21.6.25 第二章 器件与工艺(一) MOS晶体管原理
(1) NMOS的是P型衬底,PMOS是N型衬底
怎么区分NMOS和PMOS的源区和漏区?
载流子永远都是从S源端到D漏端,因此对于NMOS,电流是从漏端到源端,这样载流子电子才会从源端到漏端。
对于PMOS,电流从源端到漏端,因为载流子是空穴。
(2) 晶体管工作原理.
(3) MOS管I_V曲线经历三个过程:截止区,线性区(非饱和区),饱和区
W-宽度,L 长度,表示沟道长度,就好像河的长度。
(4) MOS管的转移特性和PMOS管的IV特性
(5)CMOS结构及其优势(Complementary MOS)
- 如下为反相器的版图、剖面图、以及电路图。其中版图最两端为衬底接触,量大是为了减少接触电阻。
器件与工艺(二) 反相器和组合逻辑电路
1. CMOS反相器设计
- CMOS 对于NMOS可以做到全幅输出,而且CMOS对于接电阻的NMOS来说,没有静态功耗
- CMOS的Vin 和Vout的关系曲线,
BC区域是数字电路最不想要的区域,因为Vin的细微变化,就可能导致Vout的巨大差异。但是却是模拟电路的最爱,因为可以实现细微的电路变化导致较巨大的输出变化。
器件与工艺(三) 时序逻辑电路
1.时序逻辑作用及状态机举例
2. 双稳态结构和D触发器
3. 触发器的时序参数
4. 时序逻辑的性能优化
- 性能优化主要是优化时序逻辑电路以及门的开关时间
- 可以从多个方面进行优化
5. 时序逻辑的功耗优化
- 分静态功耗和动态功耗。静态功耗比例小,一般忽略。动态功耗主要是信号的翻转,电容的充放电带来的功耗