而不会发生雪崩破坏（短时可耐更大的du/dt和di/dt） 

SiC功率器件及IGBT器件在不同栅极关断电阻下的关断损耗（300 V母线电压、335 A电流下关断）情况如下：关断电阻为0.2R,SiC功率器件损耗为6.22 mJ；关断电阻为lR,SiC功率器件损耗为7.39 mJ,IGBT器件损耗为19.78 mJ；关断电阻为1.95R,SiC功率器件损耗为7.95 mJ,IGBT器件损耗为21.69 mJ；关断电阻为2.55R,SiC功率器件损耗为&41 mJ,IGBT器件为损耗23.09 mJ；关断电阻为2.7R,SiC功率器件损耗为8.63 mJ,IGBT器件损耗为23.77 mjo可知，SiC功率器件的关断损耗比IGBT器件小很多，是因为SiC功率器件在关断时没有拖尾电流，且关断速度比IGBT快很多。 

同时，SiC功率器件可以使用比IGBT器件更小的开启和关断电阻，从而可以进一步降低损耗。

4 SiC功率器件驱动涌浪电压抑制方法

虽然同级别的SiC模块相比IGBT模块内部杂散电感要小得多，但SiC功率模块开关速度快， 开关时电流变化率更大，在漏源极产生很大的涌浪电压，甚至会超过额定电压从而击穿功率模块,因此，对SiC功率模块在工作中采取一定的电压涌浪的抑制措施是必须的。

通过减小系统主路上的杂散电感值厶可以降低涌浪电压，由于SiC器件及支撑电容一旦选定，其自身的杂散电感也会固定，降低主路上的杂散电感则只能通过降低直流母线上的杂散电感的方法实现。此外，增加外部缓冲电路（吸收电路）是另外一种可行的方法，如图10所示。常见无源缓冲电路基本类型有纯C吸收电路、RC吸收电路、RCD吸收电路。

收电路。测试结果如图12所示，将加入缓冲电路前后的测试结果进行对比，可以发现，未加入吸收电路时以1R栅极电阻关断，涌浪电压为600 V,纯C吸收电路可抑制59 V涌浪电压，RCD吸收电路可抑制42 V涌浪电压。综上所述，加入缓冲电路能有效地抑制电压涌浪，改善关断时的电压谐振，纯C吸收电路的效果更好(寄生参数最小)。通过计算，1R栅极电阻下，外加纯C吸收电路可降低SiC功率器件的关断损耗0.3 mJ,但增加器件的开启损耗0.1 mJ,总体上降低了系统的开关损耗。

5结论

双脉冲测试是检测功能功率模块以及驱动电路性能的重要手段。所述方法实现了双脉冲测试平台的搭建，采用CPLD进行双脉冲信号触发，对设计的驱动电路以及SiC功率器件进行了双脉冲测试，并与某公司一款耐压值相同的IGBT模块的双脉冲测试结果进行对比分析。对比结果显示，SiC功率器件与IGBT器件相比，开关响应更快， 损耗约是IGBT的1/3。同时，SiC功率器件可以选用更低的栅极开关电阻，大幅降低功率器件的开关损耗。针对SiC功率器件关断时涌浪电压过高的问题，通过分析涌浪电压的抑制措施，实验验证无源纯C及RCD吸收电路可有效抑制涌浪电压， 降低开关损耗。总而言之，相比较于IGBT模块，SiC功率模块在高频开关及大功率逆变应用领域中有更好的开关性能优势。