【氮化镓】GaN 器件的高温运行

最新推荐文章于 2024-11-23 15:04:44 发布
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《High Temperature Operation of E-Mode and D-Mode AlGaN/GaN MIS-HEMTs With Recessed Gates》，由HANWOOL LEE, HOJOON RYU, JUNZHE KANG, 和 WENJUAN ZHU (IEEE高级会员) 四位作者共同撰写，发表在《IEEE Journal of the Electron Devices Society》上。文章主要研究了在高温环境下，增强型（E-mode）和耗尽型（D-mode）AlGaN/GaN金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管（MIS-HEMTs）的运行情况。研究由美国国防高级研究计划局（DARPA）资助。

摘要

通过使用圆形器件结构，有效抑制了关闭状态下的电流，并在400°C时获得了高达10^8的Ion/Ioff比的记录。E-mode设备中使用了原子层刻蚀技术形成门极凹槽结构，实现了稳定的正常关闭操作，直到400°C。D-mode设备在高温操作期间经历了正的阈值电压偏移，并且在冷却到室温后，由于应变松弛，阈值电压发生了变化。而E-mode设备由于在门极下保留了非常薄的

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【氮化镓】p-GaN栅极退化的温度和结构相关性
荷塘阅色
03-27 1255
本文献深入研究了带有p-GaN栅极的正常关断型(normally-off)高电子迁移率晶体管(GaN-HEMTs)在恒定电压应力下的时序退化行为。通过直流特性分析和温度依赖性分析，研究了故障时间(TTF)与应力温度和器件几何结构的依赖性。结果显示，p-GaN栅极晶体管在7.2V的栅偏压下可达到20年的使用寿命，表明了良好的稳定性。故障时间与应力电压呈指数关系，且退化主要发生在栅极边缘而非中心。此外，TTF与温度有关，具有0.48-0.50 eV的激活能。
【氮化镓】全耗尽p-GaN HEMT的栅极特性
荷塘阅色
03-28 2145
研究团队通过在Schottky型p-GaN栅极HEMTs中将传统的p-GaN转换为类似绝缘体的全耗尽p-GaN，实现了在正向栅极偏压（VGS）下的栅极电流显著降低，并改变了正向VGS分配机制，从而显著降低了器件在高温下的热载流子生成。然而，这些器件的正向栅极击穿电压（VGBD）通常受到较高的栅极电流（IG）和靠近p-GaN表面的电场限制。本研究旨在通过不充分激活（IA）Mg掺杂剂来减少p-GaN中的自由空穴浓度，从而实现全耗尽的p-GaN层，以降低正向栅极偏压下的栅极电流，并探索这种改变对器件性能的影响。
DCFL: for Oriented Tiny Object Detection
qihshe的博客
03-04 1505
检测任意方向的微小目标给现有的检测器带来了巨大的挑战，特别是在标签分配方面。定向微小目标的极端几何形状和有限特征仍然会导致严重的不匹配和不平衡问题。具体而言，位置先验、正样本特征和实例不匹配，并且由于缺乏适当的特征监督，极端形状目标的学习存在偏差和不平衡，即特征先验不匹配和正样本不平衡是阻碍定向微小目标标签分配的两个障碍。（此前作者提出的RFLA一定程度上解决了问题，但静态分配不能根据样本的形状自适应划分正负样本，不能过滤掉低质量样本。
器件（三）：一文读懂GaN HEMT
2301_81685935的博客
10-24 7315
一直想琢磨开关管的器件选型，但一直不知道从哪里下手。最近有幸获得了一些启发，就决定先从材料方面入手，好好聊聊不同材料开关管的器件选型。
GaN HEMT主要性能指标有哪些？宽禁带材料电性能测试方案
whpssins的博客
07-06 1544
