MOS管损坏原因分析

本文分析了MOS管损坏的五个主要原因:雪崩破坏、器件发热损坏、内置二极管破坏、寄生振荡导致的破坏以及栅极电涌和静电破坏。详细解释了各种破坏模式的产生机制,如直流和瞬态功率导致的发热,以及并联使用时的寄生振荡问题。
摘要由CSDN通过智能技术生成

在一公众号上看到的,写的不错但不易理解,先转载过来后续有时间再展开讲解下。

1. 雪崩破坏

如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿电流其值不同),并超出一定的能量后就发生破坏的现象。

在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压,或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。

典型电路:
在这里插入图片描述

2. 器件发热损坏

由超出安全区域引起发热而导致的。
发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种

直流功率原因:外加直流功率而导致的损耗引起的发热
导通电阻RDS(on)损耗(高温时RDS(on)增大,导致一定电流下功耗增加)
由漏电流IDSS引起的损耗(和其他损耗相比极小)

瞬态功率原因:外加单触发脉冲

负载短路
开关损耗(接通、断开) *(与温度和工作频率是相关的)
内置二极管的trr损耗(上下桥臂短路损耗)(与温度和工作频率是相关的)

器件正常运行时不发生的负载短路等引起的过电流,造成瞬时局部发热而导致破坏。
另外,由于热量不相配或开关频率太高使芯片不能正常散热时,持续的发热使温度超出沟道温度导致热击穿的破坏。

在这里插入图片描述
在这里插入图片描述

3. 内置二极管破坏

在DS端间构成的寄生二极管运行时,由于在Flyback时功率MOSFET的寄生双极晶体管运行,导致此二极管破坏的模式。

在这里插入图片描述

4. 由寄生振荡导致的破坏

此破坏方式在并联时尤其容易发生。
在并联功率MOS时未插入栅极电阻而直接连接时发生的栅极寄生振荡。

高速反复接通、断开漏极-源极电压时,在由栅极-漏极电容Cgd(Crss)和栅极引脚电感Lg形成的谐振电路上发生此寄生振荡。

当谐振条件(ωL=1/ωC)成立时,在栅极-源极间外加远远大于驱动电压Vgs(in)的振动电压。

由于超出栅极-源极间额定电压导致栅极破坏,或者接通、断开漏极-源极间电压时的振动电压通过栅极-漏极电容Cgd和Vgs波形重叠导致正向反馈,因此可能会由于误动作引起振荡破坏。
在这里插入图片描述

5. 栅极电涌、静电破坏

主要有因在栅极和源极之间如果存在电压浪涌和静电而引起的破坏,即栅极过电压破坏和由上电状态中静电在GS两端,包括安装和和测定设备的带电而导致的栅极破坏。
在这里插入图片描述


原文链接

  • 4
    点赞
  • 23
    收藏
    觉得还不错? 一键收藏
  • 3
    评论
评论 3
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值