电容常问问题

1.去耦电容作用，多大

旁路（bypass）电容：滤除对象--->电源或输入信号中高频（交流）成分

高频旁路较小，0.1u，0.01u 

电容选值：

旁路电容减弱来自高频分量或电源线射频能量，要考虑到射频分量所在频率的低阻抗通道，以增加其削弱效果，还要考虑寄生电感对其自谐频率影响，就要考虑电容结构，馈通和插装电容都有长引脚，寄生电感大，对高频滤波效果不佳，因此贴片电容时旁路电容最佳选择

去耦（退耦）电容：滤除对象--->输出信号干扰，防止前后电流大小变化，形成的电流波动对电路的正常工作产生影响（退耦电路消除电路之间寄生耦合）

芯片电源管脚，由于自身用电过程中信号跳变产生的电源管脚对外的波形输出，用电容进行滤除

把信号电源管脚，输出干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源

较大，10u或更大（退耦电容取值47-200uF，压差越大，取值越大）

DDR：大小在0.01-0.22uF，0.01uF针对高频，0.22uF针对低频

去耦电容容值：C=C=I*（△t/△V）

C：电容值

I：瞬变电流

△t：开关时间

△V：允许压降

实际：2个电容并联退耦（电容之间有2个数值差别，如0.1uF和10uF，在比较宽的频率范围有比较好电容特性，小esr也是退耦电容选择重点）

2电容并联主要是滤波，大电容滤掉频率低信号，小电容滤掉频率高信号，通过信号的频率在这2个电容滤掉之间那一段

大电容是电解电容，有极性，对交流电不起作用，对不平滑的直流电滤波，小电容是无极电容，滤除交流高频杂波

 

开关电源Vin不变，电流是随开关变化的，输入电源不会很好提供电流，在靠近电流输入端并联电容来提供电流

电容额定电压>工作电压，有一定比例降额

Cin有脉冲开关大电流和纹波，esr低电容（陶瓷电容，聚合物电容，多个铝电解电容，钽电容并联，会有额定功率损耗或RMS（均方根）纹波电流指标，不能超限）

Cout↑--->输出电压纹波↓--->瞬态响应性能↑

输出电压纹波计算公式：△Vout ≈ △Ilpp（ESR+1/2πfC）

一般根据输入电压纹波取10uf并个0.1uf

输入纹波比较小，取2.2，4.7uf

负载大需电容大一些

一般选用铝电解电容与陶瓷电容组合，高度有限或对成本不敏感，选钽电容，温度特性好，低esr，寿命长，成本高，耐压差（耐压最好选择大于2倍输出电压）

电容↑--->纹波↓--->电源反应时间↓

LDO输入输出电容解决噪声和控制环路稳定，优先较低ESR

去耦电容作用：

去除高频信号干扰

蓄能作用（芯片附件电容有储能作用，第二位）

高频器件工作，电流不连续，器件VCC到总电源有距离，阻抗Z=i*wL+R，线路影响大，导致器件需要电流时，不能及时供给，去耦电容弥补不足（在高频器件VCC管脚处放置小电容，在VCC引脚并联一个去耦电容，交流分量就从这个电容接地）

耦合：前后级间传递信号而不互相影响各级静态工作点的元件

有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播，去耦电容提供一个局部的直流电源给有源器件，以减小开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地（负载电容大，驱动电路要把电容充电，放电，才能完成信号跳变，上升陡峭时，电流大，驱动电流吸收大电源电流，电路中电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说是一种噪声，影响前级正常工作，这就是耦合，去耦电容起到一个电池作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间耦合干扰）

