三电平半桥DAB的仿真尝试——扩展移相(EPS)

首先声明该拓扑和调制策略参考自《F. Zhao, C. Wang, R. Dong and X. Yang, "Performance analysis of half bridge three-level full bridge bi-directional DC-DC converters," 2014 International Power Electronics and Application Conference and Exposition, Shanghai, China, 2014, pp. 1503-1508, doi: 10.1109/PEAC.2014.7038088.》

 本文讨论了采用EPS控制策略的双向隔离半桥三电平全桥双向DC-DC变换器的工作原理。

本文提出的半桥三电平全桥双向DCDC变换器(TBHB)如图所示。

它包括高频变压器耦合初级侧三电平半桥(B1)和二次侧H桥(B2),变压器泄漏电感也如图2所示。每个功率器件与一个反并联二极管和结电容并联。转换器可以在正向或反向模式下工作,这取决于转换器功率流的方向。当功率从B1流到B2时,转换器工作在正向模式;相反,它以相反的模式工作。

B1中的功率器件S1和S4或B2中的Q1和Q4称为超前器件,而S2和S3或Q2和Q3称为滞后器件。在DPS控制中,如果超前器件和滞后器件不具有相同的栅极信号,则其将具有相移比D1(内部相移比)。变压器一次侧电压VAB或二次侧电压VCD将呈现为PWM三电平方波。VAB和VCD之间的相移比被定义为D2(外部相移比)。

 半个周期的运行模式简化图:

基于此文搭建出模拟仿真,仿真平台为PSIM。

系统参数:输入电压1500V,输出电压210-275V,开关频率5KHz,移相电感40e-6H,变压器变比2.7-1。

端口电压和电感电流:

 

输出电压闭环控制:

固定负载的动态输出

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