【设计】环路分析

一、电压模环路稳定性分析

电流模CM模式是依靠叠加NTC电流形成的与温度无关的Iref。
complementry to absolute tempreture CTAT
PTAT

二、电流模PTAT

同理，电流镜跨导无穷小，阻抗非常高。然后引出去的PTAT电流。

三、偏置电路

①无法自启动，但提供设计思路：$I_{ref}$被自举到$I_{out}$，与$V_{dd}$无关。
$$I_{out}=K{I}_{ref}$$

②为了唯一确定电流值,我们对电路加人另一个约束：
从而使得$I_{out}$与$V_{dd}$无关，只与$R_s$与工艺参数有关。

$$I_{out}=1\times I_{ref}$$

四、亚阈值技术

带隙基准源的基极-发射极电压$V_{be}$具有的负温度系数,可以由工作在亚阅值区MOSFETs 的$V_{GS}$电压的负温度系数代替。

[1]S. S. Prasad and P. Mandal, “A CMOS beta multiplier voltage reference with improved temperature performance and silicon tunability,” 17th International Conference on VLSI Design. Proceedings., 2004, pp. 551-556, doi: 10.1109/ICVD.2004.1260977.