二极管VI特性曲线Matlab绘制

• 二极管

在电子器件中，用的最多的材料是硅和锗

本征半导体是纯净，结构完整的半导体晶体。

杂质半导体（导电能力显著提升）：

1. P型半导体，硅晶体掺杂3价杂质（硼、铟(yīn)、铝），因缺少一个电子，形成多子空穴。由于能接受电子特性，故称硼为受主杂质或P型杂质！整体呈电中性！
2. N型半导体，硅晶体掺杂5价杂质（磷、砷(shēn)、锑(tī)），因多一个电子，形成多子电子。由于多一个自由电子特性，故称磷为施主杂质或N型杂质！整体呈电中性！

• 多子（多数载流子）
• 系Positive之字头，该类型半导体参与导电的多子为带正电荷的空穴得名。
• 系Negative之字头，该类型半导体参与导电的多子为带负电荷的自由电子得名。

漂移：电场作用下导致载流子运动称为漂移

扩散：因浓度差异和随机热运动，载流子由高浓度区域向低浓度区域扩散。

PN结形成：

• 在半导体两个区域掺杂P型和N型杂质，
• 由于它们交界处浓度差异，N区电子向P区扩散，P区空穴向N区扩散。
• 电子与空穴在交界处复合，P区形成带负电离子，N区形成带正电离子，由此形成很薄的空间电荷区，也叫PN结，内电场，又称耗尽区、势垒区，内电场阻止扩散运动直至扩散与漂移形成动态平衡。

• 正向偏置电压：与内电场相反，VF正端接P区，负端接N区。扩散运动胜过漂移运动！正向电流IF由P向N，由于扩散运动起主导作用的是多数载流子，外加电压稍有变化（0.1v），便能引起电流显著变化，IF随外加电压急速上升。
• 反向偏置电压：与内电场相同，VF正端接N区，负端接P区。漂移运动胜过扩散运动！反向电流IR由N向P，由于飘移运动起主导作用的是少数载流子，浓度低，所以IR很微弱uA级别。少数载流子由热激发产生，其数值取决于温度，与外加电压无关。当温度一定时，反向电流IR就是反向饱和电流IS，

• 正向 ：Forward , 反向： Reverse , 饱和：Saturation

总结：PN结加正向电压时导通，电阻很小；加反向电压截止，电阻很大。这就是它的单向导电性。

PN结的V-I特性表达式

Matlab绘图：

%例：室温300K下，二极管反向饱和电流为1nA，
% n=1，V_T=0.026V，问它正向电流为0.5mA时应加多大电压？
% 已知  ln2≈0.693、 ln5≈1.609
V_D=-0.6:0.01:0.8;
n=1;
V_T=0.026;
I_s=10^-9;
I_D=I_s *(exp(V_D/(n*V_T ))-1);
plot(V_D,I_D);
title('二极管V-I特性曲线',"FontSize",18);
xlabel('V_D（V）',"FontSize",12);
ylabel('I_D(A)',"FontSize",12);
syms V_D%定义变量
eqn=(10^-9 *(exp(V_D/0.026)-1)-5*10^-4==0)%代入参数
s=vpa(solve(eqn,V_D));%解方程并转化为小数
disp(s);%显示打印