High-Order Curvature-Compensated CMOS Bandgap Reference

Duan, Quanzhen, and Jeongjin Roh. “A 1.2-V 4.2- $ \hbox {ppm}/^{\circ}\hbox {C} $ High-Order Curvature-Compensated CMOS Bandgap Reference.” IEEE Transactions on Circuits and Systems I: regular papers 62.3 (2014): 662-670.

A 1.2-V 4.2- ppm/∘C High-Order Curvature-Compensated CMOS Bandgap Reference

Ka Nang Leung, P. K. T. Mok and Chi Yat Leung, “A 2-V 23-μA 5.3-ppm/°C curvature-compensated CMOS bandgap voltage reference,” in IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 38, no. 3, pp. 561-564, March 2003, doi: 10.1109/JSSC.2002.808328.

在数据和电源转换器等许多应用中，精密电压基准总是有很大的需求。这导致了许多高阶温度补偿技术的发展，如Song等人提出的二次温度补偿，Lee等人提出的指数温度补偿，以及Rincon-Mora等人提出的分段线性曲率修正。为了高精度地实现这些先进的数学功能，带隙结构的发展需要电流反射镜或预先调节的电源电压的精确匹配。电流不匹配是一个重要的问题，因为它会在参考输出引入一个误差电压。Cascode电流镜像电路[1]、[2]和预调节电路[3]是解决这一问题的较好方法。然而，最小的供电电压是一种权衡。除了二次、指数和分段线性温度补偿方案，Lewis和Brokaw还提出了一种基于温度相关电阻比[4]的二阶曲率补偿带隙电压参考方案。该电路结构比其他电路简单，因为这种设计需要薄膜电阻和一个具有较大正温度系数的额外电阻。最近，Audy进一步提出了一个类似的想法，利用这些电阻[5]、[6]的串并组合来实现三阶补偿。然而，这两种电路结构都是基于薄膜低温系数电阻，已被设计在双极结晶体管(BJT)技术，不能应用于低压CMOS应用。事实上，在CMOS技术中，特别是在低压低功耗设计中，还没有基于这种曲率补偿技术的带隙电压基准。本文提出了一种基于温度相关电阻比的低压CMOS高阶曲率补偿带隙基准电路。提出的带隙基准利用CMOS工艺中负温度系数的高阻多晶硅电阻[8]和正温度系数的扩散电阻实现了与温度相关的电阻比。该电阻比可以有效降低带隙参考电压的温度漂移。本文首先在第二节中简要分析了发射基极电压的温度依赖性。第三节介绍了提出的高阶曲率补偿CMOS带隙基准。第四节和第五节分别给出了测量结果和与传统带隙基准的性能对比。

1983 song A precision curvature-compensated CMOS bandgap reference二次温度补偿1983

二次温度补偿的带隙基准源是先进模拟和混舍集成电路中的重要部分.分析高精度带隙基准源二次补偿的基本原理,井从两个方向出发介绍了3种国内外新颖的基于亚微米CMOS工艺的带隙基准源二次温度补偿方法,通过性能比较,提出了应用于先进高精度系统的可行方案.

几种新颖的高精度带隙基准源二次补偿方法 2007

目前为止国内外的学术和工业界提出了很多二次温度,补偿的方法,分析这些方法后可以发现,二次温度补偿的方法可以分为2大类:
(1)从VBE的本身的特性入手,将他分解成易于理解的表达式,再设法在基本带除基准源电路的基础上增加额外的补偿电路来抵消VBE里的非线性项。这在早期的带隙基,准源电路里应用较多;
(2)从直观的一次带隙基准源温度曲线着手,平坦化曲线,使得输出电压在大温度范围内具有更小的误差,同样能达到二次温度补偿的目的。下面就从这两个方向出发,分析3种近年来国内外发表的二次温度补偿方法。

1、

一 种 二 阶 曲 率 补 偿 带 隙 基 准 的 研 究 2005

2010 一种二阶曲率补偿的高精度带隙基准电压源 西电

二阶曲率补偿

2010 分段补偿 高性能分段温度曲率补偿基准电压源设计 浙大学报

Rincon-Mora, Gabriel, and Phillip E. Allen. “A 1.1-V current-mode and piecewise-linear curvature-corrected bandgap reference.” IEEE Journal of Solid-State Circuits 33.10 (1998): 1551-1554.

分段线性曲率修正

1998 分段线性曲率修正 Rincon-Mora

本文提出了一种采用指数曲率补偿的基准电压源结构。利用二极管的反向饱和电流进行指数曲率补偿 ,电路结构简单 ,占用较小的芯片面积 ,并几乎不增加额外的功耗 ,且温度系数只有一阶补偿基准

一阶的开口是由于电阻类型造成的。
你可以做3个测试实验来做比较：

1. 使用理想电阻做bgr
2. 使用负温度系数电阻做bgr
   3.使用正温度系数做bgr
   电阻温度系数是造成开口的原因。
   由于工艺不同，有的正或负的温度系数的TC1,TC2 不足以使得开口向上。。所以要求你自己设定温度系数做一个研究。
   另外，如果电阻模型中包含了电阻衬底电压系数，也有可能造成开口影响。。希望你比较后回复在这里。：）