引言
纳米结构与块状材料相比,纳米结构具有不同的性质,因为量子效应在纳米尺度上是显著的,量子限制会导致电荷载流子具有离散的能级。英思特研究将SiGe纳米线应用于垂直纳米线晶体管中,因为SiGe具有高导电性,且是非常便宜的合金。
这些晶体管垂直扩展,而它们的宽度只有几纳米。这允许在芯片上放置更多的晶体管,并解决水平晶体管尺寸的物理限制问题。然而,为了减小SiGe纳米线的直径,需要湿法蚀刻。
实验与讨论
为了将SiGe纳米线的尺寸减小到期望的尺寸,英思特使用了湿法蚀刻法进行研究。湿蚀刻的物理机制如图1所示。
图1:湿法蚀刻的物理机制
图2:实验中使用的芯片的示意图
首先,我们将300 mm的晶圆切割成约75mm×75mm的小片。接下来,使用传统的光刻、干法和湿法蚀刻对芯片进行构图,如图2所示。在进行蚀刻之前,必须去除芯片上的自然氧化层和有机污染物。通过将纳米线置于0.25%的氢氟酸溶液中1分钟来去除氧化层。
为了去除有机污染物,在低功率下利用等离子体清洗芯片45秒。一旦预蚀刻处理完成后,就进行实际的蚀刻。为了最大化蚀刻速率,芯片在蚀刻剂溶液中移动,以确保新溶液不断流向纳米线。蚀刻完成后,在去离子水中冲洗纳米线以停止蚀刻。
实验发现SiGe的蚀刻机制与Si类似,分两步进行。第一步是SiGe的氧化,第二步是SiGe氧化物的溶解。
结论
英思特研究了两种不同的SiGe刻蚀机制:反应和扩散限制刻蚀机制。我们观察到,由于SiGe的各向异性、反应限制的氧化,反应限制的蚀刻机制导致SiGe的各向异性蚀刻。扩散限制蚀刻机制导致SiGe的各向同性蚀刻作为氧化机制迅速从反应限制转变为扩散限制。