SMU集电压源、电流源、电压表、电流表以及电子负载等多种功能于一体。此外，SMU还具有多量程，四象限，二线制/四线制测试等多种特性。一直以来，SMU在半导体测试行业研发设计，生产流程得到了广泛应用。同样，对于氮化镓的测试，高性能SMU产品也是不可少的工具。
【氮化镓】GaN功率器件在转换器设计中的挑战
荷塘阅色
05-08 1120
引言部分首先强调了宽带隙（WBG）器件在高频、高效率电力电子技术中的关键作用。这些器件，包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），相较于传统的硅功率器件，具有显著的优势。宽带隙半导体材料的高击穿场强允许设计更薄的漂移区，从而优化器件的特定导通电阻（Rds,on）。此外，GaN的高电子迁移率进一步降低了导通电阻，使得器件尺寸更小，输入和输出电容更低，这有助于实现更快的开关瞬态。GaN作为一种宽带隙半导体，其材料特性在高效率和高频转换器中尤为突出。
【氮化镓】GaN器件在航天器高可靠正向转换器中应用
荷塘阅色
05-01 1740
文章首先指出GaN器件在太空级功率转换应用中的潜力，尤其是在依赖MOSFET技术的领域。尽管GaN器件的数量不多，但当前市场上的太空级GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）仍然可以显著提高效率和功率密度。文章通过设计、实现并对比两种75-W的太空级正向转换器（一种使用GaN HEMTs，另一种使用传统的硅基MOSFETs），量化了GaN HEMTs相对于硅基器件的性能优势。文章定义了用于评估GaN在太空应用中当前状态的基线测量，即代表硬化硅MOSFETs的类别。
英飞凌-硅，碳化硅及氮化镓功率器件的对比-综合文档
05-15
本篇文章将深入探讨三种主要的功率器件材料：硅（Silicon, Si）、碳化硅（Silicon Carbide, SiC）和氮化镓（Gallium Nitride, GaN），并基于英飞凌科技的视角来对比分析它们的性能特点。 首先，我们来看传统的硅...
GaN器件特性简介
yyldecsdn的博客
03-14 9834
GaN器件特性简介 本篇文章将介绍GaN器件的特性。 1. 宽禁带半导体(Wide BandGap Semicondutor)缘起 GaN器件目前被称为HEMT (High Electron Mobility Transistors)，这种高电子迁移率的晶体管用于许多电子设备中，例如全控型电力开关，高频的放大器或振荡器。下面这张图，展示了GaN器件的主要应用场景。 由于本文主要介绍GaN，宽禁带半导体家族的其它成员SiC、GaAs等则不作过多的讨论。因为博主的专业是电力电子，将重点关注GaN器件的在电
【氮化镓】GaN HEMT失效物理和可靠性
荷塘阅色
04-18 1833
本文是一篇关于AlGaN/GaN基高电子迁移率晶体管（HEMTs）的失效物理和可靠性研究的综述文章，发表在2013年10月的《IEEE Transactions on Electron Devices》上。文章由Enrico Zanoni等人撰写，主要关注了影响栅极边缘和肖特基结的失效机制，并探讨了提高这些器件可靠性的方法。
GaN HEMT结构
weixin_45293089的博客
07-03 3218
它是一种类似于MOSFET的晶体管，但是与传统的MOSFET相比，GaN HEMT在高频率和高功率应用方面具有更好的性能。GaN HEMT的结构包括一个GaN基底、一个AlGaN缓冲层、一个GaN沟道层、一个AlGaN电子阻挡层和一个金属栅极。其中，GaN沟道层是载流子流动的通道，AlGaN缓冲层能够减小晶体管内部的电场强度，从而提高了晶体管的可靠性和性能。GaN HEMT的工作原理是：当栅极电压变化时，会在GaN沟道层形成一个电子气，这个电子气会随着栅极电压的变化而移动，形成一个电流。
D 型 GaN HEMT 在功率转换方面的优势
最新发布
lucy15302751079的博客
11-23 1578
