《炬丰科技-半导体工艺》基板上的层蚀刻方法

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：基板上的层蚀刻方法
编号：JFKJ-21-1360
作者：华林科纳

本文涉及一种在衬底(Sub)上蚀刻待去除层的方法，提供了Si1-XGeX层作为要消除的层，并且上述层在气相蚀刻期间被蚀刻气体，特别是ClF3至少部分消除。 Si1-XGeX层的蚀刻特性可由Si1-XGeX层内的Ge量控制。 蚀刻方法特别适于可取地形成微甲传感器内的自支撑结构，并在封闭的空心室（15）内制造上述自支撑结构。 原因是Si1-XGeX层是牺牲层及填充层，对硅以高选择性蚀刻。
在微机械传感器的制造工艺中，在基板上形成牺牲层，在上述牺牲层上沉积另一结构物层而结构化，随后，牺牲层被选择性地移除以实现结构的暴露，基本上，牺牲层可以干法或湿法化学去除。 在多晶硅层上沉积其他氧化物层，在其上沉积例如厚的Epi多晶硅层，进行表面铝金属层的沉积和结构化，将要暴露的传感器结构可取地通过DE 42 41 045 C1号所述的基于氟的硅深度蚀刻方法进行蚀刻，传感器元件的暴露由牺牲层蚀刻实现，上述蚀刻时氧化物在传感器区域下部典型地由含氟化氢酸介质通过气相蚀刻方法消除，上述下蚀刻技术的缺点氧化物不仅在暴露的传感器区域下部被移除，而且在多晶硅打印导体上方和部分下方也被移除，因此存在分路和泄漏电流的危险，必须防止下蚀刻的氧化物区域，只能通过复杂的工艺进行保护。
我们仍然需要为传感器元件的结构化提供各向异性等离子体蚀刻，通过各向同性气相蚀刻或各向同性氟等离子体蚀刻所产生的上述传感器元件的后续下蚀刻的组合，使得氟化氢酸蒸气完全不需要，然而，在这些方法中，位于将要形成的传感器结构区域内的多晶硅牺牲层平面正上方的数十纳米薄氧化物层被利用为分离层。在薄的氧化物层上沉积了E