场效应管(field-effect transistor)简称为FET也可以胜任放大器。场效应管分成的JFET(结型场效应管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)两大类。
场效应管有3个管脚:
G—栅极(gate)
D—漏极(drain)
S—源极(source)
对于JFET来说电压VGS越大,电流ID越小。
提高VDD(VGS=0),使VDS增加到VP时,D极电流ID开始趋于平稳,并且即便VDS继续升高,ID仍然基本保持不变。我们把VGS=0时,使ID开始达到恒定时的VDS称为夹断电压(pinch-off voltage),通常用VP来表示。
当VDS达到或超过夹断电压时VP,D极电流ID
电子元器件简介——场效应管篇
最新推荐文章于 2022-09-12 20:02:18 发布