VLSI设计基础(一)

21.6.25 第二章 器件与工艺(一) MOS晶体管原理

(1) NMOS的是P型衬底，PMOS是N型衬底

怎么区分NMOS和PMOS的源区和漏区？
载流子永远都是从S源端到D漏端，因此对于NMOS,电流是从漏端到源端，这样载流子电子才会从源端到漏端。
对于PMOS，电流从源端到漏端，因为载流子是空穴。

(2) 晶体管工作原理.

(3) MOS管I_V曲线经历三个过程：截止区，线性区(非饱和区)，饱和区

W-宽度，L 长度，表示沟道长度，就好像河的长度。

(4) MOS管的转移特性和PMOS管的IV特性

（5）CMOS结构及其优势(Complementary MOS)

• 如下为反相器的版图、剖面图、以及电路图。其中版图最两端为衬底接触，量大是为了减少接触电阻。
  

器件与工艺(二) 反相器和组合逻辑电路

1. CMOS反相器设计

• CMOS 对于NMOS可以做到全幅输出，而且CMOS对于接电阻的NMOS来说，没有静态功耗
• CMOS的Vin 和Vout的关系曲线,BC区域是数字电路最不想要的区域，因为Vin的细微变化，就可能导致Vout的巨大差异。但是却是模拟电路的最爱，因为可以实现细微的电路变化导致较巨大的输出变化。
  

器件与工艺(三) 时序逻辑电路

1.时序逻辑作用及状态机举例

2. 双稳态结构和D触发器

3. 触发器的时序参数

4. 时序逻辑的性能优化

• 性能优化主要是优化时序逻辑电路以及门的开关时间
• 可以从多个方面进行优化

5. 时序逻辑的功耗优化

• 分静态功耗和动态功耗。静态功耗比例小，一般忽略。动态功耗主要是信号的翻转，电容的充放电带来的功耗

6. 偏差和抖动对电路的影响

第三章 设计与工艺接口

第四章 晶体管规则阵列设计技术(1) ROM阵列和开关逻辑

晶体管规则阵列设计技术(2) PLA，门阵列和EPLD

第五章 单元库设计技术(1) 标准单元

单元库设计技术(2) 输入输出接口

第六章 微处理器(1) 处理器结构和ALU设计

微处理器(2) 乘法器，移位器和Memory设计

第七章 低功耗专题