DC反标 翻转率文件[Modelsim+vcd2saif+report_power]

DC分析功耗一般需要以下几个文件：

1、工艺库：内部包含具体功耗值。

2、网表：DC综合生成的

3、翻转文件：.saif文件，表示信号的翻转率

CMOS功耗组成可参考这个文章：CMOS电路的功耗分析

静态功耗主要是漏电，这个不需要翻转文件。因此这里主要分析动态功耗。

电压和频率一般都是设计电路和写约束的时候确定的，一般频率和电压越低，功耗自然也就越低。电容值一般在DC里体现在设计人员写的约束，比如 set_load设置输出引脚的电容。线的寄生电容一般不在DC考虑范围，在后端工具ICC(Synopsys)/Innovus(Cadence) 会有所体现。

因此这里主要分析一下翻转文件，也就是公式里的 Nsw .

我生成翻转文件的工具是Modelsim。

步骤1、正常写激励对自己的设计仿真，在仿真前输入以下产生翻转文件的命令：

vcd file filename.vcd  // 翻转文件名
vcd add dut/*          // 需要保存的信号，一般全部保存

注：如果激励文件中有 $finish 语句，则工具会在仿真结束后自动生产翻转文件，若没有$finish 语句，则需要点击Modelsim的restart来结束这次的仿真以生成并保存翻转文件。

步骤2、由于Modelsim产生的翻转文件是vcd格式，DC需读入saif格式的文件，因此还需手动转换格式。在启动synopsys环境之后，在输入dc_shell之前 进行格式转换操作。命令如下：

vcd2saif -input ./DUT.vcd -output ./DUT.saif

 步骤3、DC读入saif文件命令

read_saif -input ./DUT.saif -instance_name DUT_TB/DUT_INST -verbose

注：-instance_name 后面是 测试文件module名/被测顶层模块实例名