都是起抗干扰作用，位置不同，称呼不同

2.电容种类

按材料分类：瓷介，涤纶，电解，钽，聚丙烯

3.电容材质

超稳定级（1类）：COG，NPO

NPO（COG）：-55-125℃容量变化±30ppm/℃，漂移和滞后小于±0.05%

稳定级（2类）：X7R，X5R

X7R：-55-125℃容量变化15%

X5R：-55-85℃容量变化15%

X：低温-55℃

5：高温85℃

7：125℃

R：±15

能用级：（3类）：Y5V，Z5U

-30-85℃容量变化+22～82%，介质损耗 最大4%

10-85℃容量变化+22～56%，介质损耗 最大4%

V：误差+22%-82%

Y：-30℃

介质材料按容量温度稳定性分2类：

Ⅰ类陶瓷电容器：NPO

Ⅱ类陶瓷电容器：X7R，X5R，Y5V，Z5U等

MLCC陶瓷电容分2大类：高介电常数型，温度补偿型

4.有极性和无极性区别

介质，性能，容量，结构；使用环境和用途

有极性：特殊材质，容量大，如电解电容，钽电容

无极性：体积小，价格低，高频特性好，瓷片电容，独石电容，聚乙烯

5.加大电容滤波，越大越好吗

容量越大，成本越高，大到一定程度，好处会越少

容量越大，充电电流越大，纹波电流加大（加大容量对其他指标产生有害影响）

6.常用滤波电路，一阶二阶等

7.电容滤波和运放滤波区别

低通滤波：

 一阶滤波器：

 截止频率：f=1/（2πRC）

高通：高于f通过，低于f抑制

低通：高于f抑制，低于f通过

实际：到达f已产生3dB衰减，f>实际

无源滤波：仅由无源元件（电阻，电容，电感）组成，有电容滤波，电感滤波，复式滤波（倒L型，LC滤波，LC-π型滤波，RC-π型滤波）

有源滤波：无源元件+有源元件（双极型管，单极型管，集成运放）组成，有有源RC滤波（电子滤波器）

有运放-->有源滤波，没有运放--->无源滤波

 RC滤波：

C小，负载电容对滤波电路影响大，C大，影响高频特性（大电容高频特性不好）

R小，加大电源负载，R大，消耗较多能量

缺陷：消耗抑制信号/保留信号能量，电容高频特性限制不能用在太高频率，如数MHz以上用LC

8.电感滤波和电容滤波

电感（阻抗）正比频率，阻扼高频通过，电流滤波，通过电流产生电磁感应平滑输出电流，输出电压低，低于交流电压有效值，适用大电流，越大效果越好

电容（阻抗）反比频率，阻扼低频通过，电压滤波，存储脉动电压平滑输出电压，输出高电压，接近交流电压峰值，适用小电流，越小滤波越好

9.电容选型

容值，类型，封装，精度，温度，额定电压，频率特性，等效串联电阻ESR，成本/供应商/供货周期 

容量，误差，额定电压，绝缘电阻，耗损，寿命

10.瓷片电容压电效应

当瓷片电容在承受交变电压时，会产生机械振动，发出响声，也是逆压电效应

A型MLCC陶瓷电容介质材料具有压电效应，使电容在放电过程中振动

正压电效应：

外部施加力产生电荷Q或电压V是正压电效应

Q=Cd*V=F*d33

Q：电荷量

d33：压电常数

F：力

V：输出电压

:输出电压V由压电常数g33，厚度t，截面积A表达出来

V=F*d33/Cd=F*g33*t/A

如：压点陶瓷截面积A=10*10mm^2，厚度t=1mm，g33=26.5*10-3vm/N，当力F=10N，输出电压V=2.65V

逆压电效应：

外部施加电压产生形变是逆压电效应，压点材料可以在直流会低频交流电下运行

无负荷的电位移U和施加电压V：

U=V*d33

V：施加电压

d33：压电常数

如：压电陶瓷d33=635*10-12m/V，施加电压150V，位移U=95.25nm

11.电容厂家

电容：黑金刚，蓝宝石，红宝石，松下

电阻：威世，京瓷，村田，松下，罗姆，TDK

12.电容的封装怎么选

大小正比耐压，容值（耐压与两极板间距离有关，电压大，距离大，防击穿）

