mos管震荡2

根据对引线电感的估算，由datasheet得到的MOS的 DS电容，参数如下

 

L1=0.0000000045;        %单位H
L2=0.0000000075;
C1=0.00047;         %单位F
R1=0.01;                   %单位欧母

num=[1 R1/L2 1/(L2*C1)];
den=[1 R1/(L1+L2) 1/(L1*C1+L2*C1)];
step(num,den);            %动态系统的阶跃响应绘图。
rlocus(num,den)    %绘制根轨迹

发生了较强烈的震荡，而且超调量不可接受

决定在DS间增加电容，470uf是能找到最大的的电容了

 

理论上增加ds电容是有的效果，只是这个值太大，贴片电容基本没有这个个值

另外，数学功底太差，还不能理解大牛是怎么从函数就看出增加电容可以减少震荡的

再另外，加大电阻R也有效果

但是又额外浪费了电能

 

 

 

/******************************************2018-9-3*********************************************/

主要的矛盾点在于我做的公式与原作者的不一样，不知道差错在哪里，但给我提供了思路。

他这里用到了判别式        

在一元二次方程  中

（1）当△>0时，方程有两个不相等的实数根；

（2）当△=0时，方程有两个相等的实数根；

（3）当△<0时，方程没有实数根,方程有两个共轭虚根．

我们知道要避免或减小震荡，△应该尽量大，使根接近实轴。

当极点和零点都处于实轴上时就不会震荡，也可以使极点和零点尽量接近实轴来减小震荡

按我自己的公式来列

分子的判别式（对应零点）：

 

分母的判别式（对应极点）：

要使结果增大（接近实轴，减少震荡），应使R，C增大，L1，L2减小

L1，L2为走线电感，一般只能靠优化走线解决，实际实验C增大没有成功，可能因为我的电路在别处存在反馈，影响了结果，加大R成功减少了震荡