图 1：p-GaN 栅极 e 模式和 d 模式 GaN HEMT 器件的简化横截面图（Transphorm）人们尝试了不同的方法，通过对栅极内部或周围进行修改，将 d 模式器件转换为 e 模式。造成这种情况的一个重要因素是 p-GaN e 模式器件的跨导随温度的变化而大幅降低，如图 5 所示。图 4： d 模式和 e 模式 GaN HEMT 器件中AV t与通道 2DEG 薄层电阻的关系（Transphorm）p-GaN 栅极 e 模式和共源共栅 d 模式 GaN HEMT 器件之间的跨导温度响应比较。
GaN HEMT：未来功率半导体
jkh920184196的博客
09-11 1306
ROHM 的 GaN IC 的冷却要求较低，最大限度地减少了对散热器和其他冷却机制的需求，进一步减少了物理电路板空间。然而，与硅基器件相比，GaN 器件产生的热量更少，需要的冷却更少，从而有可能进一步降低客户的能源和维护成本。此外，与大多数集成电路一样，GaN 器件是在硅衬底上开发的，允许开发人员使用预先存在的生产方法和设施来生产 GaN HEMT，只需很少的改造。最后，GaN HEMT 的后期生产运行消耗更少的功率，需要的冷却更少，因此比 SiC MOSFET 运行能耗更低，为消费者节省了额外的成本。
强！小目标检测全新突破！检测速度快10倍，GPU使用减少73.4%
08-14 1435
强！小目标检测全新突破，提出Mamba-in-Mamba结构，通过内外两层Mamba模块，同时提取全局和局部特征，实现了检测速度快10倍，GPU使用减少73.4％的显著效果！【小目标检测】是近年来在深度学习领域中备受关注的一项技术，它通过提高模型在检测图像或视频中小尺寸目标的能力，显著提升了检测精度和鲁棒性。小目标检测技术已经在遥感图像分析、视频监控和自动驾驶等多个领域取得了显著成果，其独特的方法和有效的表现使其成为研究热点之一。
使用Nuwa TCAD软件仿真和设计增强型p-GaN HEMT器件
GMPT_001的博客
06-20 3098
第三代半导体材料GaN具有宽禁带、高电子饱和速度和良好导热性等优点，其中GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）具有高电场强度、高迁移率、良好热稳定性，在高频、大功率应用环境下具有突出优势。但大多数AlGaN/GaN HEMT都是常开型，在实际大功率开关应用中不够安全。因此，市场迫切需要AlGaN/GaN HEMT在保持低导通电阻的同时，实现常断工作。为了满足这些要求，本文引入p型GaN插入层结构，利用从p型栅端到二维电子气（2DEG）的空穴注入实现电导调制，有效地降低栅下沟道中的2DEG密度。
Dynamic Coarse-to-Fine Learning for Oriented Tiny Object Detection（CVPR2023待补）
qihshe的博客
12-21 1504
针对定向微小目标的极端几何形状和有限特征仍然会导致严重的不匹配和不平衡问题 作者提出了动态先念和由粗到精的分配器（DCFL） 一方面以动态方式对先验、标签分配和目标表示进行建模，以缓和不匹配问题 另一方面利用粗糙的先验匹配和更精细的后验约束来动态分配标签，为不同的实例提供适当和相对平衡的监督
【氮化镓】三星200mm 硅基高阈值电压p-GaN器件
荷塘阅色
04-08 965
三星公司的研究人员介绍了一种高阈值电压、低导通电阻和高速的GaN-HEMT功率器件，该器件在栅极堆叠中使用了p-GaN层。文章提出了三个创新点：首先，首次在200毫米GaN on Si衬底上使用无Au且完全与CMOS兼容的工艺制造了p-GaN栅HEMT；其次，通过采用p-GaN和W栅堆叠，实现了良好的电气特性，包括阈值电压高于2.8V、低栅极漏电流、无迟滞和快速开关；最后，展示了可以承受高达20V栅偏压的TO-220封装的p-GaN栅HEMT器件
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