使用Silvaco对SiC JTE终端结构仿真时遇到的问题及解决方法

这篇文章带有强烈的个人色彩，并且解决的都是十分简单的问题，仅作为个人学习过程的记录。问题均为仿真SiC二极管击穿电压时出现的问题。

1、仿真不收敛，呈现锯齿状，如图1所示。电流太小，计算精度不够，还没得到可接受的精度软件就认为计算完成了，导致结果错误。需要使用Linux版本的silvaco软件（windows版本不支持修改精度），修改计算精度和方程容差参数。如go atlas改为go atlas simflags="-P 3 -128"("3"为运算使用的CPU数量,默认为1，可在运行该句后查看输出窗口)，加入语句：
method climit=1e-4 maxtraps=40 itlimit=30 \
       ir.tol=1.e-33 ix.tol=1.e-33 \
       px.tol=1.e-22 pr.tol=1.e-43 \
       cx.tol=1.e-22 cr.tol=1.e-35  

不同材料参考计算精度见图2，容差参数默认值见图3

图1 计算出错的图像，实际电流约为10e-29

 图2 不同材料的参考精度

图3 方程容差默认值

2、不清楚中文参数名称在silvaco中对应的参数名称

例如图4中电子电离率不知道对应的是什么，可以查手册，搜索“cm-1"比对参数名称和中文可以找到，为N.ioniza（感觉很简单，不知道为什么卡在这里那么久），同理可通过手册查到如何定义参数。我的看法：material定义材料参数，mobility修改模型参数，impact定义碰撞电离模型并修改参数。（这些是我用到了的，其中碰撞电离模型对反向击穿电压影响最大）。另外可以查看参考文献的参考文献。

 图4 参考文献中出现的SiC-4H材料参数

3、模型参数错误（仅限于少量错误，数量级出错，可能有用的方法）

首先查手册，看默认值，再看参考文献的参考文献中的值。图5中“Nritn.caug”实为“Ncritn.caug”，“Nitp.caug”实为“Ncritp.caug"(好像更接近第2点）。Bn1，Bn2,Bp1,Bp2均为10e7数量级。图4中电子电离率和空穴电离率分别为10e5和10e6数量级。

 图5 参考文献中的模型参数

总结：做的非常不顺利，建议选择期刊作为参考文献，这几个问题花了很多时间解决令人无语。我写的也很不严谨，仅供参考，欢迎指正。

参考文献：

[1]黄意飞. 4H-SiC高压功率器件的JTE终端设计与优化[D].杭州电子科技大学,2019.