确定电压，容值，纹波，ESR后选封装

陶瓷电容容值范围：0.5pF-100uF

封装（尺寸）不同，容量不同

0402：可以做到10uF/10V，推荐选4.7uF-6.3V

0603选22uF/6.3

0805：可以做到47uF/10V，推荐选47uF/6.3V

陶瓷电容额定电压：2.5V，4V，6.3V，10V（额定电压留70%余量）

13.电容优缺点

 14.电容功率

瞬时功率：

关联参考方向：

 吸收瞬时功率：

 瞬时功率是2倍于电压（或电流）的正弦量，一周期内吸收和释放相等

平均功率：

一周期内平均功率为0

I=CdV/dt

dV/dt：单位时间内电容两端的电压变化量

V：单位是伏

t：单位是秒

I：流过电容的电流，单位是安培

 15.电阻电容并联后与LED串联

阻容降压点亮LED电路（利用电容容抗降压整流）

 

电容：

交流--->导电

直流--->开路

交流：减小低频通过，增加高频通过

电阻和电容并联：直流或低频通过困难

电容：降压

电阻：泄放降压电容中电荷

电容降压电路，并电阻，停止工作后，电阻泄放电容两端存储电荷，避免电人

在藕和电阻两端并联电容，组成相位提前电路，与分布电容和下一级输入电容组成分压电路，避免这些电容形成积分效应，使相位提前

LED并联电阻作用：

 均压：

均压：增加LED电流和电压（LED特性差异，管压降差异，亮度不均匀）

单个LED损坏，电流通过并联电阻，其他LED任能工作

LED当稳压管使用，稳点电阻流过的电流

16.电容作用

电容滤波：干扰是差模，电容是差模电容，干扰式共模，电容是共模电容

电容会谐振：整改电容引线短，避免谐振，注意另一端回流路径

LC滤波：CE问题，电源端加铝电解没效果，可加LC

PWM：关注PWM波形上升沿，是否有过冲，过冲后是否振荡过多回到稳态

回流路径：没有完整gnd层，走线中想象回流路径

17.ESR

等效串联电阻，没有确定值，和频率有关

确定莫容量耐压类型电容，如100uf 50v电解电容，esr有一个范围，电容在平衡纹波时会在ESR上发热，ESR↑--->电解电容发热↑--->平衡纹波能力↓

开关电源出现启动困难，外接47Uf启动电容老化，esr增大导致

测量电容ESR是手持数字电桥

电容esr由小到大：

陶瓷电容<金膜电容<高分子固体铝电解<钽电容<普通铝电解<超级电容

陶瓷电容，电解电容，钽电容低阻抗品，esr几十mΩ甚至几个mΩ

电源滤波选择100-300毫欧，太大影响输出纹波，多个电容并联--->降低铝电解电容ESR（VCC和GND之间多个电容并联原因之一减小ESR，加快高频响应）

输出滤波电容：铝电解电容（esr大）+钽电容或聚合物（esr大）

输入电容：esr↓--->冲击↑

体积（直插电容）↑--->esr↑

体积（贴片电容）↓--->esr↓

电容在充放电有能量损耗（电容两端在充放电过程中产生德尔压差），esr↑--->电容两端产生的压差↑--->引入后端纹波↑

相同容值电解电容和陶瓷电容：

 低频：esr差别不大

高频：有很不同的影响

并联--->电阻↓，电容↑（铝电解电容并联陶瓷电容，保证容值，降低esr带来纹波）

电容容值↑--->容抗↓--->交流滤波效果↑（实际：容值↑--->寄生电感↑）

实际阻抗：

 

电容特性阻抗：

 感抗值和频率↑--->高频信号退耦和旁路作用↓

ESL↑--->谐振点右边阻抗↑

 ESL↑--->谐振点左移--->低阻抗区域变小--->更多电容并联有相同效果--->ESL越小越好

ESR↑--->功耗↑--->旁路滤波效果↓

ESR大效果好场合：

LDO：ESR产生的电压波动能及时反馈负载的电流波动，以便LDO电源及时调整，需要ESR大

Q值需求小：ESR↑--->Q值↓