碳化硅MOS晶圆6英寸成熟，在进击8英寸工艺（国产碳化硅MOS芯片、SiC模块）

6 寸碳化硅 mosfet 晶圆，是一种以碳化硅为材料制成的场效应晶体管。mosfet 晶圆作为半导体行业的基础材料，广泛应用于各种电子设备和系统中。与传统的硅基 mosfet 晶圆相比，6 寸碳化硅 mosfet 晶圆具有更高的耐压、更大的电流密度和更高的工作频率等优点，因此逐渐成为电力电子领域的研究热点。https://pan.baidu.com/s/19lPyd7Jwrhc1iOR4B5_oow提取码93rp，6 寸碳化硅 mosfet 晶圆内阻、耐压、晶粒尺寸选型表。

6 寸碳化硅 mosfet 晶圆的主要特点如下：

1.高耐压：碳化硅具有较高的击穿电场，因此 6 寸碳化硅 mosfet 晶圆具有较高的耐压能力，适用于高电压应用场景。

2.大电流密度：碳化硅具有较大的电子迁移率，使得 6 寸碳化硅 mosfet 晶圆具有较大的电流密度，能够承受更大的电流。

3. 高工作频率：碳化硅具有较低的载流子迁移率，使得 6 寸碳化硅 mosfet 晶圆具有较高的工作频率，适用于高频率应用场景。

4.良好的热稳定性：碳化硅具有较高的热导率，使得 6 寸碳化硅 mosfet 晶圆在高温环境下仍具有较好的性能表现。

6 寸碳化硅 mosfet 晶圆广泛应用于以下领域：1电力电子：包括变压器、整流器、逆变器、功率放大器等，如太阳能逆变器、新能源汽车充电、轨道交通、燃料电池中的高速空气压缩机、直流-直流转换器（DCDC）、电动汽车电机驱动和数字化趋势下的数据中心等领域具有广泛应用。